【技术实现步骤摘要】
一种热光型相位调制结构
本专利技术涉及光信号处理
，更具体地，涉及一种热光型相位调制结构。
技术介绍
随着光通讯，光传输的普及，传统的微光学器件正由集成光学、集成光电器件所代替。在微波
，信号带宽日益扩大。受限于电子带宽瓶颈，在电域中进行超高宽带信号处理非常困难，微波信号的光域信号处理技术受到日益重视和广泛研究。光波导相位调制器是集成光学中的重要器件，广泛应用在高速数模转换、光学逻辑回路、光传感技术等方面，调制机理主要是基于光波导的电光效应和热光效应。其中电光效应的调制速度快，缺点是在调制过程中会带来衰减，而且由大电流注入引起的发热会降低电光调制的效率。热光效应调制速度相对较慢，非常适合具有热光系数大、热传导率高的材料。硅基光波导具有良好的光学特性，同时又与传统的硅加工工艺兼容，逐渐在光电子器件方面得到广泛的应用，但其导波层硅属于中心对称的晶体，直接电光效应很弱，只能通过等离子色散效应和热光效应来进行折射率调制。等离子色散效应中注入的高浓度载流子会产生载流子吸收，进而影响调制器的性能，而且大的电流密度也会带来大的功耗。因此，热光型调制器的具有良好的应用...
【技术保护点】
1.一种热光型相位调制结构，包括：波导；设置在所述波导周围的包层；设置在所述包层与所述波导相邻一侧的相对侧的第一接触掺杂区和第二接触掺杂区；设置在第一接触掺杂区上方且与第一接触掺杂区形成电连接的第一电极；以及设置在第二接触掺杂区上方且与第二接触掺杂区形成电连接的第二电极。
【技术特征摘要】
1.一种热光型相位调制结构，包括：波导；设置在所述波导周围的包层；设置在所述包层与所述波导相邻一侧的相对侧的第一接触掺杂区和第二接触掺杂区；设置在第一接触掺杂区上方且与第一接触掺杂区形成电连接的第一电极；以及设置在第二接触掺杂区上方且与第二接触掺杂区形成电连接的第二电极。2.如权利要求1所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述热光型相位调制结构位于绝缘体上硅SOI衬底上，所述波导位于顶硅层内，所述包层是位于所述波导两侧以及顶部的二氧化硅层，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区分别位于包层与所述波导相邻一侧的相对侧的顶硅层中，所述第一电极和第二电极位于所述顶硅层的顶面上。3.如权利要求2所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区的掺杂类型与所述波导的掺杂类型相同，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区的掺杂浓度大于所述波导的掺杂浓度。4.如权利要求2所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区是L形结构，分别包括位于第一电极和第二电极正下方的纵向部分和从纵向部分底部向包层下方横向延伸的横向部分，所述第一接触掺杂区和第二接触掺杂区的横向部分不超过所述包层的正下方。5.如权利要求2所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述波导为浅脊型波导。6.如权利要求2所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述波导为台阶型波导。7.如权利要求2所述的热光型相位调制结构，其特征在于，所述波导为低位脊型波导，所述波导的脊形凸起顶面低...
【专利技术属性】
技术研发人员：李冰，李营营，
申请(专利权)人：上海硅通半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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