一种应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T制造技术

本发明专利技术提供了一种应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T；ET分支的E面分支紧贴于HT分支上，E面分支内部构成差支路，HT分支内部构成和支路，差支路与和支路之间采用谐振缝隙耦和的方式实现差支路的信号传输。本发明专利技术采用与传统魔T不一样的结构形式，将常规魔T的ET分支的E面折叠，并采用谐振缝隙耦和的方式实现差支路的信号传输，还采用谐振匹配片解决E面折叠导致的阻抗失配问题，由此有效实现了体积小、结构紧凑的效果，解决了常规魔T体积大、无法满足单脉冲平板裂缝天线对魔T结构需求的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T
本专利技术涉及一种应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T。
技术介绍
魔T是单脉冲平板裂缝天线中的重要微波器件，由于其具有功率容量高、端口性能好等优点，被广泛应用于微波集成电路、电子对抗设备、超宽带接收设备、频率捷变雷达以及制导系统等，如《8mm波导魔T的仿真分析》(赵波等，2008.09，火控雷达技术)公开了一种平面魔T，具有ET分支(即E-T接头)和HT分支(即H-T接头)。然而，单脉冲平板裂缝天线分为四个子阵，相当于一个四喇叭天线阵，每个子阵各有一个完全独立的输出口。为了形成单脉冲平板裂缝天线所要求的方向图特性，在单脉冲平板裂缝天线馈电波导的4个输出端口需接一个和差网络，和差网络的基本功能是形成单脉冲平板裂缝天线所要求的和支路信号、方位差信号和俯仰差信号，要想获得好的单脉冲天线性能，就必须要有一个好的和差网络，对单脉冲平板裂缝天线和差网络的要求是：结构紧凑、驻波比小、隔离度好等几个方面，和差网络性能好坏的核心是构成和差网络的魔T性能的好坏。综上，常规的魔T所占空间较大，不满足单脉冲平板裂缝天线结构紧凑性的需求。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T，该应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T体积小、结构紧凑，从而解决体积大、无法满足单脉冲平板裂缝天线对魔T结构需求的问题。本专利技术通过以下技术方案得以实现。本专利技术提供的一种应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T；ET分支的E面分支紧贴于HT分支上，E面分支内部构成差支路，HT分支内部构成和支路，差支路与和支路之间采用谐振缝隙耦和的方式实现差支路的信号传输。在所述差支路底部的谐振缝的下方，和支路内部设置有匹配片使得差支路电气对称。所述匹配片使得差支路在距谐振缝隙λg/2处短路。所述匹配片数量为一个。所述匹配片使得差支路电气对称的结构具体为，差支路底部有开口，开口方向和匹配片方向一致，且开口宽度W和匹配片宽度t大小匹配，匹配片的高度h与和支路内腔高度b匹配，开口长度L和匹配片长度匹配。所述开口宽度W和匹配片宽度t大小匹配具体为，开口宽度W是匹配片宽度t的1.05～1.1倍。所述匹配片的高度h与和支路内腔高度b匹配具体为，匹配片的高度h是支路内腔高度b的1.02～1.05倍。所述开口长度L和匹配片长度匹配具体为，开口长度L是匹配片长度的1.08～1.2倍。本专利技术的有益效果在于：采用与传统魔T不一样的结构形式，将常规魔T的ET分支的E面折叠，并采用谐振缝隙耦和的方式实现差支路的信号传输，还采用谐振匹配片解决E面折叠导致的阻抗失配问题，由此有效实现了体积小、结构紧凑的效果，解决了常规魔T体积大、无法满足单脉冲平板裂缝天线对魔T结构需求的问题。附图说明图1是本专利技术的结构示意图；图2是图1中沿A方向剖视内部结构示意图；图3是图1中沿B方向剖视内部结构示意图；图4是本专利技术的和差隔离度仿真结果图；图5是本专利技术的和支路到两平衡支路的传输仿真结果图。具体实施方式下面进一步描述本专利技术的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。如图1至图3所示的一种应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T；ET分支的E面分支紧贴于HT分支上，E面分支内部构成差支路，HT分支内部构成和支路，差支路与和支路之间采用谐振缝隙耦和的方式实现差支路的信号传输。在所述差支路底部的谐振缝的下方，和支路内部设置有匹配片使得差支路电气对称。所述匹配片使得差支路在距谐振缝隙λg/2处短路。所述匹配片数量为一个。所述匹配片使得差支路电气对称的结构具体为，差支路底部有开口，开口方向和匹配片方向一致，且开口宽度W和匹配片宽度t大小匹配，匹配片的高度h与和支路内腔高度b匹配，开口长度L和匹配片长度匹配。所述开口宽度W和匹配片宽度t大小匹配具体为，开口宽度W是匹配片宽度t的1.05～1.1倍。所述匹配片的高度h与和支路内腔高度b匹配具体为，匹配片的高度h是支路内腔高度b的1.02～1.05倍。所述开口长度L和匹配片长度匹配具体为，开口长度L是匹配片长度的1.08～1.2倍。可见，本专利技术是将常规魔T的ET分支的E面折叠，紧贴在HT分支上。由于ET分支的E面折叠，必然导致平面魔T的差支路结构不可能和常规的魔T结构一样，为了确保折叠后的差支路能实现和常规魔T一样的电气性能，采用谐振缝隙耦和的方式实现差支路的信号传输。具体的，差支路由谐振缝隙耦合，在谐振缝隙的下方，即和支路加入一个匹配片，差支路在距谐振缝隙λg/2处短路，形成电气对称结构，由此可通过调整和口匹配片的形状和差支路谐振缝隙的长度，可使魔T四口达到匹配。由图4和图5可见，本专利技术的和差隔离度大于42.4dB；和支路到两平衡支路的传输S31为3.04dB，S32为3.1dB，相差约为0.06dB，对称性较好，仿真结果表明设计的平面魔T性能较好，很好地解决了常规魔T体积较大，以及常规魔T在E面折叠后导致的失配问题，已经在单脉冲平板裂缝天线设计中成功应用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T，其特征在于：ET分支的E面分支紧贴于HT分支上，E面分支内部构成差支路，HT分支内部构成和支路，差支路与和支路之间采用谐振缝隙耦和的方式实现差支路的信号传输。

【技术特征摘要】
1.一种应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T，其特征在于：ET分支的E面分支紧贴于HT分支上，E面分支内部构成差支路，HT分支内部构成和支路，差支路与和支路之间采用谐振缝隙耦和的方式实现差支路的信号传输。2.如权利要求1所述的应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T，其特征在于：在所述差支路底部的谐振缝的下方，和支路内部设置有匹配片使得差支路电气对称。3.如权利要求2所述的应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T，其特征在于：所述匹配片使得差支路在距谐振缝隙λg/2处短路。4.如权利要求2所述的应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T，其特征在于：所述匹配片数量为一个。5.如权利要求2所述的应用于单脉冲平板裂缝天线的平面魔T，其特征在于：所述匹配片使得差支路电...

【专利技术属性】
技术研发人员：高建国，
申请(专利权)人：贵州航天电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52