一种可提升氧化炉炉口硅片氧化膜厚均匀性的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种可提升氧化炉炉口硅片氧化膜厚均匀性的装置，包括石英炉门和连接着石英炉门用于硅片氧化的石英管，位于所述石英管管口位置分别设有石英管测压口和补气进气口，所述石英管测压口和补气进气口之间连接有进量控制系统；所述进量控制系统包括压力控制仪和流量控制阀，所述石英管测压口实时监测氧化炉反应中石英管管口的压力，并通过所述压力控制仪结合流量控制阀对所述补气进气口补气进气量进行实时控制，本实用新型专利技术可以实现氧化炉反应管口的压力稳定，可提升氧化炉反应管特别是反应管口位置的氧化膜厚均匀性，同时具有易实现、操作简便等优点。

A Device for Improving the Thickness Uniformity of Silicon Wafer Oxidation Film at the Oxygen Furnace Mouth

【技术实现步骤摘要】
一种可提升氧化炉炉口硅片氧化膜厚均匀性的装置
本技术涉及电子半导体工艺生产专用装备领域，具体为一种可提升氧化炉炉口硅片氧化膜厚均匀性的装置。
技术介绍
在电子半导体集成电路工艺中，氧化是必不可少的一项工艺技术。自从早期人们发现硼、磷、砷、锑等杂质元素在SiO2的扩散速度比Si中的扩散速度慢得多，SiO2膜就被大量用在器件生产中作为选择扩散的掩模，并促进了硅平面工艺的出现。同时在Si表面生长的SiO2膜不但能与Si有着良好的附着性，而且具有非常稳定的化学性质和电绝缘性能，因此SiO2膜在集成电路中起着极其重要的作用。SiO2膜常用于表面钝化、掺杂阻挡层、表面绝缘体、器件绝缘体、缓冲层、隔离层等。在半导体器件的生产中常采用的SiO2膜生产方法有热生长法、化学气相沉积法、阴极溅射法、真空蒸发法、外延生产法等。选择何种方法来生长SiO2膜与器件的性能有很大的关系，其中，目前最为普遍的方法是采用热生长法，由氧化炉实现SiO2膜的生长。氧化炉制备SiO2膜的过程是Si的一个表面过程，即在氧化炉反应管的高温环境中放入Si，再通入工艺气体O2，与Si原子反应在表面进行反应生产SiO2膜，反应温度越高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可提升氧化炉炉口硅片氧化膜厚均匀性的装置，包括石英炉门(1)和连接着石英炉门(1)用于硅片氧化的石英管(2)，其特征在于：位于所述石英管(2)管口位置分别设有石英管测压口(4)和补气进气口(5)，所述石英管测压口(4)和补气进气口(5)之间连接有进量控制系统(6)；所述进量控制系统(6)包括压力控制仪(7)和流量控制阀(8)，所述石英管测压口(4)实时监测氧化炉反应中石英管(2)管口的压力，并通过所述压力控制仪(7)结合流量控制阀(8)对所述补气进气口(5)补气进气量进行实时控制。

【技术特征摘要】
1.一种可提升氧化炉炉口硅片氧化膜厚均匀性的装置，包括石英炉门(1)和连接着石英炉门(1)用于硅片氧化的石英管(2)，其特征在于：位于所述石英管(2)管口位置分别设有石英管测压口(4)和补气进气口(5)，所述石英管测压口(4)和补气进气口(5)之间连接有进量控制系统(6)；所述进量控制系统(6)包括压力控制仪(7)和流量控制阀(8)，所述石英管测压口(4)实时监测氧化炉反应中石英管(2)管口的压力，并通过所述压力控制仪(7)结合流量控制阀(8)对所述补气进气口(5)补气进气量进行实时控制。2.根据权利要求1所述的一种可提升氧化炉炉口硅片氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：田杰成，陈益民，
申请(专利权)人：湖南艾科威智能装备有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南,43