显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种显示面板，包括基板、第一金属层、第二金属层、栅绝缘层、绝缘层、测试电路层和静电测试电极，第一金属层图案化形成有第一电极；第二金属层图案化形成有第二电极，第二电极和第一电极在基板上的投影重合；栅绝缘层形成于第一金属层和第二金属层之间；测试电路层与第二电极电连接，且连接区域位于第二电极在基板上的投影区域内；静电测试电极包括第一测试电极和第二测试电极，第一测试电极与第一电极电连接，第二测试电极与测试电路层电连接。本发明专利技术中由于第一金属层与测试电路层之间还设置有绝缘层，在栅绝缘层的坡度角区膜层较厚，不易发生静电，因此静电测试电极可以测试栅绝缘层中间区域的防静电能力。

Display panel

【技术实现步骤摘要】
显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板。
技术介绍
现有的显示面板制备过程中，通常需要测试栅绝缘层的抵抗静电击穿的能力。如图1所示，显示面板包括基板100、第一金属层110、栅绝缘层120、第二金属层130，静电测试电极的两个电极(图未示出)分别与第一金属层110和第二金属层130电连接。由于栅绝缘层120沉积时，在坡度角区111的膜层厚度通常比中间区域膜层厚度小，因此容易在坡度角区111发生静电，静电测试时，测试到的往往是坡度角区111被击穿，这样就无法表征栅绝缘层120膜厚正常的中间区域的静电击穿特性。因此，现有的显示面板存在栅绝缘层静电测试不准确的技术问题，需要改进。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板，以缓解现有的显示面板中栅绝缘层静电测试不准确的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种显示面板，包括：基板；第一金属层，图案化形成有第一电极；第二金属层，图案化形成有第二电极，所述第二电极和所述第一电极在所述基板上的投影重合；栅绝缘层，形成于所述第一金属层和所述第二金属层之间；绝缘层；测试电路层，与所述第二电极电连接，且连接区域位于所述第二电极在所述基板上的投影区域内；静电测试电极，包括第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第一电极电连接，所述第二测试电极与所述测试电路层电连接。在本专利技术的显示面板中，所述第一金属层形成在所述基板上，所述栅绝缘层形成在所述第一金属层远离所述基板的一侧，所述第二金属层形成在所述栅绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述绝缘层形成在所述第二金属层远离所述栅绝缘层的一侧，所述测试电路层形成在所述绝缘层远离所述第二金属层的一侧。在本专利技术的显示面板中，所述显示面板包括低温多晶硅薄膜晶体管，所述第一金属层还图案化形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极。在本专利技术的显示面板中，所述显示面板包括氧化物薄膜晶体管，所述第二金属层还图案化形成所述氧化物薄膜晶体管的栅极。在本专利技术的显示面板中，所述绝缘层为钝化层。在本专利技术的显示面板中，所述绝缘层为钝化层和层间绝缘层的叠层结构。在本专利技术的显示面板中，所述显示面板为液晶显示面板，所述测试电路层为所述液晶显示面板的像素电极。在本专利技术的显示面板中，所述显示面板为OLED显示面板，所述测试电路层为所述OLED显示面板的公共电极。在本专利技术的显示面板中，所述测试电路层形成在所述基板上，所述第二金属层形成在所述测试电路层远离所述基板的一侧，所述栅绝缘层形成在所述第二金属层远离所述测试电路层的一侧，所述第一金属层形成在所述栅绝缘层远离所述第二金属层的一侧，所述绝缘层形成在所述第一金属层远离所述栅绝缘层的一侧。在本专利技术的显示面板中，所述绝缘层为钝化层。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供一种显示面板，包括基板、第一金属层、第二金属层、栅绝缘层、绝缘层、测试电路层和静电测试电极，所述第一金属层图案化形成有第一电极；所述第二金属层图案化形成有第二电极，所述第二电极和所述第一电极在所述基板上的投影重合；所述栅绝缘层形成于所述第一金属层和所述第二金属层之间；所述测试电路层与所述第二电极电连接，且连接区域位于所述第二电极在所述基板上的投影区域内；所述静电测试电极包括第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第一电极电连接，所述第二测试电极与所述测试电路层电连接。本专利技术将第一测试电极与第一电极电连接，将第二测试电极与测试电路层电连接，由于第一金属层与测试电路层之间还设置有绝缘层，在栅绝缘层的坡度角区膜层较厚，不易发生静电，因此静电测试电极可以测试栅绝缘层中间区域的防静电能力。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有的显示面板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的显示面板的第一种结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的显示面板的第二种结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的显示面板的第三种结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的显示面板的第四种结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术提供一种显示面板，以缓解现有的显示面板中栅绝缘层静电测试不准确的技术问题。如图2所示，为本专利技术实施例提供的显示面板的第一种结构示意图。显示面板包括基板10、第一金属层、栅绝缘层30、第二金属层、绝缘层50、测试电路层60和静电测试电极。基板10可以为柔性衬底，其材料可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯以及聚醚砜中的至少一种。基板10也可以为刚性衬底，具体可以为玻璃衬底或者其他刚性衬底。本专利技术实施例不对衬底的种类以及材料进行限定。第一金属层形成于基板10上，并图案化形成有第一电极20，第一金属层的材料可以包括钛、铝以及铜中的至少一种，本专利技术实施例不对第一金属层的材料进行限定，只需可以正常传导测试信号即可。栅绝缘层30形成于第一金属层远离基板10的一侧，栅绝缘层30的材料一般为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、或者三者的夹层结构等。在一种实施例中，栅绝缘层30通过化学气相沉积的方法，形成在第一金属层上。第二金属层形成于栅绝缘层30远离第一电极20的一侧，并图案化形成有第二电极40，第二金属层为铝层、钛层、铜层或其他金属材料制成，第二电极40与第一电极20在基板10上的投影重合。在本实施例中，第二电极40在基板10上的投影范围等于第一电极20在基板10上的投影，重合区域对应栅绝缘层30膜厚正常的中间区域。由于第二电极40在基板10上的投影范围等于第一电极20在基板10上的投影，第二电极40没有覆盖坡度角区200内的栅绝缘层30，这样当第一电极20和第二电极40上均有电流时，位于坡度角区200内的栅绝缘层30不会有电流聚集，即电流只会作用在位于中间区域内的栅绝缘层30上，增大了栅绝缘层30测试的准确性。在一种实施例中，显示面板包括低温多晶硅薄膜晶体管，第一金属层还图案化形成低温多晶硅薄膜晶体管的栅极。低温多晶硅薄膜晶体管具有制备温度低，载流子迁移率高，器件尺寸小等突出优点，在显示面板中普遍应用。在本实施例中，低温多晶硅薄膜晶体管为底栅结构，第一金属层图案化形成低温多晶硅薄膜晶体管的栅极，与第一电极20同层设置。在一种实施例中，显示面板包括氧化物薄膜晶体管，第二金属层还图案化形成氧化物薄膜晶体管的栅极。氧化物薄膜晶体管的生产工艺简单，光刻书面较少，且均匀性很好，广泛应用与高代线、大尺寸显示面板上。在本实施例中，氧化物薄膜晶体管为顶栅结构，第二金属层图案化形成氧化物薄膜晶体管的栅极，与第二电极40同层设置。在一种实施例中，显示面板包括存储电容，第一金属层和第二金属层为存储电容的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；第一金属层，图案化形成有第一电极；第二金属层，图案化形成有第二电极，所述第二电极和所述第一电极在所述基板上的投影重合；栅绝缘层，形成于所述第一金属层和所述第二金属层之间；绝缘层；测试电路层，与所述第二电极电连接，且连接区域位于所述第二电极在所述基板上的投影区域内；静电测试电极，包括第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第一电极电连接，所述第二测试电极与所述测试电路层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；第一金属层，图案化形成有第一电极；第二金属层，图案化形成有第二电极，所述第二电极和所述第一电极在所述基板上的投影重合；栅绝缘层，形成于所述第一金属层和所述第二金属层之间；绝缘层；测试电路层，与所述第二电极电连接，且连接区域位于所述第二电极在所述基板上的投影区域内；静电测试电极，包括第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第一电极电连接，所述第二测试电极与所述测试电路层电连接。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层形成在所述基板上，所述栅绝缘层形成在所述第一金属层远离所述基板的一侧，所述第二金属层形成在所述栅绝缘层远离所述第一金属层的一侧，所述绝缘层形成在所述第二金属层远离所述栅绝缘层的一侧，所述测试电路层形成在所述绝缘层远离所述第二金属层的一侧。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括低温多晶硅薄膜晶体管，所述第一金属层还图案化形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极。4.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：江志雄，蒙艳红，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44