一种Ku波段波导双级魔T功率分配/合成器制造技术

技术编号:21696970 阅读:30 留言:0更新日期:2019-07-24 18:57
本实用新型专利技术公开了一种Ku波段波导双级魔T功率分配/合成器,属于雷达技术领域,包括从左至右依次设置的3个波导魔T功分器,每一个波导魔T功分器均设有两个输入端、一个H面输出端和一个E面输出端,解决了Ku波段低小慢目标探测雷达200W功率放大器的末级功率合成的技术问题,本实用新型专利技术在工作频段(15~15.5GHz)内,输入端口自动匹配,反射系数≤‑20dB,输入端口隔离度≥20dB,E面和H面输出端口反射系数≤‑20dB,E面和H面输出端口隔离度≥50dB,插入损耗≤0.1dB。

A Ku-band waveguide two-stage magic T power divider/synthesizer

【技术实现步骤摘要】
一种Ku波段波导双级魔T功率分配/合成器
本技术属于雷达
,特别涉及一种Ku波段波导双级魔T功率分配/合成器。
技术介绍
微波频段功率合成技术在通讯、雷达等领域有着广泛的应用,在大功率合成领域主要采用的是电路级的功率合成技术,其主要分为谐振式和非谐振式功率合成。谐振式功率合成主要采用谐振腔来实现功率的合成叠加,其工作带宽窄,容易产生高次模,主要应用于毫米波频段窄带情况。非谐振式功率合成技术包括二进制合成、链式合成、空间功率合成,在百瓦级功率合成领域,主要采用波导空间合成技术,常用的波导T型结功分器两个输入端口的隔离度较小,且两输入端口间的平衡电阻不好加载,用于大功率和成时,如果输入功率不平衡,容易造成平衡电阻烧毁等故障,如果是多级合成,端口隔离度的问题则更加突出。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种Ku波段波导双级魔T功率分配/合成器,解决了Ku波段低小慢目标探测雷达200W功率放大器的末级功率合成的技术问题。为实现上述目的,本技术采用以下技术方案:一种Ku波段波导双级魔T功率分配/合成器,包括从左至右依次设置的3个波导魔T功分器,每一个波导魔T功分器均设有两个输入端、一个H面输出端和一个E面输出端;设定该3个波导魔T功分器分别为第一魔T功分器、第二魔T功分器和第三魔T功分器,第一魔T功分器的H面输出连接第二魔T功分器的一个输入端,第二魔T功分器的另一个输入端连接第三魔T功分器的H面输出端;第一魔T功分器的两个输入端和第三魔T功分器的两个输入端构成了4个输入接口;第一魔T功分器的E面输出端和第三魔T功分器的E面输出端构成了两个输入级E面输出端口;第二魔T功分器的H面输出端为末级H面输出端口,第二魔T功分器的E面输出端为末级E面输出端口;每一个波导魔T功分器内均设有一个金属锥台圆杆组合体,金属锥台圆杆组合体包括一个金属锥台,金属锥台上固设有一个圆杆,圆杆的顶端与波导魔T功分器螺纹连接。优选的,所有所述输入接口、所有所述输入级E面输出端口、所述末级E面输出端口和所述末级H面输出端口均通过BJ-180标准波导法兰盘与其他BJ-180-波导器件进行连接。优选的,所有所述输入级E面输出端口均连接波导匹配负载。优选的,通过调节所述金属锥台圆杆组合体的尺寸大小以及两级魔T之间连接波导段的尺寸大小来调节H面输出端口的匹配度以及其和E面输出端口的隔离度。本技术所述的一种Ku波段波导双级魔T功率分配/合成器,解决了Ku波段低小慢目标探测雷达200W功率放大器的末级功率合成的技术问题,本技术在工作频段(15~15.5GHz)内,输入端口自动匹配,反射系数≤-20dB,输入端口隔离度≥20dB,E面和H面输出端口反射系数≤-20dB,E面和H面输出端口隔离度≥50dB,插入损耗≤0.1dB。附图说明图1是本技术的结构示意图;图2是本技术的内空气腔透视图;图3是本技术的金属锥台圆杆组合体的结构示意图;图4是本技术的上盖板加工件结构示意图;图5是本技术的下腔体加工件结构示意图;图中:输入端1、第一魔T功分器的E面输出端2、上盖板3、第二魔T功分器的E面输出端4、输入端5、第三魔T功分器的E面输出端6、输入端7、第二魔T功分器的H面输出端8、下腔体9、输入端10、金属锥台圆杆组合体12、金属锥台13、圆杆14。具体实施方式如图1-图5所示的一种Ku波段波导双级魔T功率分配/合成器,包括从左至右依次设置的3个波导魔T功分器,每一个波导魔T功分器均设有两个输入端、一个H面输出端和一个E面输出端;设定该3个波导魔T功分器分别为第一魔T功分器、第二魔T功分器和第三魔T功分器,第一魔T功分器的H面输出连接第二魔T功分器的一个输入端,第二魔T功分器的另一个输入端连接第三魔T功分器的H面输出端;本技术采用两级共三个波导魔T功分器级联而成,通过波导腔体内部的金属锥台13、圆杆14构件以及两级魔T之间连接波导段来调节H面输出端口的匹配度以及其和E面输出端口的隔离度,从而实现四个输入端口的自动匹配。本技术的三个波导魔T功分器呈直线排列,中间为末级输出波导魔T功分器。第一魔T功分器的两个输入端和第三魔T功分器的两个输入端构成了4个输入接口;第一魔T功分器的两个输入端分别是输入端1和输入端10,第三魔T功分器的两个输入端分别是输入端5和输入端7;第一魔T功分器的E面输出端2和第三魔T功分器的E面输出端6构成了两个输入级E面输出端口;第二魔T功分器的H面输出端8为末级H面输出端口,第二魔T功分器的E面输出端4为末级E面输出端口;每一个波导魔T功分器内均设有一个金属锥台圆杆组合体12,金属锥台圆杆组合体12包括一个金属锥台13,金属锥台13上固设有一个圆杆14,圆杆14的顶端与波导魔T功分器螺纹连接。本技术采用四合一的方式,将四路功率50W发射信号合成为200W的发射信号输出至天线。本实施例在进行单个波导魔T的仿真设计时,首先确定波导金属腔体内部金属锥台圆杆组合体12中的金属锥台13和圆杆14的结构尺寸以及安装位置,其中,金属锥台13可等效为一容性负载,圆杆14等效为一感性负载,其作用是调节E面和H面输出端口的匹配度,一旦E面和H面输出端口实现匹配,则两个输入端口则自然匹配。本实施例中的波导魔T的工作频段为15~15.5GHz,因而采用标准BJ-180波导,经仿真计算,确定锥台和圆杆14的尺寸为如表1所示的尺寸数据:尺寸上圆面半径mm下圆面半径mm高度mm锥台0.578.382.95圆杆140.570.574.97表1金属锥台13的中心与波导中心的距离为5.10mm,魔T功分器的E面输出端口的和H面输出端口的反射系数在工作频段内≤-20dB,隔离度≥51dB,满足实际使用需求。两级波导魔T简单的连接在一起时输出端口会出现失配,此时需要缩减输入级魔T的H面输出端口和末级魔T的输入端口之间的波导段长度,以调节末级波导魔T输出端口的匹配达到合适的指标≤-18dB,本实施例的波导段的BJ-180波导管的长度缩短量为5.8mm,末级E面输出端和末级H面输出端口的反射系数在工作频段内≤-20dB,隔离度≥51dB,满足实际使用需求。优选的,所有所述输入接口、所有所述输入级E面输出端口、所述末级E面输出端口和所述末级H面输出端口均通过BJ-180标准波导法兰盘与其他BJ-180-波导器件进行连接。所有所述输入接口通过波导同轴转换器输入一路50WKu波段射频信号,所述末级H面输出端口可获得200WKu波段发射信号,通过波导环行器,输出到发射天线,所有所述输入级E面输出端口连接波导匹配负载,以实现端口匹配。优选的,所有所述输入级E面输出端口均连接波导匹配负载。优选的,通过调节所述金属锥台圆杆组合体12的尺寸大小以及两级魔T之间连接波导段的尺寸大小来调节H面输出端口的匹配度以及其和E面输出端口的隔离度。在加工时,本实施例采用铜材机加工而成,本实施例将3个波导魔T功分器从上至下分成上盖板3、下腔体9和金属锥台圆杆组合体12进行加工,上盖板3与下腔体9通过螺丝紧固,金属锥台圆杆组合体12包括金属锥台13和圆杆14,圆杆14的下端固设在金属锥台13上,圆杆14的顶端通过螺纹与下腔体内的螺丝孔连接。本技术所述的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Ku波段波导双级魔T功率分配/合成器,其特征在于:包括从左至右依次设置的3个波导魔T功分器,每一个波导魔T功分器均设有两个输入端、一个H面输出端和一个E面输出端;设定该3个波导魔T功分器分别为第一魔T功分器、第二魔T功分器和第三魔T功分器,第一魔T功分器的H面输出连接第二魔T功分器的一个输入端,第二魔T功分器的另一个输入端连接第三魔T功分器的H面输出端;第一魔T功分器的两个输入端和第三魔T功分器的两个输入端构成了4个输入接口;第一魔T功分器的E面输出端(2)和第三魔T功分器的E面输出端(6)构成了两个输入级E面输出端口;第二魔T功分器的H面输出端(8)为末级H面输出端口,第二魔T功分器的E面输出端(4)为末级E面输出端口;每一个波导魔T功分器内均设有一个金属锥台圆杆组合体(12),金属锥台圆杆组合体(12)包括一个金属锥台(13),金属锥台(13)上固设有一个圆杆(14),圆杆(14)的顶端与波导魔T功分器螺纹连接。

【技术特征摘要】
1.一种Ku波段波导双级魔T功率分配/合成器,其特征在于:包括从左至右依次设置的3个波导魔T功分器,每一个波导魔T功分器均设有两个输入端、一个H面输出端和一个E面输出端;设定该3个波导魔T功分器分别为第一魔T功分器、第二魔T功分器和第三魔T功分器,第一魔T功分器的H面输出连接第二魔T功分器的一个输入端,第二魔T功分器的另一个输入端连接第三魔T功分器的H面输出端;第一魔T功分器的两个输入端和第三魔T功分器的两个输入端构成了4个输入接口;第一魔T功分器的E面输出端(2)和第三魔T功分器的E面输出端(6)构成了两个输入级E面输出端口;第二魔T功分器的H面输出端(8)为末级H面输出端口,第二魔T功分器的E面输出端(4)为末级E面输出端口;每一个波导魔T功分器内均设有一个金属锥台圆杆组合体(12),金属锥...

【专利技术属性】
技术研发人员:江涛管其凤
申请(专利权)人:南京威翔科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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