一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括：一基板；形成于所述基板上的有机发光单元；形成于所述有机发光单元上的薄膜封装层；所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层，且为所述薄膜封装层的最外层结构。使得在水汽进入OLED时，第一道防线就是具有超强水汽阻挡能力的疏水有机层，从而阻隔了湿气的进一步浸入；另外，疏水有机层能够消除无机阻隔层所产生的应力，使得整体薄膜封装层的应力最小化。

A Hydrophobic Organic Film Packaged Organic Light Emitting Display Device

【技术实现步骤摘要】
一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置本申请为申请日为2013年12月18日，申请号为201310697551.3，专利技术创造名称为“一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置及其制造方法”的分案申请。
本专利技术涉及有机发光显示
，尤其涉及一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置。
技术介绍
有机发光显示器，即一般所称为的OLED显示器，由于其自身具有发光的功能，与传统的液晶显示器相比，具有更低的功耗，同时还要拥有高亮度和高响应速度，已经成为显示领域目前主流的研究对象。由于OLED显示器中起到发光功能的有机发光层，对水汽和氧气等外部环境因素十分敏感，如果将OLED显示器支架暴露在有水汽或者氧气的环境中，会使得器件性能急剧下降或者完全损坏。为了提高OLED的使用寿命和器件的稳定性，必须通过密封工艺将器件进行封装。如一种现有的有机发光二极管(OLED)显示器，采用多个阻隔层构成的封装结构来起到隔绝湿气和氧气，但是由于目前一般来说，阻隔层是由无机材料所制成的，会存在一定的问题，例如，由于各个薄膜层均采用无机材料，沉积后的薄膜存在内部应力过大，产品可靠性低；无机材料的沉积方式难以避免存在缺陷(defect)，例如微小裂纹(micro-crack)，异物的掺杂等问题从而影响封装的效果。另外的，目前还有采用聚合物/阻隔层/聚合物层/阻隔层这样的封装结构，但是由于采用的聚合物层，需要进行平坦化的处理，而且其平坦化的程度对封装的效果影响很大，使得整个制程十分复杂，且聚合物层没有隔水性能。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的是提供一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置及其制造方法和疏水有机复合材料。根据本专利技术的一个示范性的实施例，提供一种有机发光显示装置，包括：一基板；形成于所述基板上的有机发光单元；形成于所述有机发光单元上的薄膜封装层；所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层，且为所述薄膜封装层的最外层结构。根据本专利技术的一个示范性的实施例，提供一种有机发光显示装置的制造方法，包括：步骤S1：提供一基板；在所述基板上形成有机发光单元；步骤S2：形成覆盖所述有机发光单元的薄膜封装层；所述步骤S2具体包括：通过等离子增强气相化学沉积法形成至少一覆盖所述有机发光单元的疏水有机层；其中所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层，且为所述薄膜封装层的最外层结构。根据本专利技术的一个示范性的实施例，提供一种疏水有机复合材料，包括：以氟化硅烷和硅烷为前驱体，通过等离子增强气相化学沉积法(PECVD)制得的氟化的杂化聚合物有机膜；所述氟化的杂化聚合物有机膜包含以下原子百分比的元素：氟原子F，含量为10-50at％；硅原子Si，含量为1-30at％，氧原子O，含量1-30at.％；碳原子C，含量15-50at.％。根据本专利技术的一个示范性的实施例，提供一种疏水有机复合材料的制备方法，包括：反应室压强小于100Pa条件下，提供一基板，所述基板的温度低于100℃；以氟化硅烷和硅烷为前驱体，并以惰性气体为载气，其中氟化硅烷与硅烷的流量比为0.1-10；通过等离子增强气相化学沉积法(PECVD)将所述氟化硅烷和硅烷沉积在所述基板上，形成氟化的杂化聚合物有机膜；所述氟化的杂化聚合物有机膜包含以下原子百分比的元素：氟原子F，含量为10-50at％；硅原子Si，含量为1-30at％，氧原子，含量1-30at.％；碳原子，含量15-50at.％。由经上述的技术方案，与现有技术相比，本专利技术公开了一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置及其制造方法和疏水有机复合材料。该有机发光显示装置包括：一基板；形成于所述基板上的有机发光单元；形式于所述有机发光单元上的薄膜封装层；所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层，且为所述薄膜封装层的最外层结构。使得在水汽进入OLED时，第一道防线就是具有超强水汽阻挡能力的疏水有机层，从而阻隔了湿气的进一步浸入；另外，疏水有机层能够消除无机阻隔层所产生的应力，使得整体薄膜封装层的应力最小化。另外，以往工艺中的聚合物阻隔层一般会采用紫外线(UV)固化或热固化等方式形成薄膜层，而本专利技术中采用等离子增强气相化学沉积法(PECVD)方法，以硅烷和氟化硅烷作为前驱体，等离子聚合形成疏水有机层，该结构可因工艺条件而使得所含成分有所改变。因此可以轻松根据需求而调整疏水有机层性质；另外，疏水有机层含有C-F、Si-C、Si-O-Si、C-H等化学键。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为第一实施例中公开的有机发光显示装置的示意图；图2为第二实施例中公开的有机发光显示装置的示意图；图3为第二实施例中公开的又一有机发光显示装置的示意图；图4为第二实施例中公开的另一有机发光显示装置的示意图；图5为第三实施例中公开的有机发光显示装置的示意图；图6为第四实施例中公开的有机发光显示装置的制造方法的示意图；图7a-7d为第四实施例中公开的有机发光显示装置的制造方法的流程图；图8为气体在固体表面形成的液滴原理图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为了更清楚地说明本专利技术，未涉及说明的部件将从附图中省略，且相同的附图标记在全文中表示相同元件。此外，为了便于说明而随意地示出了附图所示各结构组件的尺寸和厚度，本专利技术并不限于这些图示。在附图中，为了清楚起见而放大了层、膜、面板、区域的厚度。应理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，它可直接在另一元件上，或者也可存在插入元件。相比之下，当元件被称为“直接”在另一元件“上”，不存在插入元件。本专利技术公开了一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置及其制造方法和疏水有机复合材料。该有机发光显示装置包括：一基板；形成于所述基板上的有机发光单元；形成于所述有机发光单元上的薄膜封装层；所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层，且为所述薄膜封装层的最外层结构。使得在水汽进入OLED时，第一道防线就是具有超强水汽阻挡能力的疏水有机层，从而阻隔了湿气的进一步浸入；另外，疏水有机层能够消除无机阻隔层所产生的应力，使得整体薄膜封装层的应力最小化。另外，以往工艺中的有机阻隔层一般会采用紫外线(UV)固化或热固化等方式形成薄膜层，而本专利技术中采用等离子增强气相化学沉积法(PECVD)方法，以硅烷和氟化硅烷作为前驱体，等离子聚合形成疏水有机层，该结构因工艺条件而成分有所改变。因此可以轻松根据需求而调整疏水有机层性质；疏水有机层含有C-F、Si-C、Si-O-Si、C-H等化学键。如图1所示，在本专利技术的第一实施例中公开了一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置10，包括：一基板1、有机发光单元2、薄膜封装层，其中薄膜封装层包括至少一疏水有机层3。具体来说，有机发光单元2形成于基板上1；有机发光单元2形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光显示装置，包括：一基板；形成于所述基板上的有机发光单元；形成于所述有机发光单元上的薄膜封装层；所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层和至少一无机阻隔层，且所述疏水有机层为所述薄膜封装层的最外层结构；其中所述疏水有机层的厚度大于所述无机阻隔层的厚度；所述疏水有机层为氟化的杂化聚合物有机膜；所述氟化的杂化聚合物有机膜包含以下原子百分比的元素：氟原子F，含量为10‑50at％；硅原子Si，含量为1‑30at％；氧原子O，含量1‑30at.％；碳原子C，含量15‑50at.％。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示装置，包括：一基板；形成于所述基板上的有机发光单元；形成于所述有机发光单元上的薄膜封装层；所述薄膜封装层包括至少一疏水有机层和至少一无机阻隔层，且所述疏水有机层为所述薄膜封装层的最外层结构；其中所述疏水有机层的厚度大于所述无机阻隔层的厚度；所述疏水有机层为氟化的杂化聚合物有机膜；所述氟化的杂化聚合物有机膜包含以下原子百分比的元素：氟原子F，含量为10-50at％；硅原子Si，含量为1-30at％；氧原子O，含量1-30at.％；碳原子C，含量15-50at.％。2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层含有C-F、Si-C、Si-O-Si、C-H化学键。3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层由包括氟化硅烷和硅烷的前驱体形成。4.如权利要求3所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述疏水有机层由包括十七氟癸基三甲氧基硅烷和四甲基硅烷的前驱体...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢再锋，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31