光源模块制造技术

本发明专利技术涉及一种光源模块，包括发光二极管晶粒、承载基板以及封装层。发光二极管晶粒可输出光束，承载基板电性连接于发光二极管晶粒且承载该发光二极管晶粒。其中，承载基板可反射投射至承载基板的光束，使光束穿过发光二极管晶粒而往外投射。封装层包覆发光二极管晶粒以及部分承载基板，以保护发光二极管晶粒；其中，光束可因应封装层的形状，而产生对应于封装层的光束的光形。

Light source module

【技术实现步骤摘要】
光源模块
本专利技术涉及一种光源模块，尤其涉及高发光效率的光源模块。
技术介绍
常见的光源是利用发光二极管(LightEmittingDiode，LED)来产生光束，其发光原理为，于III-V族半导体材料，例如：氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)等材料上施加电流，利用电子与空穴的互相结合，使多余的能量于多层量子井(MultipleQuantumWell，MQW)的处以光子的形式释放出来，成为我们眼中所见的光束。接下来说明现有发光二极管晶粒的结构。请参阅图1，其为现有发光二极管晶粒的结构剖面示意图。图1中显示出现有发光二极管晶粒1为多层堆叠的结构，其包括基板11、P极披覆层12、多层量子井13、N极披覆层14、导电薄膜层(ITO)15、分别设置于发光二极管晶粒1的其上表面上的具有P极接点16以及N极接点17，而P极接点16以及N极接点17可供进行打线程序(此将于稍后说明)，而多层量子井13设置于该多层堆叠的结构之中。由于前述已提到发光二极管晶粒1是由多层量子井13出光，因此从多层量子井13向上方输出的光束势必被位于多层量子井13上方的P极披覆层12、导电薄膜层15、P极接点16以及N极接点17所遮挡而耗损，进而显著影响整体向上出光的发光效率。换句话说，传统发光二极管晶粒1的整体发光亮度大部分只能依赖从多层量子井13向侧边出光的光线部分，导致发光效率不佳。因此，传统发光二极管晶粒1的发光效率仍有改善的空间。请参阅图2，其为应用现有发光二极管晶粒的光源模块的结构剖面示意图。光源模块2包括有电路板21以及设置于电路板21上的多个发光二极管22(为了清楚表示，图2仅绘出单一个发光二极管22)，且每一发光二极管22是电性连接于电路板21，故可接收来自电路板21的电流而输出光束。其中，光源模块可被设置于电子装置(未显示于图中)内，令电子装置可提供输出光束的功能。一般而言，光源模块可分为下列二种：第一，电路板21仅负责有关发光二极管22的电路运行，而电子装置所主要提供的电子功能的相关电子信号处理则通过另一电路板进行。第二、电路板21能够负责有关发光二极管22的电路运行，亦能够对有关于电子装置所主要提供的电子功能的相关电子信号进行处理。光源模块2中，每一发光二极管22皆为单一个现有发光二极管晶粒1被封装后所形成者，且发光二极管晶粒1的P极接点16以及N极接点17是经由打线18而连接至电路板21的电性引脚211，借此发光二极管22才能接收来自电路板21的电流。然而，于发光二极管晶粒1的封装过程中，发光二极管晶粒1通常要被设置于一载板19上，但载板19所占据的体积以及预留打线18所需的高度皆是发光二极管晶粒1被封装后的整体厚度会增加的主因，故应用传统发光二极管晶粒1的光源模块十分不利于超薄化，当然，亦不利于欲设置该光源模块的电子装置朝轻、薄、短小的方向发展。随着科技的发展与生活品质的提升，使用者或制造商对于光源模块所能提供的功能有更多的诉求，举例来说，使用者或制造商希望光源模块所输出的光束不仅是用来照明，而有更多的应用的可能性。因此可采用以下作法：现有光源模块中，于发光二极管22所输出的光束的路径上设置有光学结构23(例如为掩模)，其可对发光二极管22所输出的光束进行二次光学处理，如混光、导光、绕射、折射等，以令穿过光学结构23的光束具有特定的光学效果。然而，前述已提到，基于传统发光二极管晶粒1的组成与封装，光源模块原本就已不利于超薄化，若又为了再增加光学效果而增设光学结构23，将使得光源模块的超薄化更为不易。除此之外，光源模块的制造商通常与发光二极管22的制造商不同，因此光源模块的制造商常委托发光二极管22的制造商制造发光二极管22并提出需求的光学规格，光源模块的制造商于获得发光二极管22的制造商所提供的发光二极管22(发光二极管晶粒1被封装后所形成者)后，再通过打线等程序将发光二极管22与电路板21相结合。然而，于光源模块的制造商委外制造发光二极管22的过程中，由于每一发光二极管22的工艺材料略有差异，用来封装发光二极管22的每一封装材料亦略有差异，两者加乘之下，造成不同的现有发光二极管22之间存在着明显的色差。根据以上的说明可知，应用现有发光二极管的光源模块具有改善的空间。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可降低厚度且可提升发光效率的光源模块。于一优选实施例中，本专利技术亦提供一种光源模块，包括一发光二极管晶粒、一承载基板以及一封装层。该发光二极管晶粒用以输出一光束。该承载基板电性连接于该发光二极管晶粒且承载该发光二极管晶粒。其中，该承载基板可反射投射至该承载基板的该光束，使该光束穿过该发光二极管晶粒而往外投射。该封装层包覆该发光二极管晶粒以及部分该承载基板，用以保护该发光二极管晶粒；其中，该光束可因应该封装层的形状，而产生相对应的该光束的光形。于一优选实施例中，该发光二极管晶粒包括一基板、一第一披覆层、一第二披覆层以及一发光层。该第一披覆层设置于该基板的一下表面上，用以供一第一电流通过，而该第二披覆层位于该第一披覆层的下方，用以供一第二电流通过。该发光层设置于该第一披覆层以及该第二披覆层之间，用以因应该第一电流以及该第二电流而产生一光束，且该光束穿过该基板而往外投射。于一优选实施例中，该承载基板包括一电路板、一第一金属连结层、一第二金属连结层以及一保护层。该第一金属连结层设置于该电路板的一上表面上，而该第二金属连结层设置于该第一金属连结层上，可与该第一金属连结层结合且反射该光束。该保护层设置于该第二金属连结层上，用以保护该电路板、该第一金属连结层以及该第二金属连结层；其中，该保护层可反射投射至该承载基板的该光束，使该光束穿过该基板而往外投射。附图说明图1是现有发光二极管晶粒的结构的剖面示意图。图2是应用现有发光二极管晶粒的光源模块的结构的剖面示意图。图3是本专利技术光源模块于第一优选实施例中的结构的示意图。图4是本专利技术光源模块的发光层于第一优选实施例中的结构的俯视图。图5是本专利技术光源模块于第一优选实施例中的局部结构的仰视图。图6是本专利技术光源模块于第二优选实施例中的结构的示意图。图7是本专利技术光源模块于第三优选实施例中的结构的示意图。图8是本专利技术光源模块于第四优选实施例中被封装后的结构的示意图。图9是本专利技术光源模块于第五优选实施例中被封装后的结构的示意图。图10是本专利技术光源模块于第六优选实施例中被封装后的结构的示意图。图11是本专利技术光源模块于第七优选实施例中被封装后的结构的示意图。图12是本专利技术光源模块于第八优选实施例中被封装后的结构的示意图。图13是本专利技术光源模块于第九优选实施例中被封装后的结构的示意图。附图标记说明：1、30、40、50、60、72A、72B、72C、72D、72E发光二极管晶粒2、3、4、5、6、7A、7B、7C、7D、7E光源模块11、31、41、51基板11P极披覆层13多层量子井14N极披覆层15导电薄膜层16P极接点17N极接点18打线19载板22发光二极管23光学结构32、42、52第一披覆层33、43、53第二披覆层34、44、54发光层35、45、55、65、71A、71B、71C、71D、71E承载基板36、46、56第一保护层47反射层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光源模块，包括：一发光二极管晶粒，用以输出一光束；一承载基板，电性连接于该发光二极管晶粒且承载该发光二极管晶粒；其中，该承载基板可反射投射至该承载基板的该光束，使该光束穿过该发光二极管晶粒而往外投射；以及一封装层，包覆该发光二极管晶粒以及部分该承载基板，用以保护该发光二极管晶粒；其中，该光束可因应该封装层的形状，而产生相对应的该光束的光形。

【技术特征摘要】
2018.01.25 US 62/621,9181.一种光源模块，包括：一发光二极管晶粒，用以输出一光束；一承载基板，电性连接于该发光二极管晶粒且承载该发光二极管晶粒；其中，该承载基板可反射投射至该承载基板的该光束，使该光束穿过该发光二极管晶粒而往外投射；以及一封装层，包覆该发光二极管晶粒以及部分该承载基板，用以保护该发光二极管晶粒；其中，该光束可因应该封装层的形状，而产生相对应的该光束的光形。2.如权利要求1所述的光源模块，其中，该发光二极管晶粒包括：一基板；一第一披覆层，设置于该基板的一下表面上且电性连接于该承载基板，用以供一第一电流通过；一第二披覆层，位于该第一披覆层的下方且电性连接于该承载基板，用以供一第二电流通过；以及一发光层，设置于该第一披覆层以及该第二披覆层之间，用以因应该第一电流以及该第二电流而产生该光束，且该光束穿过该基板而往外投射。3.如权利要求2所述的光源模块，其中，该承载基板包括：一电路板；一第一金属连结层，设置于该电路板之一上表面上；一第二金属连结层，设置于该第一金属连结层上，可与该第一金属连结层结合且反射该光束；以及一保护层，设置于该第二金属连结层上，用以保护该电路板、该第一金属连结层以及该第二金属连结层；其中，该保护层可反射投射至该承载基板的该光束，使该光束穿过该基板而往外投射。4.如权利要求3所述的光源模块，其中，该第一披覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈仲渊，
申请(专利权)人：致伸科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71