一种用于探测半导体材料X射线性能的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于探测半导体材料X射线性能的装置，该装置包括暗箱和静电计，暗箱内设有电磁屏蔽盒，电磁屏蔽盒上方设有开口，开口上方设有X射线光源，电磁屏蔽盒内设有PCB板，PCB板上设有第一导电胶、第二导电胶、第一针脚和第二针脚，第一导电胶和第二导电胶用于分别与样品的上下表面粘合，第一导电胶与第一针脚电连接，第二导电胶与第二针脚电连接，第一针脚与静电计的高压输入口连接，第二针脚与静电计的信号输入口连接。本发明专利技术结构简单，操作方便，能够很好地实现静电屏蔽，减少外界环境对探测的干扰，大大降低了测试成本。同时，各部件之间连接稳定，能够准确测量到样品的弱电流，进而得到样品的X射线性能。

A Device for Detecting X-ray Properties of Semiconductor Materials

【技术实现步骤摘要】
一种用于探测半导体材料X射线性能的装置
本专利技术涉及一种半导体材料性能探测
，特别涉及一种探测半导体材料X射线性能的装置。
技术介绍
半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。半导体材料能够直接吸收放射性射线，通过光电效应、康普顿散射、电子对产生三种作用方式产生电子-空穴对，它们在外加电场中运动产生探测器的基本电信号，通过对产生的电信号进行采集，即可得到材料相应的开关比，计算材料探测的灵敏度，计算材料的μτ积。但是由于辐射探测需要电流级别很低，产生的弱电流探测极易受外界环境等因素干扰，从而影响探测的准确性。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术目的在于提供一种结构简单，不受外界环境干扰，可以准确探测半导体材料X射线性能的装置。其采用如下技术方案：一种用于探测半导体材料X射线性能的装置，其包括暗箱和静电计，所述暗箱内设有电磁屏蔽盒，所述电磁屏蔽盒上方设有开口，所述开口上方设有X射线光源，所述电磁屏蔽盒内设有PCB板，所述PCB板上设有第一导电胶、第二导电胶、第一针脚和第二针脚，所述第一导电胶和第二导电胶用于分别与样品的上下表面粘合，所述第一导电胶与第一针脚电连接，所述第二导电胶与第二针脚电连接，所述第一针脚与所述静电计的高压输入口连接，所述第二针脚与所述静电计的信号输入口连接。作为本专利技术的进一步改进，所述第一针脚或第二针脚还与所述静电计的地线输入口连接。作为本专利技术的进一步改进，所述PCB板上镀有导电金属层，所述导电金属层与第二导电胶相接触，所述第二针脚与导电金属层电连接。作为本专利技术的进一步改进，所述暗箱内还设有承载台，所述电磁屏蔽盒设于所述承载台上。作为本专利技术的进一步改进，所述承载台为可升降承载台。作为本专利技术的进一步改进，所述第一针脚通过同轴电缆与所述静电计的高压输入口连接，所述第二针脚通过同轴电缆与所述静电计的信号输入口连接。作为本专利技术的进一步改进，所述电磁屏蔽盒内设有第一IC插座，所述第一针脚与第一IC插座连接，所述第一IC插座上设有第一BNC连接器，所述第一BNC连接器通过同轴电缆与静电计的高压输入口连接，所述电磁屏蔽盒内设有第二IC插座，所述第二针脚与第二IC插座连接，所述第二IC插座上设有第二BNC连接器，所述第二BNC连接器通过同轴电缆与静电计的信号输入口连接。作为本专利技术的进一步改进，还包括控制面板，所述控制面板设于暗箱外壁，所述控制面板与X射线光源连接。作为本专利技术的进一步改进，所述静电计为高阻静电计。本专利技术的有益效果：本专利技术的用于探测半导体材料X射线性能的装置结构简单，操作方便，能够很好地实现静电屏蔽，减少外界环境对探测的干扰，大大降低了测试成本。同时，各部件之间连接稳定，接触好，能够准确测量到样品的弱电流，进而得到样品的X射线性能，探测精度高。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图1是本专利技术实施例中用于探测半导体材料X射线性能的装置的结构示意图。标记说明：10、暗箱；20、静电计；21、高压输入口；22、信号输入口；23、地线输入口；30、X射线光源；31、控制面板；40、承载台；50、电磁屏蔽盒；51、PCB板；52、第一导电胶；53、第二导电胶；54、导电金属层；55、第一针脚；56、第二针脚；60、样品；70、计算机。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本专利技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本专利技术的限定。基于材料的光电响应，在X射线的照射下，半导体材料里就会产生电子和空穴。再外加电场的作用下，电子和空穴就会实现分离。在电场回路中电子和空穴就会实现定向迁移，从而产生电流信号。如图1所示，为本专利技术实施例中用于探测半导体材料X射线性能的装置，该装置包括暗箱10和静电计20。在本实施例中，静电计20为高阻静电计，优选为KEIFHLEY6517B高阻静电计，静电计20上设有高压输入口21、信号输入口22和地线输入口23。暗箱10内设有电磁屏蔽盒50，电磁屏蔽盒50上方设有开口，开口上方设有X射线光源30，电磁屏蔽盒50内设有PCB板51，PCB板51上设有第一导电胶52、第二导电胶53、第一针脚55和第二针脚56，第一导电胶52和第二导电胶53用于分别与样品60的上下表面粘合，第一导电胶52与第一针脚55电连接，第二导电胶53与第二针脚56连接，第一针脚55与静电计20的高压输入口21连接，第二针脚56与静电计20的信号输入口22连接。优选的，X射线光源30设于样品60的正上方，确保样品60能够得到最大的照射。样品60为半导体材料。在本实施例中，该装置还包括控制面板31，控制面板31设于暗箱10外壁，控制面板31与X射线光源30连接。用于通过调节X射线光源30的管电流和管电压来控制X射线剂量率。在本实施例中，第一针脚55通过同轴电缆与静电计20的高压输入口21连接，第二针脚56通过同轴电缆与静电计20的信号输入口22连接。优选的，电磁屏蔽盒50内设有第一IC插座，第一针脚55与第一IC插座连接，第一IC插座上设有第一BNC连接器，第一BNC连接器通过同轴电缆与静电计20的高压输入口21连接，电磁屏蔽盒50内设有第二IC插座，第二针脚56与第二IC插座连接，第二IC插座上设有第二BNC连接器，第二BNC连接器通过同轴电缆与静电计20的信号输入口22连接。在本实施例中，PCB板51上镀有导电金属层54，导电金属层54与第二导电胶53相接触，第二针脚56与导电金属层54电连接。导电金属层54使连接更加稳定。在本实施例中，第一针脚55或第二针脚56还与静电计20的地线输入口23连接。用于进行安全防护。在本实施例中，暗箱10内还设有承载台40，电磁屏蔽盒50设于承载台50上。优选的，承载台40为可升降承载台。通过调节承载台40可以得到最适宜的辐照率位置。在本实施例中，X射线光源30为连续X射线光源或脉冲X射线光源。通过高压输入口21向样品60输入高压，并通过信号输入口22采集样品60产生的电流信号，通过将静电计20与计算机70连接，计算机70通过电流信号即可计算得到样品相应的开关比，计算样品的μτ积等参数，从而得到样品的X射线性能。本专利技术的用于探测半导体材料X射线性能的装置结构简单，操作方便，能够很好地实现静电屏蔽，减少外界环境对探测的干扰，大大降低了测试成本。同时，各部件之间连接稳定，接触好，能够准确测量到样品的弱电流，进而得到样品的X射线性能，探测精度高。以上实施例仅是为充分说明本专利技术而所举的较佳的实施例，本专利技术的保护范围不限于此。本
的技术人员在本专利技术基础上所作的等同替代或变换，均在本专利技术的保护范围之内。本专利技术的保护范围以权利要求书为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于探测半导体材料X射线性能的装置，其特征在于，包括暗箱和静电计，所述暗箱内设有电磁屏蔽盒，所述电磁屏蔽盒上方设有开口，所述开口上方设有X射线光源，所述电磁屏蔽盒内设有PCB板，所述PCB板上设有第一导电胶、第二导电胶、第一针脚和第二针脚，所述第一导电胶和第二导电胶用于分别与样品的上下表面粘合，所述第一导电胶与第一针脚电连接，所述第二导电胶与第二针脚电连接，所述第一针脚与所述静电计的高压输入口连接，所述第二针脚与所述静电计的信号输入口连接。

【技术特征摘要】
1.一种用于探测半导体材料X射线性能的装置，其特征在于，包括暗箱和静电计，所述暗箱内设有电磁屏蔽盒，所述电磁屏蔽盒上方设有开口，所述开口上方设有X射线光源，所述电磁屏蔽盒内设有PCB板，所述PCB板上设有第一导电胶、第二导电胶、第一针脚和第二针脚，所述第一导电胶和第二导电胶用于分别与样品的上下表面粘合，所述第一导电胶与第一针脚电连接，所述第二导电胶与第二针脚电连接，所述第一针脚与所述静电计的高压输入口连接，所述第二针脚与所述静电计的信号输入口连接。2.如权利要求1所述的用于探测半导体材料X射线性能的装置，其特征在于，所述第一针脚或第二针脚还与所述静电计的地线输入口连接。3.如权利要求1所述的用于探测半导体材料X射线性能的装置，其特征在于，所述PCB板上镀有导电金属层，所述导电金属层与第二导电胶相接触，所述第二针脚与导电金属层电连接。4.如权利要求1所述的用于探测半导体材料X射线性能的装置，其特征在于，所述暗箱内还设有承载台，所述电磁屏蔽盒设于所述承载台上。5.如权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王殳凹，陈兰花，梁城瑜，翟富万，程丽葳，王亚星，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32