用于聚焦场雪崩光电二极管的方法和系统技术方案

用于聚焦场雪崩光电二极管(APD)的系统和方法可以包括吸收层、阳极、阴极、N掺杂层、P掺杂层、以及位于N掺杂层和P掺杂层之间的倍增区域。氧化物界面位于阳极、阴极、N掺杂层、P掺杂层、以及倍增区域的顶表面和底表面处。APD可以在吸收层中吸收光学信号以生成载流子，并使用N掺杂层和P掺杂层中的掺杂分布将载流子引导至阴极的中心，该掺杂分布在垂直于顶表面和底表面的方向上变化。N掺杂层和P掺杂层中的掺杂分布可以在氧化物界面之间的中途具有峰值浓度，或者N掺杂层可以在氧化物界面之间的中途具有峰值浓度，而P掺杂层在该处可以具有最小浓度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于聚焦场雪崩光电二极管的方法和系统相关申请的交叉引用/通过引用合并本申请要求于2017年11月28日递交的美国临时申请No.62/591,303、以及于2018年11月8日递交的美国专利申请No.16/184,169的优先权和权益，这些申请通过引用以其整体合并于此。
本公开的各方面涉及电子组件。更具体地，本公开的某些实施方式涉及用于聚焦场雪崩光电二极管的方法和系统。
技术介绍
用于雪崩光电探测器的常规方法可能是昂贵的、麻烦的、和/或低效的，例如，它们可能是复杂和/或耗时的，和/或可能导致器件不可靠。通过将这样的系统与如在本申请的其余部分中参照附图所阐述的本公开的一些方面进行比较，对于本领域技术人员而言，常规和传统方法的进一步的限制和缺点将变得明显。
技术实现思路
提供了用于聚焦场雪崩光电二极管的系统和方法，基本上如结合至少一个附图所示和/或所描述的，如在权利要求中更完整地阐述的。根据以下描述和附图，将更充分地理解本公开的这些和其他优点、方面和新颖特征，及其所示出的实施例的细节。...

【技术保护点】
1.一种用于通信的方法，所述方法包括：/n在雪崩光电二极管中执行以下操作，所述雪崩光电二极管包括吸收层、阳极、阴极、N掺杂层、P掺杂层、以及位于所述N掺杂层和所述P掺杂层之间的倍增区域，其中，氧化物界面位于所述阳极、所述阴极、所述N掺杂层、所述P掺杂层、以及所述倍增区域的顶表面和底表面处：/n在所述吸收层中吸收接收到的光学信号以生成载流子；以及/n使用所述N掺杂层和所述P掺杂层中的掺杂分布将所述载流子引导至所述阴极的中心，所述掺杂分布在垂直于所述N掺杂层和所述P掺杂层的顶表面和底表面的方向上变化。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171128 US 62/591,303;20181108 US 16/184,1691.一种用于通信的方法，所述方法包括：
在雪崩光电二极管中执行以下操作，所述雪崩光电二极管包括吸收层、阳极、阴极、N掺杂层、P掺杂层、以及位于所述N掺杂层和所述P掺杂层之间的倍增区域，其中，氧化物界面位于所述阳极、所述阴极、所述N掺杂层、所述P掺杂层、以及所述倍增区域的顶表面和底表面处：
在所述吸收层中吸收接收到的光学信号以生成载流子；以及
使用所述N掺杂层和所述P掺杂层中的掺杂分布将所述载流子引导至所述阴极的中心，所述掺杂分布在垂直于所述N掺杂层和所述P掺杂层的顶表面和底表面的方向上变化。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述N掺杂层和所述P掺杂层中的掺杂分布在所述氧化物界面之间的中途具有峰值浓度。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述N掺杂层中的掺杂分布在所述氧化物界面之间的中途具有峰值浓度，而所述P掺杂层中的掺杂分布在所述氧化物界面之间的中途具有最小浓度。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述雪崩光电二极管包括波导光电二极管。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述吸收层包括锗，并且所述N掺杂层和所述P掺杂层包括硅。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述P掺杂层在所述倍增区域和所述吸收层之间，并且还在所述吸收层下方。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，本征或轻微掺杂层也在所述吸收层下方。


8.根据权利要求1所述的方法，包括：通过碰撞电离来倍增所述载流子，所述碰撞电离的中心在所述N掺杂层的顶表面和底表面之间。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述雪崩光电二极管位于互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯中。


10.一种用于通信的系统，所述系统包括：
雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管包括吸收层、阳极、阴极、N掺杂层、P掺杂层、以及位于所述N掺杂层和所述P掺杂层之间的倍增区域，其中，氧化物界面位于所述阳极、所述阴极、所述N掺杂层、所述P掺杂层、以及所述倍增区域的顶表面和底表面处，所述雪崩光电二...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉安洛伦佐·马西尼，卡姆扬·霍恩，苏巴尔·萨尼，阿蒂拉·梅基什，
申请(专利权)人：卢克斯特拉有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US