一种低功耗低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低功耗低噪声放大器，包括输入匹配电路模块、输出匹配电路模块、放大电路模块和负反馈模块；其中，输入匹配电路的输出端分别与放大电路的输入端和负反馈电路的一端连接，起到传输信号的功能；放大电路的输出端分别与输出匹配电路的输入端和负反馈电路的另一端连接，起到接收信号，并放大再输出的功能；在信号传输进入逐级放大以后，通过负反馈电路的调节，起到降低整个电路对晶体管自身性能变化的敏感度，获得较低的噪声系数，增大放大器的稳定性和带宽，降低了功耗，从而完成低功耗低噪声放大信号的作用。本实用新型专利技术通过负反馈电路增加带宽，多级放大电路可以在放大的同时降低功耗，成本较低，稳定性很高。

A Low Power Low Noise Amplifier

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗低噪声放大器
本技术涉及低噪声放大器，具体来说，涉及一种低功耗低噪声放大器，可以在完成低噪声放大功能的同时降低功耗，成本较低，稳定性很高。
技术介绍
当代社会，低噪声放大器一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰很严重，噪声的去除成为一个重点研究方向，提高输出的信噪比的重要性不言而喻。低噪声放大器广泛应用于通讯、雷达、遥测遥控以及各种高精度测量系统。低噪声放大器是射频接收机最前端的关键组件，主要作用是将天线从空中接收到的微弱射频信号进行放大，同时只引入比较小的噪声。作为接收机的第一级有源模块，低噪声放大器的性能好坏对整个接收机系统性能起着决定性作用。而随着通信、电子对抗、微波测量等向着宽频带、低噪声、小型化方向发展，放大器的低噪声和宽频带设计问题得到了越来越广泛的重视。在追求低噪声和宽频带的同时，功耗大已经成为现在低噪声放大器的通病。
技术实现思路
针对相关技术中的问题，本技术提出一种低功耗低噪声放大器，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。本技术的技术方案是这样实现的：一种低功耗低噪声放大器，包括输入匹配电路模块、输出匹配电路模块、放大电路模块和负反馈模块；输入匹配电路模块，包括电容C1、电阻R1，所述电容C1的一端接输入信号，所述电容C1的另一端接所述电阻R1的一端；放大电路模块，包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12，所述场效应晶体管Q1的栅极与所述电阻R1的另一端连接，所述场效应晶体管Q1的漏极分别与所述电阻R2的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R3的一端连接，所述场效应晶体管Q1的源极与所述电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端接地，所述电阻R3的另一端和所述电容C3的另一端同时与所述电容C4的一端和所述电容C5的一端连接，所述电容C4的另一端接地，所述场效应晶体管Q2的栅极与所述电容C5的另一端连接，所述场效应晶体管Q2的漏极分别与所述电阻R4的一端、所述电容C7的一端和所述电阻R5的一端连接，所述场效应晶体管Q2的源极与所述电容C6的一端连接，所述电容C6的另一端接地，所述电容C7的另一端和所述电阻R5的另一端同时与所述电容C8的一端和所述电容C9的一端连接，所述电容C8的另一端接地，所述场效应晶体管Q3的栅极与所述电容C9的另一端连接，所述场效应晶体管Q3的漏极分别与所述电阻R6的一端、所述电容C11的一端和所述电阻R7的一端连接，所述场效应晶体管Q3的源极与所述电容C10的一端连接，所述电容C10的另一端接地，所述电阻R7的另一端和所述电容C11的另一端同时与所述电容C12的一端连接，所述电容C12的另一端接地；输出匹配电路模块，包括电容C13、电阻R8，所述电阻R8的一端与所述电阻R7的另一端、所述电容C11的另一端和所述电容C12的一端连接，所述电阻R8的另一端与所述电容C13的一端连接，所述电容C13的另一端接输出端口；负反馈电路模块，包括电感L1、电感L2、电感L3、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C14、电容C15、电容C16，所述电阻R9的一端分别与所述电阻R1的另一端和所述场效应晶体管Q1的栅极连接，所述电阻R9的另一端分别与所述电阻R10的一端和所述电容C14的一端连接，所述电阻R10的另一端接地，所述电容C14的另一端分别与所述电感L1的一端和所述电感L2的一端连接，所述电感L1的另一端接地，所述电感L2的另一端分别与所述电感L3的一端、所述电阻R11的一端和所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端接地，所述电阻R11的另一端分别与所述电阻R7的另一端、所述电容C11的另一端、所述电容C12的一端和所述电阻R8的一端连接，所述电感L3的另一端分别与所述电容C15的一端、所述电容C16的一端和电压Vdd连接，所述电容C15的另一端接地，所述电容C16的另一端接地。进一步，所述场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3均为MOS管。进一步，所述电阻R1、所述电阻R2、所述电阻R3、所述电阻R4、所述电阻R5、所述电阻R6、所述电阻R7、所述电阻R8、所述电阻R9、所述电阻R10、所述电阻R11和所述电阻R12的电阻值均为10Ω。进一步，所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3、所述电容C4、所述电容C5、所述电容C6、所述电容C7、所述电容C8、所述电容C9、所述电容C10、所述电容C11、所述电容C12、所述电容C13、所述电容C14、所述电容C15和所述电容C16的电容值大小均为22uF。进一步，所述电感L1、所述电感L2和所述电感L3的电感值大小为150uH。本技术的有益效果为：本设计在现代普遍追求宽频带、低噪声、小型化而牺牲功耗的时候，通过负反馈电路保证了足够的带宽，多级放大电路保证性能的稳定同时降低了功耗，使得成本降低，所以应用前景广泛。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本技术实施例的一种低功耗低噪声放大器。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。根据本技术的实施例，提供了一种低功耗低噪声放大器。如图1所示，根据本技术实施例的低功耗低噪声放大器，包括输入匹配电路模块、输出匹配电路模块、放大电路模块和负反馈模块；输入匹配电路模块，包括电容C1、电阻R1，所述电容C1的一端接输入信号，所述电容C1的另一端接所述电阻R1的一端；放大电路模块，包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12，所述场效应晶体管Q1的栅极与所述电阻R1的另一端连接，所述场效应晶体管Q1的漏极分别与所述电阻R2的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R3的一端连接，所述场效应晶体管Q1的源极与所述电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端接地，所述电阻R3的另一端和所述电容C3的另一端同时与所述电容C4的一端和所述电容C5的一端连接，所述电容C4的另一端接地，所述场效应晶体管Q2的栅极与所述电容C5的另一端连接，所述场效应晶体管Q2的漏极分别与所述电阻R4的一端、所述电容C7的一端和所述电阻R5的一端连接，所述场效应晶体管Q2的源极与所述电容C6的一端连接，所述电容C6的另一端接地，所述电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低功耗低噪声放大器，其特征在于，包括输入匹配电路模块、输出匹配电路模块、放大电路模块和负反馈模块；输入匹配电路模块，包括电容C1、电阻R1，所述电容C1的一端接输入信号，所述电容C1的另一端接所述电阻R1的一端；放大电路模块，包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12，所述场效应晶体管Q1的栅极与所述电阻R1的另一端连接，所述场效应晶体管Q1的漏极分别与所述电阻R2的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R3的一端连接，所述场效应晶体管Q1的源极与所述电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端接地，所述电阻R3的另一端和所述电容C3的另一端同时与所述电容C4的一端和所述电容C5的一端连接，所述电容C4的另一端接地，所述场效应晶体管Q2的栅极与所述电容C5的另一端连接，所述场效应晶体管Q2的漏极分别与所述电阻R4的一端、所述电容C7的一端和所述电阻R5的一端连接，所述场效应晶体管Q2的源极与所述电容C6的一端连接，所述电容C6的另一端接地，所述电容C7的另一端和所述电阻R5的另一端同时与所述电容C8的一端和所述电容C9的一端连接，所述电容C8的另一端接地，所述场效应晶体管Q3的栅极与所述电容C9的另一端连接，所述场效应晶体管Q3的漏极分别与所述电阻R6的一端、所述电容C11的一端和所述电阻R7的一端连接，所述场效应晶体管Q3的源极与所述电容C10的一端连接，所述电容C10的另一端接地，所述电阻R7的另一端和所述电容C11的另一端同时与所述电容C12的一端连接，所述电容C12的另一端接地；输出匹配电路模块，包括电容C13、电阻R8，所述电阻R8的一端与所述电阻R7的另一端、所述电容C11的另一端和所述电容C12的一端连接，所述电阻R8的另一端与所述电容C13的一端连接，所述电容C13的另一端接输出端口；负反馈电路模块，包括电感L1、电感L2、电感L3、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C14、电容C15、电容C16，所述电阻R9的一端分别与所述电阻R1的另一端和所述场效应晶体管Q1的栅极连接，所述电阻R9的另一端分别与所述电阻R10的一端和所述电容C14的一端连接，所述电阻R10的另一端接地，所述电容C14的另一端分别与所述电感L1的一端和所述电感L2的一端连接，所述电感L1的另一端接地，所述电感L2的另一端分别与所述电感L3的一端、所述电阻R11的一端和所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端接地，所述电阻R11的另一端分别与所述电阻R7的另一端、所述电容C11的另一端、所述电容C12的一端和所述电阻R8的一端连接，所述电感L3的另一端分别与所述电容C15的一端、所述电容C16的一端和电压Vdd连接，所述电容C15的另一端接地，所述电容C16的另一端接地。...

【技术特征摘要】
1.一种低功耗低噪声放大器，其特征在于，包括输入匹配电路模块、输出匹配电路模块、放大电路模块和负反馈模块；输入匹配电路模块，包括电容C1、电阻R1，所述电容C1的一端接输入信号，所述电容C1的另一端接所述电阻R1的一端；放大电路模块，包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12，所述场效应晶体管Q1的栅极与所述电阻R1的另一端连接，所述场效应晶体管Q1的漏极分别与所述电阻R2的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R3的一端连接，所述场效应晶体管Q1的源极与所述电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端接地，所述电阻R3的另一端和所述电容C3的另一端同时与所述电容C4的一端和所述电容C5的一端连接，所述电容C4的另一端接地，所述场效应晶体管Q2的栅极与所述电容C5的另一端连接，所述场效应晶体管Q2的漏极分别与所述电阻R4的一端、所述电容C7的一端和所述电阻R5的一端连接，所述场效应晶体管Q2的源极与所述电容C6的一端连接，所述电容C6的另一端接地，所述电容C7的另一端和所述电阻R5的另一端同时与所述电容C8的一端和所述电容C9的一端连接，所述电容C8的另一端接地，所述场效应晶体管Q3的栅极与所述电容C9的另一端连接，所述场效应晶体管Q3的漏极分别与所述电阻R6的一端、所述电容C11的一端和所述电阻R7的一端连接，所述场效应晶体管Q3的源极与所述电容C10的一端连接，所述电容C10的另一端接地，所述电阻R7的另一端和所述电容C11的另一端同时与所述电容C12的一端连接，所述电容C12的另一端接地；输出匹配电路模块，包括电容C13、电阻R8，所述电阻R8的一端与所述电阻R7的另一端、所述电容C11的另一端和所述电容C12的一端连接，所述电阻R8的另一端与所述电容C13...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐小杰，吴洁，
申请(专利权)人：南京天矽微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32