一种线性稳压器制造技术

技术编号:21695865 阅读:40 留言:0更新日期:2019-07-24 18:13
本实用新型专利技术公开了一种线性稳压器,包括:电流模式电容倍增器,所述电流模式电容倍增器包括运算放大器电路和电流镜电路;所述运算放大器电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4和电流源IB,所述电流镜电路包括所述晶体管M3、所述晶体管M4、晶体管M5和晶体管M7;所述电流模式电容倍增器还包括电阻Rb、晶体管M6和晶体管M8;本实用新型专利技术采用了电容倍增技术,采用片上集成技术,代替了片外大电容,提高了芯片整体的集成度,降低了芯片成本;另外采用了嵌入有电流模式电容倍增器的运输放大器,在满足了增益要求的基础上进一步降低了电流的失调,提高了线性稳压器的稳定性。

A Linear Regulator

【技术实现步骤摘要】
一种线性稳压器
本技术涉及集成电路
,更具体的说是涉及一种线性稳压器。
技术介绍
在模拟集成电路领域中,随着便携式电子设备的广泛使用,系统集成度越来越高,线性稳压器用来为系统中的各子模块单独供电,然而,传统的低压差线性稳压器为了满足系统稳定性要求,在稳压器的片外需要接一个大的负载电容,这样会增加片外元件数,同时增大了系统的应用成本,且不适用于OSC等集成系统。另外,传统的运算放大器存在着一定的失调,从而会影响到整个稳压器的稳定性,因此传统的技术不能应用于高精度的应用场合。因此,如何设计一种适用于片上集成系统的线性稳压器是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提供了一种线性稳压器,适用于片上集成系统,该电路结构简单,不需要在线性稳压器的片外接一大的负载电容;同时还降低了电路失调,提高了电路的稳定性。为了实现上述目的,本技术采用如下技术方案:一种线性稳压器,包括电流模式电容倍增器,所述电流模式电容倍增器包括运算放大器电路和电流镜电路;所述运算放大器电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4和电流源IB,所述电流镜电路包括所述晶体管M3、所述晶体管M4、晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种线性稳压器,其特征在于,包括电流模式电容倍增器,所述电流模式电容倍增器包括运算放大器电路和电流镜电路;所述运算放大器电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4和电流源IB,所述电流镜电路包括所述晶体管M3、所述晶体管M4、晶体管M5和晶体管M7;所述电流模式电容倍增器还包括电阻Rb、晶体管M6和晶体管M8;在所述运算放大器电路中,所述晶体管M4连接电源电压、所述晶体管M3和所述晶体管M2,所述晶体管M3连接晶体管M1,所述晶体管M1连接所述晶体管M2,所述晶体管M1和所述晶体管M2连接所述电流源IB;在所述电流镜电路中,所述晶体管M3连接所述晶体管M5,所述晶体管M4连接所...

【技术特征摘要】
1.一种线性稳压器,其特征在于,包括电流模式电容倍增器,所述电流模式电容倍增器包括运算放大器电路和电流镜电路;所述运算放大器电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4和电流源IB,所述电流镜电路包括所述晶体管M3、所述晶体管M4、晶体管M5和晶体管M7;所述电流模式电容倍增器还包括电阻Rb、晶体管M6和晶体管M8;在所述运算放大器电路中,所述晶体管M4连接电源电压、所述晶体管M3和所述晶体管M2,所述晶体管M3连接晶体管M1,所述晶体管M1连接所述晶体管M2,所述晶体管M1和所述晶体管M2连接所述电流源IB;在所述电流镜电路中,所述晶体管M3连接所述晶体管M5,所述晶体管M4连接所述晶体管M7;在所述电流模式电容倍增器电路中,所述晶体管M5连接所述电阻Rb和所述晶体管M6,所述晶体管M7连接所述晶体管M8,所述晶体管M8与所述电阻Rb相连。2.根据权利要求1所述的一种线性稳压器,其特征在于,所述晶体管M3、所述晶体管M5、所述晶体管M4和所述晶体管M7的源极均与所述电源电压相连。3.根据权利要求1所述的一种线性稳压器,其特征在于,在所述运算放大器电路中,所述晶体管M4的漏极和所述晶体管M2的漏极相连,所述晶体管M2的源极与所述晶体管M1的源极相连,所述晶体管M1的漏极与所述晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员:王昕宇
申请(专利权)人:上海奥令科电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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