氮化硅粉末、多晶硅铸锭用脱模剂及多晶硅铸锭的制造方法技术

技术编号:21720630 阅读:79 留言:0更新日期:2019-07-27 22:16
本发明专利技术的目的在于提供一种氮化硅粉末,其能适宜地用作多晶硅铸锭的脱模剂,所述脱模剂即使在升高单向凝固时的硅的熔融温度时、或者增加硅的熔融时间时,多晶硅铸锭的脱模性也良好。提供一种氮化硅粉末,其特征在于,比表面积0.4m

Mold Removal Agent for Silicon Nitride Powder, Polycrystalline Silicon Ingot and Manufacturing Method of Polycrystalline Silicon Ingot

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化硅粉末、多晶硅铸锭用脱模剂及多晶硅铸锭的制造方法
本专利技术涉及能够在铸模中形成与铸模的密合性和脱模性良好的脱模层的氮化硅粉末,尤其是涉及适宜作为多晶硅铸锭的脱模剂的氮化硅粉末。
技术介绍
太阳能电池中使用的多晶硅基板通常由使用立式布里兹曼炉使熔融硅单向凝固而制造的多晶硅铸锭来获得。多晶硅基板要求高性能化和低成本化,为了应对该要求,抑制熔融硅的单向凝固时杂质向多晶硅铸锭中的混入和提高多晶硅铸锭的成品率是很重要的。在利用立式布里兹曼法的熔融硅的单向凝固中,使用石英制等的铸模,为了提高多晶硅铸锭的成品率,铸模要求多晶硅铸锭的脱模性良好,通常使用内壁(与熔融硅接触的面)涂布有包含氮化硅粉末的脱模剂的铸模。立式布里兹曼炉在其构造上,热从铸模底面向下方逃逸,因此,铸模在上下方向会产生大的温度梯度,铸模上部的温度相对变高。近年来,面向太阳能电池基板的多晶硅铸锭越来越倾向于大型化,升高温度直至铸模底部的硅(熔点:1414℃)充分熔融时,有时会因布里兹曼炉的构造而使铸模上部的温度变为1500℃以上这样的高温。这种情况下,有时会产生如下的问题:在温度高的铸模上部,多晶硅铸锭的脱模性变差,或脱模层自本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硅粉末,其特征在于,通过BET法测定的比表面积为0.4m

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.12 JP 2016-2407501.一种氮化硅粉末,其特征在于,通过BET法测定的比表面积为0.4m2/g以上且5m2/g以下,β型氮化硅的比例为70质量%以上,将通过激光衍射散射法测定的体积基准的50%粒径设为D50、将90%粒径设为D90时,D50为2μm以上且20μm以下,D90为8μm以上且60μm以下,Fe的含有比例为100ppm以下,Al的含有比例为100ppm以下,除Fe及Al以外的金属杂质的含有比例合计为100ppm以下,将使用Williamson-Hall式由β型氮化硅的粉末X射线衍射图案算出的β型氮化硅的微晶直径设为DC时,DC为300nm以上。2.根据权利要求1所述的氮化硅粉末,其特征在于,使用Williamson-Hall式由β型氮化硅的粉末X射线衍射图案算出的β型氮化硅的结晶应变为0.8×10-4以下。3.根据权利要求1或2所述的氮化硅粉末,其特征在于,将由所述比表面积算出的比表面积当量直径设为DBET时,DBET/DC(nm/nm)为...

【专利技术属性】
技术研发人员:王丸卓司柴田耕司山尾猛山田哲夫
申请(专利权)人:宇部兴产株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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