一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法技术

技术编号:21802111 阅读:70 留言:0更新日期:2019-08-07 11:16
本发明专利技术属于光电器件制备技术领域,公开了一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法。将PbCl2和PbI2作为共混溶质溶于DMF和NMF的混合溶剂中,得到混合溶液,然后旋涂于空穴传输层上获得液膜,再浸入由异丙醇和DMF组成的反溶剂中进行萃取形成中间相固态薄膜,取出后浸入清洗液中清洗、吹干;在所得薄膜上动态旋涂MAI和FAI混合溶液,退火处理即可获得钙钛矿薄膜。本发明专利技术的方法可很好地在高湿度下制备稳定的钙钛矿薄膜,这样在空气环境下就可以制备出高效率的钙钛矿太阳能电池,简化了工艺,为钙钛矿太阳能电池的实际应用奠定了技术基础。

A Method for Preparing Perovskite Films Suitable for High Humidity Environment

【技术实现步骤摘要】
一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法
本专利技术属于光电器件制备
,具体涉及一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法。
技术介绍
随着经济的飞速发展,石油、天然气、煤炭等化石能源的日益匮乏,环境污染也不断地危害着人类社会和人们的生活,人们对绿色能源的需求越加急迫。太阳能因其存储量大、绿色无污染等特征引起了研究人员的高度重视,目前晶体硅Si主导了太阳能电池板行业,但大面积制造成本仍然相对昂贵。钙钛矿由于具有非常优异的光电性能,如带隙可以在可见和红外波长范围内通过化学组成和制备工艺进行调节、直接带隙半导体、具有高的载流子迁移率和长的载流子扩散以及低缺陷态密度等优点,自2009年以来,其研究得到了广大科研人员们的广泛青睐,并在十年之内实现太阳能电池效率从3.8%到23.7%的飞速发展,其发展速度是其它材料太阳能电池所无法相比的,与传统的Si和III-V半导体太阳能电池形成了较强的市场竞争力,也使其成为了第三代太阳能电池功能材料的引领者。对钙钛矿薄膜太阳能电池而言,钙钛矿薄膜的质量直接决定了电池的性能,而薄膜质量与其形貌、结晶度等因素直接相关,由于钙钛矿薄膜的制备对条件十分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于包括如下制备步骤:(1)将PbCl2和PbI2作为共混溶质溶于DMF和NMF的混合溶剂中,得到混合溶液;(2)将步骤(1)的混合溶液旋涂于空穴传输层上获得液膜,然后浸入由异丙醇和DMF组成的反溶剂中进行萃取形成中间相固态薄膜,取出后浸入清洗液中清洗、吹干;(3)在步骤(2)的薄膜上动态旋涂MAI和FAI混合溶液,退火处理即可获得钙钛矿薄膜;所述动态旋涂是指将旋涂的转速增加至3000~6000r/min后,再滴加MAI和FAI混合溶液进行旋涂。

【技术特征摘要】
1.一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于包括如下制备步骤:(1)将PbCl2和PbI2作为共混溶质溶于DMF和NMF的混合溶剂中,得到混合溶液;(2)将步骤(1)的混合溶液旋涂于空穴传输层上获得液膜,然后浸入由异丙醇和DMF组成的反溶剂中进行萃取形成中间相固态薄膜,取出后浸入清洗液中清洗、吹干;(3)在步骤(2)的薄膜上动态旋涂MAI和FAI混合溶液,退火处理即可获得钙钛矿薄膜;所述动态旋涂是指将旋涂的转速增加至3000~6000r/min后,再滴加MAI和FAI混合溶液进行旋涂。2.根据权利要求1所述的一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述混合溶液中PbCl2的浓度为0.1~0.3mol/L,PbI2的浓度为1.28~1.49mol/L。3.根据权利要求1所述的一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述DMF与NMF的体积比为8.4:1.6~9.6:0.4。4.根据权利要求1所述的一种适用于高湿度环境下的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(2)中旋涂的转速由0加速到4000r/min·s,旋涂的加速度为800~1333r/min·s,旋涂的总时间为3~5s。5.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:马东阁赵竟成杨德志代岩峰孙倩陈江山
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:发明
国别省市:广东,44

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