光学ISO调制器制造技术

此处公开了与光学iso调制器相关联的装置、方法以及存储介质。在实施例中，一种装置可以包括形成在诸如隔离层和处理层的一个或多个层上的光波导。调制器驱动器可以耦合到一个或多个层的第一侧。磁光(MO)管芯可以耦合到一个或多个层的与第一侧相对的第二侧。可以公开和/或要求保护其它实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光学ISO调制器相关申请本申请要求于2016年8月29日提出的标题为“OPTICALISO-MODULATOR”的美国申请15/250,745的优先权。
本公开的实施例总体上涉及光电子学领域，并且更具体而言，涉及具有光学iso调制器的光子集成电路。
技术介绍
本文所提供的背景描述用于总体上介绍本公开的语境。除非本文另行加以说明，否则该部分所描述的内容对于本申请中的权利要求并非现有技术，并且不应因包括在该部分中而被视为现有技术。可以将光子集成电路视为用于数据中心和高性能计算的下一代互连技术的有前途的候选项。典型地，可以在绝缘体上硅(SOI)晶片上制造基于光波导的光子集成电路，例如，激光器、调制器、以及检测器。在高数据率(例如，大于10Gb/s)下，小激光器的不稳定性可能导致爆发性比特错误，并且可能严重扰乱互连链路上的操作。向激光器的反馈或者反射可能导致激光器的不稳定性。可以使用光学隔离器来保护光子集成电路以免受反射的影响，因为光学隔离器可能允许光波沿特定的方向传播，同时防止光波沿不希望的方向传播。然而，传统的光学隔离器可能是独立的设备，其可能体积大、价格昂贵、并且集成复杂。另外，许多现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光子集成电路，包括：激光器；以及与所述激光器光耦合的iso调制器，其中，所述iso调制器包括形成在一个或多个层上的光波导，所述iso调制器还包括：耦合到所述一个或多个层的第一侧的调制器驱动器；以及耦合到所述一个或多个层的与所述第一侧相对的第二侧的磁光(MO)材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.29 US 15/250,7451.一种光子集成电路，包括：激光器；以及与所述激光器光耦合的iso调制器，其中，所述iso调制器包括形成在一个或多个层上的光波导，所述iso调制器还包括：耦合到所述一个或多个层的第一侧的调制器驱动器；以及耦合到所述一个或多个层的与所述第一侧相对的第二侧的磁光(MO)材料。2.根据权利要求1所述的光子集成电路，其中，所述一个或多个层包括隔离层和处理层。3.根据权利要求2所述的光子集成电路，其中，所述MO材料包括MO管芯，并且其中，所述调制器驱动器接合到形成在所述处理层上的焊料凸块。4.根据权利要求1所述的光子集成电路，还包括多个导电过孔，所述导电过孔延伸穿过所述一个或多个层，以将所述调制器驱动器耦合到所述光波导。5.根据权利要求1所述的光子集成电路，其中，所述光波导还包括具有第一掺杂浓度的肋状物部分和具有高于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的平板部分。6.根据权利要求1所述的光子集成电路，其中，所述MO材料包括包含铋、镥、钬、钆、或者钇中的至少一种的石榴石膜。7.根据权利要求1所述的光子集成电路，其中，所述MO材料包括磁光液相外延生长的石榴石膜。8.根据权利要求6所述的光子集成电路，其中，所述MO材料还包括与所述石榴石膜耦合的包覆层。9.根据权利要求7所述的光子集成电路，其中，所述包覆层包括二氧化硅、氮氧化硅、或者氮化硅。10.根据权利要求1-9中的任一项所述的光子集成电路，其中，所述iso调制器被布置成马赫-泽德干涉仪(MZI)配置。11.一种iso调制器，包括：形成在一个或多个层上的光波导；耦合到所述一个或多个层的第一侧的调制器驱动器；以及耦合到所述一个或多个层的与所述第一侧相对的第二侧的磁光(MO)管芯。12.根据权利要求11所述的iso调制器，其中，所述调制器驱动器或者所述MO管芯中的至少一个接合到所述一个或多个层。13.根据权利要求11所述的iso调制器，还包括多个穿硅过孔(TSV)，所述多个穿硅过孔(TSV)延伸穿过所述一个或多个层以将所述调制器驱动器耦合到所述光波导。14.根据权利要求13所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·金，J·赫克，H·荣，J·B·德里斯科尔，K·N·阮，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US