一种低频信号放大电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低频信号放大电路，包括电容C1、二极管D2、场效应晶体管V1和晶体管V2，所述电容C1的一端连接信号输入端IN，电容C1的另一端连接电阻R1和电容C2，电容C2的另一端连接电阻R1的另一端、电阻R2、二极管D1的阴极和二极管D2的阳极，二极管D2的阴极连接电阻R3和场效应晶体管V1漏极。本实用新型专利技术低频信号放大电路结构简单、元器件少，电路摒弃了复杂的芯片控制结构，仅利用三极管和场效应晶体管的工作特性制成，摒弃具有过电压保护和放大倍数可调节的功能，因此具有成本低、功能多样和使用方便的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种放大电路，具体是一种低频信号放大电路。
技术介绍
进入21世纪以后，各种便携式的电子设备成为了电子设备的一种重要的发展趋势。从作为通信工具的手机，到作为娱乐设备的MP3播放器，已经成为差不多人人具备的便携式电子设备。陆续将要普及的还有便携式电视机，便携式DVD等等。所有这些便携式的电子设备的一个共同点，就是都有信号输出，也就是都需要有一个信号放大器，现在常用的音频信号放大电路大多结构复杂，体积大，稳定性较差，容易受到过电压的毁损，因此有待于改进。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种低频信号放大电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案： 一种低频信号放大电路，包括电容C1、二极管D2、场效应晶体管V1和晶体管V2，所述电容C1的一端连接信号输入端IN，电容C1的另一端连接电阻R1和电容C2，电容C2的另一端连接电阻R1的另一端、电阻R2、二极管D1的阴极和二极管D2的阳极，二极管D2的阴极连接电阻R3和场效应晶体管V1漏极，电阻R3的另一端连接电阻R4和电源VCC，二极管D1的阳极连接电阻R6、电位器RP1和电容C3，电阻R2的另一端连接场效应晶体管V1的栅极，场效应晶体管V1的源极连接二极管D3的阳极，二极管D3的阴极连接电阻R5和电阻R6的另一端，电阻R5的另一端连接三极管V2的基极，三极管V2的发射极连接电阻R2和电阻R7，电阻R7的另一端连接电位器RP1的另一端，电阻R2的另一端连接电容C3的另一端，三极管V2的集电极连接电阻R4的另一端和输出端OUT。作为本技术的优选方案：所述电容C3为可调电容。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术低频信号放大电路结构简单、元器件少，电路摒弃了复杂的芯片控制结构，仅利用三极管和场效应晶体管的工作特性制成，摒弃具有过电压保护和放大倍数可调节的功能，因此具有成本低、功能多样和使用方便的优点。附图说明图1为低频信号放大电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。 请参阅图1，一种低频信号放大电路，包括电容C1、二极管D2、场效应晶体管V1和晶体管V2，所述电容C1的一端连接信号输入端IN，电容C1的另一端连接电阻R1和电容C2，电容C2的另一端连接电阻R1的另一端、电阻R2、二极管D1的阴极和二极管D2的阳极，二极管D2的阴极连接电阻R3和场效应晶体管V1漏极，电阻R3的另一端连接电阻R4和电源VCC，二极管D1的阳极连接电阻R6、电位器RP1和电容C3，电阻R2的另一端连接场效应晶体管V1的栅极，场效应晶体管V1的源极连接二极管D3的阳极，二极管D3的阴极连接电阻R5和电阻R6的另一端，电阻R5的另一端连接三极管V2的基极，三极管V2的发射极连接电阻R2和电阻R7，电阻R7的另一端连接电位器RP1的另一端，电阻R2的另一端连接电容C3的另一端，三极管V2的集电极连接电阻R4的另一端和输出端OUT。作为本技术的优选方案：所述电容C3为可调电容。本技术的工作原理是：在示波器和数字表中常常需要放大输入信号。该电路通过采用场效应晶体管使输入端有高电阻特性，输入信号从IN进入电路，其输入端串入RC电路和两个保护二极管D1、D2，用于防止过电压。二极管D3用于降低后接的低频晶体管V2的基极电位。电阻R6为源跟随器的工作电阻。调节电位器RP1和电容C3的值能够改变放大系数，放大后的信号通过输出端OUT输出。电路结构简单、元器件少，电路摒弃了复杂的芯片控制结构，仅利用三极管和场效应晶体管的工作特性制成，摒弃具有过电压保护和放大倍数可调节的功能，因此具有成本低、功能多样和使用方便的优点。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低频信号放大电路，包括电容C1、二极管D2、场效应晶体管V1和晶体管V2，其特征在于，所述电容C1的一端连接信号输入端IN，电容C1的另一端连接电阻R1和电容C2，电容C2的另一端连接电阻R1的另一端、电阻R2、二极管D1的阴极和二极管D2的阳极，二极管D2的阴极连接电阻R3和场效应晶体管V1漏极，电阻R3的另一端连接电阻R4和电源VCC，二极管D1的阳极连接电阻R6、电位器RP1和电容C3，电阻R2的另一端连接场效应晶体管V1的栅极，场效应晶体管V1的源极连接二极管D3的阳极，二极管D3的阴极连接电阻R5和电阻R6的另一端，电阻R5的另一端连接三极管V2的基极，三极管V2的发射极连接电阻R2和电阻R7，电阻R7的另一端连接电位器RP1的另一端，电阻R2的另一端连接电容C3的另一端，三极管V2的集电极连接电阻R4的另一端和输出端OUT。

【技术特征摘要】
1.一种低频信号放大电路，包括电容C1、二极管D2、场效应晶体管V1和晶体管V2，其特征在于，所述电容C1的一端连接信号输入端IN，电容C1的另一端连接电阻R1和电容C2，电容C2的另一端连接电阻R1的另一端、电阻R2、二极管D1的阴极和二极管D2的阳极，二极管D2的阴极连接电阻R3和场效应晶体管V1漏极，电阻R3的另一端连接电阻R4和电源VCC，二极管D1的阳极连接电阻R6、电位器RP1和电容C3，电阻R2的另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄烨宏，
申请(专利权)人：黄烨宏，
类型：新型
国别省市：浙江;33