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本发明的实施例公开了一种热光型相位调制结构,包括:波导;设置在所述波导周围的包层;设置在所述包层与所述波导相邻一侧的相对侧的第一接触掺杂区和第二接触掺杂区;设置在第一接触掺杂区上方且与第一接触掺杂区形成电连接的第一电极;以及设置在第二接触掺...该专利属于上海硅通半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海硅通半导体技术有限公司授权不得商用。
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本发明的实施例公开了一种热光型相位调制结构,包括:波导;设置在所述波导周围的包层;设置在所述包层与所述波导相邻一侧的相对侧的第一接触掺杂区和第二接触掺杂区;设置在第一接触掺杂区上方且与第一接触掺杂区形成电连接的第一电极;以及设置在第二接触掺...