【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】闪烁器阵列、制造闪烁器阵列的方法、放射线检测器及放射线检查装置
本专利技术的实施方式涉及闪烁器阵列、制造闪烁器阵列的方法、放射线检测器及放射线检查装置。
技术介绍
在医疗诊断、工业用非破坏检查等领域中，使用X射线断层照相摄影装置(以下记为X射线CT(ComputedTomography：CT)装置)等放射线检查装置进行检查。X射线CT装置具备照射扇状的扇形波束X射线的X射线管(X射线源)和具有许多X射线检测元件的X射线检测器，且上述X射线管及上述X射线检测元件夹持检查对象而配置。X射线CT装置一边使X射线管相对于检查对象旋转一边从X射线管照射扇形波束X射线，通过X射线检测器收集基于透过检查对象的X射线而形成的X射线吸收数据。之后，通过用计算机对该X射线吸收数据进行解析，由此再生断层图像。在X射线CT装置的X射线检测器中，广泛使用采用了固体闪烁器的检测元件。使用了固体闪烁器的X射线检测器由于将检测元件小型化而容易增加通道数，所以能够更进一步提高X射线CT装置的析像度。固体闪烁器例如由陶瓷闪烁器材料构成。该陶瓷闪烁器材料中，稀土类氧硫化物系的荧光体陶瓷(稀土类氧硫化物...
【技术保护点】
1.一种闪烁器阵列，其具备：第1闪烁器元件；第2闪烁器元件；和反射体，该反射体设置于所述第1及第2闪烁器元件之间，所述第1及第2闪烁器元件之间的宽度为80μm以下，所述第1及第2闪烁器元件分别具备含有稀土类氧硫化物荧光体的多晶体，所述多晶体具有面积为1mm以下×1mm以下的放射线入射面，所述多晶体的晶粒的平均晶体粒径为5μm～30μm，所述平均晶体粒径由在通过使用扫描型电子显微镜观察所述多晶体而得到的观察图像上测定的晶粒的平均切片长来定义，存在于所述多晶体的表面中的缺陷的最大长度或最大直径为40μm以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.06 JP 2016-2369211.一种闪烁器阵列，其具备：第1闪烁器元件；第2闪烁器元件；和反射体，该反射体设置于所述第1及第2闪烁器元件之间，所述第1及第2闪烁器元件之间的宽度为80μm以下，所述第1及第2闪烁器元件分别具备含有稀土类氧硫化物荧光体的多晶体，所述多晶体具有面积为1mm以下×1mm以下的放射线入射面，所述多晶体的晶粒的平均晶体粒径为5μm～30μm，所述平均晶体粒径由在通过使用扫描型电子显微镜观察所述多晶体而得到的观察图像上测定的晶粒的平均切片长来定义，存在于所述多晶体的表面中的缺陷的最大长度或最大直径为40μm以下。2.根据权利要求1所述的闪烁器阵列，其中，所述多晶体为长方体状，所述放射线入射面的面积为0.5mm以下×0.5mm以下，所述反射体的所述宽度为50μm以下，存在于所述多晶体的包含顶点的至少一个在内的全部边中的所述缺陷的最大长度为40μm以下，所述闪烁器阵列的短边方向的长度为20mm以上，所述闪烁器阵列的长边方向的长度为30mm以上，所述闪烁器阵列的厚度为0.5mm以上。3.根据权利要求1所述的闪烁器阵列，其中，通过使用超声波探伤在包含频率为200MHz、焦点距离为2.9mm、扫描间距为2.5μm、扫描面尺寸为1mm×1mm、样品厚度为1mm及检测下限缺陷长度为3μm的测定条件下检查所述多晶体的内部而测定的、所述扫描面中存在的缺陷的合计面积相对于所述扫描面的面积的比例为10％以下。4.根据权利要求1所述的闪烁器阵列，其中，所述缺陷包含选自由空孔、伤痕、包含与所述稀土类氧硫化物荧光体不同的成分的异物、与所述稀土类氧硫化物荧光体相同的成分且晶体结构不同的异相以及包含与所述稀土类氧硫化物荧光体不同的成分的异相构成的组中的至少一者。5.根据权利要求1所述的闪烁器阵列，其中，所述稀土类氧硫化物荧光体通过下述通式来表示：通式：A2O2S：Pr式中，A为选自由Y、Gd、La及Lu构成的组中的至少1种元素，或通式：(Gd1-xA’x)2O2S：Pr式中，A’为选自由Y、La及Lu构成的组中的至少1种元素，x为满足0≤x≤0.1的数。6.根据权利要求5所述的闪烁器阵列，其中，所述稀土类氧硫化物荧...
【专利技术属性】
技术研发人员：林诚，近藤弘康，市川浩，足达祥卓，福田幸洋，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝高新材料公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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