显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括显示区，显示区包括透明显示区和围绕所述透明显示区的非透明显示区；在所述显示区，所述显示面板还包括阵列基板；以及第一电极，设置在所述阵列基板上；其中所述透明显示区的第一电极的厚度小于所述非透明显示区的第一电极的厚度，所述透明显示区的第一电极的透光率大于或等于70％。本发明专利技术的显示面板、显示装置，有效的增加了透明显示区的透光率；本发明专利技术的显示面板制备方法，步骤简单，而且能够减少使用光罩的次数和光罩数量，有效的提高了生产效率。

Display panel, its preparation method and display device

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示器等领域，具体为一种显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode)由于其重量轻，自发光，广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛，尤其是柔性OLED显示装置具有可弯折易携带的特点，成为显示
研究和开发的主要领域。全面屏是OLED显示技术开发的目标之一，屏下摄像头技术可以在现有技术水平上进一步提升屏占比，达到完美的全面屏设计。当前，屏下摄像头技术主要为通孔、盲孔结构，通孔设计的外观效果差、信赖性低，且无法达到完美的全面屏设计。盲孔结构同样摄像头区域无法显示，无法做到真正的全面屏。
技术实现思路
为解决上述技术问题：本专利技术提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，通过改变透明显示区的电极结构，以提高透明显示区的透光率，达到提高屏占比。解决上述问题的技术方案是：本专利技术提供一种显示面板，包括显示区，所述显示区包括透明显示区和围绕所述透明显示区的非透明显示区；在所述显示区，所述显示面板还包括阵列基板；以及第一电极，设置在所述阵列基板上；其中所述透明显示区的第一电极的厚度小于所述非透明显示区的第一电极的厚度，所述透明显示区的第一电极的透光率大于或等于70％。在本专利技术一实施例中，所述第一电极包括第一透明导电氧化物层；所述第一透明导电氧化物层的厚度在30A-1500A之间。在本专利技术一实施例中，在所述非透明显示区，所述第一电极包括第二透明导电氧化物层，与所述第一透明导电氧化物层同层设置于所述阵列基板上；金属反射层，设于所述第二透明导电氧化物层上，所述金属反射层的反射率大于或等于70％；第三透明导电氧化物层，设于所述金属反射层上。在本专利技术一实施例中，所述阵列基板包括基层结构，为透明结构；以及薄膜晶体管结构层，设于所述基层结构上；所述第一电极设于所述薄膜晶体管结构层上。在本专利技术一实施例中，所述透明显示区中的像素密度小于所述非透明显示区的像素密度；或者，单位面积内透明显示区中的所述薄膜晶体管的密度小于非透明显示区中的所述薄膜晶体管的密度。在本专利技术一实施例中，所述基层结构包括第一柔性层，其材料为透明聚酰亚胺材料；第一缓冲层，设于所述第一柔性层上；第二柔性层，设于所述第一缓冲层上，所述第二柔性层所用材料为透明聚酰亚胺材料；第二缓冲层，设于所述第二柔性层上，所述薄膜晶体管结构层设于所述第二缓冲层上。本专利技术还提供了一种所述的显示面板的制备方法，包括以下步骤：提供一阵列基板；在透明显示区和非透明显示区，形成第一电极于阵列基板上，其中所述透明显示区的第一电极的厚度小于所述非透明显示区的第一电极的厚度，所述透明显示区的第一电极的透光率大于或等于70％。在本专利技术一实施例中，形成第一电极步骤中，包括在透明显示区和非透明显示区，沉积透明导电氧化物形成第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层，并对第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层进行蚀刻形成相应图案；在所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层上，形成金属反射层；在所述金属反射层上，沉积透明导电氧化物形成第三透明导电氧化物层；在所述透明显示区，蚀刻去除所述第三透明导电氧化物层和所述金属反射层；在所述非透明显示区，蚀刻所述第三透明导电氧化物层和所述金属反射层，形成相应图案。在本专利技术一实施例中，形成第一电极步骤中，包括在透明显示区和非透明显示区，分别沉积透明导电氧化物形成第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层，在所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层上，形成金属反射层；在所述金属反射层上，沉积透明导电氧化物形成第三透明导电氧化物层；在第三透明导电氧化物层上涂布光阻材料，其中，所述透明显示区的光阻材料的厚度小于所述非透明显示区的厚度；采用半曝光工艺，对未涂覆光阻材料的区域进行蚀刻并形成相应图案；表面处理去除透明显示区光阻材料，对无光阻材料的区域进行蚀刻在透明显示区形成具有所述第一透明导电氧化物层的第一电极；在非透明显示区所述第二透明导电氧化物层、所述金属反射层和所述第三透明导电氧化物层的第一电极。本专利技术还提供了一种显示装置，包括所述的显示面板；以及摄像头，设于所述阵列基板下方，且对应于所述透明显示区。本专利技术的有益效果是：本专利技术的显示面板、显示装置，通过在透明显示区和非透明显示区设置不同后的第一电极(阳极)，使得透明显示区中的第一电极的厚度小于非透明显示区的第一电极的厚度，同时采用透明材料作为透明显示区的第一电极的所用材料，使得透光率大于或等于70％，有效的增加了透明显示区的透光率，其基层结构为透明结构，进一步增加了透明显示区的透光率；本专利技术的显示面板制备方法，步骤简单，而且能够减少使用光罩的次数和光罩数量，有效的提高了生产效率。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步解释。图1是本专利技术实施例的显示面板的结构示意图。图2是本专利技术实施例的显示装置的结构示意图，主要体现摄像头与显示面板的位置关系。附图标记:1显示面板；2摄像头；1000显示装置；100显示区；101透明显示区；102非透明显示区；10基层结构；20薄膜晶体管结构层；30第一电极；40像素限定层；11第一柔性层；12第一缓冲层；13第二柔性层；14第二缓冲层；21有源层；22第一栅极绝缘层；23第一栅极；24第二栅极绝缘层；25第二栅极；26层间介质层；27源漏极走线；28平坦化层；31第一透明导电氧化物层；32第二透明导电氧化物层；33金属反射层；34第三透明导电氧化物层；41开槽。具体实施方式以下结合说明书附图详细说明本专利技术的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本专利技术的
技术实现思路
，以举例证明本专利技术可以实施，使得本专利技术公开的
技术实现思路
更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本专利技术。然而本专利技术可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本专利技术的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本专利技术的范围。以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。如图1所示，在一实施例中，本专利技术的显示面板1包括显示区100。所述显示区100包括透明显示区101和围绕所述透明显示区101的非透明显示区102。在所述显示区100，所述显示面板1还包括阵列基板、第一电极30以及像素限定层40。在所述显示区100，所述阵列基板包括基层结构10以及薄膜晶体管结构层20。所述基层结构10设置为透明结构，此有利于增加所述透明显示区101的透光率。具体的，所述基层结构10包括第一柔性层11、第一缓冲层12、第二柔性层13、第二缓冲层14，所述第一柔性层11和所述第二柔性层13的所用材料为透明聚酰亚胺材料；所述第一缓冲层12设于所述第一柔性层11上；所述第二柔性层13设于所述第一缓冲层12上。所述第二缓冲层14设于所述第二柔性层13上，所述薄膜晶体管结构层20设于所述第二缓冲层14上。所述薄膜晶体管结构层20包括有源层21、第一栅极绝缘层22、第一栅极23、第二栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区，所述显示区包括透明显示区和围绕所述透明显示区的非透明显示区；在所述显示区，所述显示面板还包括阵列基板；以及第一电极，设置在所述阵列基板上；其中所述透明显示区的第一电极的厚度小于所述非透明显示区的第一电极的厚度，所述透明显示区的第一电极的透光率大于或等于70％。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区，所述显示区包括透明显示区和围绕所述透明显示区的非透明显示区；在所述显示区，所述显示面板还包括阵列基板；以及第一电极，设置在所述阵列基板上；其中所述透明显示区的第一电极的厚度小于所述非透明显示区的第一电极的厚度，所述透明显示区的第一电极的透光率大于或等于70％。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述透明显示区，所述第一电极包括第一透明导电氧化物层；所述第一透明导电氧化物层的厚度在30A-1500A之间。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述非透明显示区，所述第一电极包括第二透明导电氧化物层，与所述第一透明导电氧化物层同层设置于所述阵列基板上；金属反射层，设于所述第二透明导电氧化物层上，所述金属反射层的可见光波段反射率大于或等于70％；第三透明导电氧化物层，设于所述金属反射层上。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括基层结构，为透明结构；以及薄膜晶体管结构层，设于所述基层结构上；所述第一电极设于所述薄膜晶体管结构层上。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述透明显示区中的像素密度小于所述非透明显示区的像素密度；或者，单位面积内透明显示区中的所述薄膜晶体管的密度小于非透明显示区中的所述薄膜晶体管的密度。6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述基层结构包括第一柔性层，其材料为透明聚酰亚胺材料；第一缓冲层，设于所述第一柔性层上；第二柔性层，设于所述第一缓冲层上，所述第二柔性层所用材料为透明聚酰亚胺材料；第二缓冲层，设于所述第二柔性层上，所述薄膜晶体管结构层设于所述第二缓冲层上。7.一种如权利要求1-6中任意一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一阵列基板；在透...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨薇薇，陈诚，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42