一种柔性电容阵列及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种柔性电容阵列及制备方法，其方法包括：以聚酰亚胺薄膜作为基底，将聚酰胺酸旋涂至基底上，置于加热台加热使其亚胺化，利用银铵法在已亚胺化的衬底上生长银层作为电容阵列的上下极板，利用蓝膜光刻工艺形成所需蓝膜阵列用来支撑电容的上下极板，从而在中间形成空气介质层。本发明专利技术相比传统柔性电路工艺而言，无需特定的实验温度及专业设备，常温下便可大规模制造；制得的电容阵列适用于各种弯曲条件，有很好的柔性特征，具有广阔的应用空间。

A Flexible Capacitor Array and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种柔性电容阵列及制备方法
本专利技术涉及一种柔性电容阵列制备技术，尤其是一种工艺简单，成本低，可以在衬底得到大规模一次性成型的柔性电容阵列及制备方法。
技术介绍
柔性电路目前是社会发展的一大趋势，广泛应用于医疗、军事、工业、家用等领域，电子产品加工对重量轻、厚度薄，可拉伸、任意弯曲的柔性电路需求愈加明显。一般柔性薄膜电路制造方法中有蒸镀、丝网印刷等，这些方法存在着诸多问题，如工艺繁琐、无法满足在任意衬底上柔性薄膜电路的制备等。对于柔性电容阵列而言，其三层结构导致其制备过程更加困难。如中国专利：201410246264.5公开的一种柔性电容阵列的制备方法；中国专利：201610547607.0公开的一阵柔性电容阵列的制备方法；虽然两种方法可以制备所需类型的柔性传感器阵列，但其制备过程工艺复杂，且不能做到在衬底上大规模制备。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足而提供的一种柔性电容阵列及制备方法，其柔性电容阵列为3×3阵列的三明治结构，以蓝膜作为电容上下极板的支撑材料，可实现在衬底上制备得到，具有工艺简单，成本低，可大规模制备的优点。实现本专利技术目的的具体技术方案是：一种柔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性电容阵列的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：选择聚酰亚胺薄膜作为衬底，用酒精，去离子水冲洗；步骤2：将步骤1所得衬底旋涂一层5～10um、质量比为12wt%的聚酰胺酸，置于60℃加热台上加热20～30分钟，使聚酰胺酸固化；步骤3：将步骤2所得衬底使用银氨法生长银层，具体包括：ⅰ）将硝酸银溶于去离子水中，搅拌均匀，得浓度为0.02～0.03mol/L的硝酸银溶液；ⅱ）将步骤ⅰ）所得的硝酸银溶液缓慢滴加NH3含量为25%～28%的氨水，使得溶液从浑浊变澄清，滴定结束，得到银氨溶液；ⅲ）将步骤2所得衬底浸入银氨溶液中13～15分钟；ⅳ）将步骤ⅲ）所得衬底去离子水冲洗，...

【技术特征摘要】
1.一种柔性电容阵列的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：选择聚酰亚胺薄膜作为衬底，用酒精，去离子水冲洗；步骤2：将步骤1所得衬底旋涂一层5～10um、质量比为12wt%的聚酰胺酸，置于60℃加热台上加热20～30分钟，使聚酰胺酸固化；步骤3：将步骤2所得衬底使用银氨法生长银层，具体包括：ⅰ）将硝酸银溶于去离子水中，搅拌均匀，得浓度为0.02～0.03mol/L的硝酸银溶液；ⅱ）将步骤ⅰ）所得的硝酸银溶液缓慢滴加NH3含量为25%～28%的氨水，使得溶液从浑浊变澄清，滴定结束，得到银氨溶液；ⅲ）将步骤2所得衬底浸入银氨溶液中13～15分钟；ⅳ）将步骤ⅲ）所得衬底去离子水冲洗，并置于浓度为8～10mmol／L的还原剂中使之析出银层；步骤4：喷墨打印机将已设计好的条形图案打印至大小为A4的菲林片上，制作光刻掩模版；步骤5：在步骤3所得衬底上利用roll-to-roll贴敷一层感光蓝膜，使之表面平整、无气泡及无褶皱；步骤6：在贴敷感光蓝膜的衬底上，将感光蓝膜表层的保护膜撕掉，再将步骤4所得光刻掩模版放置于贴敷撕掉保护膜的感光蓝膜的衬底上进行掩膜光刻；步骤7：将掩膜光刻后的衬底放入显影剂中进行显影，使之未被曝光的感光蓝膜被脱掉；步骤8：将步骤7所得衬底放入刻蚀剂，使暴露出来的银层被刻蚀；步骤9：将步骤8所得衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏更帅，张健，李佳，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：上海,31