一种27位串转并驱动芯片电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种27位串转并驱动芯片电路，包括集成芯片JP1、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电感L1、电感L2、电容C1。本实用新型专利技术通过构建类似巴伦结构的电路结构，稳定串联电流输入，同时设计了三路并行电路完成了27位串转并驱动电路的设计，成本低廉，模块体积较小，方便控制。

A 27-Bit Serial-Parallel Drive Chip Circuit

The utility model discloses a 27-Bit series-parallel drive chip circuit, which includes integrated chip JP1, transistor Q1, transistor Q2, resistance R1, resistance R2, resistance R3, resistance R4, resistance R5, resistance R6, resistance R7, resistance R8, diode D1, diode D2, diode D3, diode D4, inductance L1, inductance L2 and capacitance C1. The utility model stabilizes the series current input by constructing a circuit structure similar to the Barron structure. At the same time, a three-way parallel circuit is designed to complete the design of a 27-Bit series-to-parallel drive circuit, which has the advantages of low cost, small module volume and convenient control.

【技术实现步骤摘要】
一种27位串转并驱动芯片电路
本技术涉及电子控制系统领域，具体来说，涉及一种27位串转并驱动芯片电路，可以在功能复杂的雷达定位或者电子通讯系统中，用于控制各种衰减器、移相器等功能模块，减少了控制线的数量，增强了控制系统的可靠性。
技术介绍
当代高性能的有源相控雷达系统一般都会采用复杂的天线阵列和电子控制的方式来进行波束控制或者方向控制，这种系统在电子通信、雷达定位等不同的民用或者军用的场合中均得到了广泛的运用。但是这种雷达系统复杂程度很高，需要成千上万个T/R模块进行控制，每个模块中又含有比如衰减器、移相器等一系列集成模块，这就使得控制系统的线路十分复杂，容易加大设计上的难度。同时，控制线过多也会造成系统成本提高、可靠性降低、质量增大等问题。一个功能强大的系统中必定会包含很多模块，如果能够提升模块的集成程度，整体上来说会大大减小整个体统的体积和质量，同时使得设计外部控制电路的难度整体降低，保证整个系统的可靠性和成熟度。其中，数字串并转换模块的使用就是很有效的一种方法，他的使用可以将串行输入转变成并行输入，对控制信号的输入进行整体管理，大量减少了控制信号的数量，从而减小了整体模块的体积和质量，降低了系统整体的复杂程度和控制难度，增强系统的可靠性。本技术将完成了27位的串转并驱动电路设计，可以大大减小驱动系统的控制电路复杂程度，助力系统提高可靠性。同时可以减小系统质量和制造成本。
技术实现思路
针对相关技术中的问题，本技术提出一种27位串转并驱动芯片电路，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。本技术的技术方案是这样实现的：一种27位串转并驱动芯片电路，包括集成芯片JP1、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电感L1、电感L2、电容C1，其中，所述电阻R1的一端与所述电流信号I_in连接，所述电阻R1的另一端与所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与所述电阻R5的一端均接地，所述电阻R5的另一端与所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的集电极接地，所述三极管Q2的发射极分别与所述三极管Q1的发射极、所述电阻R6的一端连接，所述三极管Q1的集电极接地，所述三极管Q1的基极与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接地，所述电阻R6的另一端分别与所述电阻R7的一端、所述电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端与所述电感L2的一端连接，所述电感L2的另一端接地，所述电阻R7的另一端与所述电感L1连接，所述电感L1的另一端与所述集成芯片JP1的第一引脚连接，所述集成芯片JP1的第三引脚与所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极接地，所述集成芯片JP1的第四引脚断路，所述集成芯片JP1的第二引脚分别与所述二极管D2的正极、所述电容C1的一端、所述二极管D4的正极连接，所述二极管D2的负极与所述二极管D3的负极连接，所述二极管D3的正极与所述电流信号I_out1连接，所述电容C1的另一端与所述电流信号I_out2连接，所述二极管D4的负极与所述电流信号I_out3连接。。进一步，所述集成芯片JP1的型号为MHDR2X2。进一步，所述三极管Q1为NPN型晶体管；所述三极管Q2为PNP型晶体管。进一步，所述二极管D1、所述二极管D2和所述二极管D3的型号均为1N914；所述二极管D4为肖特基二极管。进一步，所述电容C1的电容值大小为100pF。进一步，所述电阻R1、所述电阻R2、所述电阻R3、所述电阻R4和所述电阻R5的电阻值大小均为1KΩ；所述电阻R6的电阻值为1.1kΩ；所述电阻R7和所述电阻R8的电阻值大小均为51Ω。本技术的有益效果为：先使用类巴伦结构布置电阻连接，可以稳定串联电流的输入和信号的控制，然后使用集成芯片管理多路输入，最后通过三路电路完成27位串并转换。肖特基二极管等电子器件的使用可以保证驱动系统的稳定性，整体上可以降低控制模块的成本，减小系统质量和体积，加强控制电路的可靠性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本技术实施例的一种27位串转并驱动芯片电路。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。根据本技术的实施例，提供了一种27位串转并驱动芯片电路。如图1所示，根据本技术实施例的27位串转并驱动芯片电路，包括集成芯片JP1、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电感L1、电感L2、电容C1，其中，所述电阻R1的一端与所述电流信号I_in连接，所述电阻R1的另一端与所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与所述电阻R5的一端均接地，所述电阻R5的另一端与所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的集电极接地，所述三极管Q2的发射极分别与所述三极管Q1的发射极、所述电阻R6的一端连接，所述三极管Q1的集电极接地，所述三极管Q1的基极与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接地，所述电阻R6的另一端分别与所述电阻R7的一端、所述电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端与所述电感L2的一端连接，所述电感L2的另一端接地，所述电阻R7的另一端与所述电感L1连接，所述电感L1的另一端与所述集成芯片JP1的第一引脚连接，所述集成芯片JP1的第三引脚与所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极接地，所述集成芯片JP1的第四引脚断路，所述集成芯片JP1的第二引脚分别与所述二极管D2的正极、所述电容C1的一端、所述二极管D4的正极连接，所述二极管D2的负极与所述二极管D3的负极连接，所述二极管D3的正极与所述电流信号I_out1连接，所述电容C1的另一端与所述电流信号I_out2连接，所述二极管D4的负极与所述电流信号I_out3连接。在一个实施例中，所述集成芯片JP1的型号为MHDR2X2。在一个实施例中，所述三极管Q1为NPN型晶体管；所述三极管Q2为PNP型晶体管。在一个实施例中，所述二极管D1、所述二极管D2和所述二极管D3的型号均为1N914；所述二极管D4为肖特基二极管。在一个实施例中，所述电容C1的电容值大小为100pF。在一个实施例中，所述电阻R1、所述电阻R2、所述电阻R3、所述电阻R4和所述电阻R5的电阻值大小均为1KΩ；所述电阻R6的电阻值为1.1kΩ；所述电阻R7和所述电阻R8的电阻值大小均为51Ω。工作原理：三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种27位串转并驱动芯片电路，其特征在于，包括集成芯片JP1、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电感L1、电感L2、电容C1，其中，所述电阻R1的一端与所述电流信号I_in连接，所述电阻R1的另一端与所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与所述电阻R5的一端均接地，所述电阻R5的另一端与所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的集电极接地，所述三极管Q2的发射极分别与所述三极管Q1的发射极、所述电阻R6的一端连接，所述三极管Q1的集电极接地，所述三极管Q1的基极与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接地，所述电阻R6的另一端分别与所述电阻R7的一端、所述电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端与所述电感L2的一端连接，所述电感L2的另一端接地，所述电阻R7的另一端与所述电感L1连接，所述电感L1的另一端与所述集成芯片JP1的第一引脚连接，所述集成芯片JP1的第三引脚与所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极接地，所述集成芯片JP1的第四引脚断路，所述集成芯片JP1的第二引脚分别与所述二极管D2的正极、所述电容C1的一端、所述二极管D4的正极连接，所述二极管D2的负极与所述二极管D3的负极连接，所述二极管D3的正极与所述电流信号I_out1连接，所述电容C1的另一端与所述电流信号I_out2连接，所述二极管D4的负极与所述电流信号I_out3连接。...

【技术特征摘要】
1.一种27位串转并驱动芯片电路，其特征在于，包括集成芯片JP1、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电感L1、电感L2、电容C1，其中，所述电阻R1的一端与所述电流信号I_in连接，所述电阻R1的另一端与所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与所述电阻R5的一端均接地，所述电阻R5的另一端与所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的集电极接地，所述三极管Q2的发射极分别与所述三极管Q1的发射极、所述电阻R6的一端连接，所述三极管Q1的集电极接地，所述三极管Q1的基极与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接地，所述电阻R6的另一端分别与所述电阻R7的一端、所述电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端与所述电感L2的一端连接，所述电感L2的另一端接地，所述电阻R7的另一端与所述电感L1连接，所述电感L1的另一端与所述集成芯片JP1的第一引脚连接，所述集成芯片JP1的第三引脚与所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极接地，所述集成芯片JP1的第四引脚断路，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐小杰，吴洁，
申请(专利权)人：南京天矽微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32