用于垂直结高速相位调制器的方法和系统技术方案

公开了用于垂直结高速相位调制器的方法和系统，并且系统可以包括半导体装置，该半导体装置具有半导体波导，该半导体波导包括平板部、在平板部上方延伸的肋部以及在肋部两侧在平板部上方延伸的凸起脊。该半导体装置具有垂直pn结，其中，p掺杂材料和n掺杂材料在肋部和平板部中彼此垂直设置。肋部可以在沿着半导体波导的每个横截面中是完全n掺杂的或完全p掺杂的。通过在凸起脊上形成接触部，可以实现与p掺杂和n掺杂材料的电连接，并且可以经由半导体波导的周期性设置的部分从接触部中的一个接触部向肋部提供电连接，其中，周期性设置的部分中的肋部和平板部两者的横截面可以是完全n掺杂的或完全p掺杂的。

Method and System for Vertical Junction High Speed Phase Modulator

A method and system for a vertical junction high speed phase modulator are disclosed, and the system may include a semiconductor device having a semiconductor waveguide comprising a flat plate, a rib extending above the flat plate and a ridge extending above the flat plate on both sides of the rib. The semiconductor device has a vertical P n junction, in which the p-doped material and the n-doped material are arranged vertically with each other in the rib and the flat part. The ribs can be completely n-doped or p-doped in each cross section along the semiconductor waveguide. By forming a contact part on the convex ridge, the electrical connection with p-doped and n-doped materials can be realized, and the electrical connection can be provided to the ribs from a contact part of the contact part through the periodically arranged part of the semiconductor waveguide. The cross sections of the ribs and the plates in the periodically arranged part can be completely n-doped or completely p-doped.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于垂直结高速相位调制器的方法和系统相关申请的交叉引用/通过引用并入本申请要求于2016年9月1日提交的美国临时申请62/382,326的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用结合于此。
本公开的方面涉及电子元件。更具体地，本公开的某些实现方式涉及用于垂直结高速相位调制器的方法和系统。
技术介绍
用于高速相位调制器的传统方法可能昂贵、麻烦和/或低效的，例如，它们可能复杂的和/或耗时的，和/或可能引入不对称。通过将这种系统与本申请的其余部分中参考附图阐述的本公开的一些方面进行比较，常规和传统方法的进一步限制和缺点对于本领域技术人员来说将变得显而易见。
技术实现思路
提供了用于垂直结高速相位调制器的系统和方法，如权利要求中更完整阐述的，基本上如结合至少一个附图所示和/或描述的。根据以下描述和附图，将更充分地理解本公开的这些和其他优点、方面和新颖特征以及其所示实施例的细节。附图说明图1A是根据本公开的示例性实施例的具有垂直结高速相位调制器的光子使能集成电路的方框图；图1B是示出根据本公开的示例性实施例的示例性光子使能集成电路的示图；图1C是示出根据本公开的示例性实施例的耦接到光纤电缆的光子使能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述装置包括：半导体波导，包括平板部、在所述平板部上方延伸的肋部以及在所述肋部两侧在所述平板部上方延伸的凸起脊；垂直pn结，其中，p掺杂材料和n掺杂材料在所述肋部和所述平板部中彼此垂直设置，其中，所述肋部在沿着所述半导体波导的每个横截面中是完全n掺杂的或完全p掺杂的；通过在凸起脊上形成接触部，与所述p掺杂和所述n掺杂材料的电连接；并且经由所述半导体波导的周期性设置的部分从所述接触部中的一个接触部向肋部提供电连接，其中，周期性设置的部分中的所述肋部和所述平板部的横截面是完全n掺杂的或完全p掺杂的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.01 US 62/382,3261.一种半导体装置，所述装置包括：半导体波导，包括平板部、在所述平板部上方延伸的肋部以及在所述肋部两侧在所述平板部上方延伸的凸起脊；垂直pn结，其中，p掺杂材料和n掺杂材料在所述肋部和所述平板部中彼此垂直设置，其中，所述肋部在沿着所述半导体波导的每个横截面中是完全n掺杂的或完全p掺杂的；通过在凸起脊上形成接触部，与所述p掺杂和所述n掺杂材料的电连接；并且经由所述半导体波导的周期性设置的部分从所述接触部中的一个接触部向肋部提供电连接，其中，周期性设置的部分中的所述肋部和所述平板部的横截面是完全n掺杂的或完全p掺杂的。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述肋部沿着所述半导体波导的整个长度是完全n掺杂的或完全p掺杂的。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述肋部沿着所述半导体波导的整个长度在完全p掺杂或完全n掺杂部分之间交替。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述平板部沿着所述半导体波导的整个长度在完全p掺杂或完全n掺杂部分之间交替。5.根据权利要求1所述的装置，其中，除了周期性设置的部分之外，所述平板部沿着所述半导体波导的整个长度是完全n掺杂的或完全p掺杂的。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述凸起脊通过沟槽与所述肋分离。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述半导体波导包括光调制器的第一相位调制部分。8.一种半导体装置，该装置包括：半导体波导，包括平板部、在所述平板部上方延伸的肋部以及在所述肋部两侧在所述平板部上方延伸的凸起脊；垂直pn结，其中，p掺杂材料和n掺杂材料分别在所述肋部和所述平板部中彼此垂直设置，其中，所述肋部在沿着所述半导体波导的每个横截面中是完全n掺杂的或完全p掺杂的；经由凸起脊上的接触部，与所述p掺杂材料和所述n掺杂材料电接触；并且经由所述半导体波导的周期性设置的部分从所述接触部中的一个接触部与所述肋部电接触，其中，周期性设置的部分中的所述肋部和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿蒂拉·米基斯，苏巴尔·萨尼，扬妮克·德·科宁克，詹洛伦佐·马西尼，法伊兹赫·古拉米，
申请(专利权)人：卢克斯特拉有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US