具有微凹槽的黑色矩阵层、显示基底和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于在显示基底中限定多个子像素区的黑色矩阵层。所述黑色矩阵层包括微凹槽区，所述微凹槽区包括彼此间隔分布的多个微凹槽。所述多个微凹槽中的每一个的深度至少部分延伸穿过所述黑色矩阵层的深度。所述多个微凹槽中的至少一个具有沿伸长方向延伸的细长形状。

Black Matrix Layer with Micro-grooves, Display Base and Display Device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有微凹槽的黑色矩阵层、显示基底和显示装置
本专利技术涉及显示技术，更具体地，涉及一种具有微凹槽的黑色矩阵层、显示基底和显示装置。
技术介绍
在显示基底中，如数据线、触摸电极和公共电极线等金属线均由高导电性的金属制成，这些材料具有很高的光反射率。因此，需要在显示基底(如滤色基板)中设置黑色矩阵以阻挡来自金属线的光反射。黑色矩阵通常由具有较低光反射率的黑色材料(如碳、钼、铬等)构成。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供一种用于在显示基底中限定多个子像素区的黑色矩阵层，包括微凹槽区，所述微凹槽区包括彼此间隔分布的多个微凹槽；其中，所述多个微凹槽中的每一个的深度至少部分延伸穿过所述黑色矩阵层的深度；并且所述多个微凹槽中的至少一个具有沿伸长方向延伸的细长形状。可选地，所述多个微凹槽中相邻微凹槽的伸长方向具有大体相同朝向。可选地，所述多个微凹槽的伸长方向大体互相平行。可选地，所述多个微凹槽中的每一个的深度大体延伸穿过所述黑色矩阵层的深度；并且所述微凹槽区中的黑色矩阵层包括与所述多个微凹槽交替分布的多个黑色矩阵分支。可选地，所述多个微凹槽中的至少一个的至少一端朝所述多个子像素区中的一个开放。可选地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在显示基底中限定多个子像素区的黑色矩阵层，包括微凹槽区，所述微凹槽区包括彼此间隔分布的多个微凹槽；其中，所述多个微凹槽中的每一个的深度至少部分延伸穿过所述黑色矩阵层的深度；并且所述多个微凹槽中的至少一个具有沿伸长方向延伸的细长形状。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在显示基底中限定多个子像素区的黑色矩阵层，包括微凹槽区，所述微凹槽区包括彼此间隔分布的多个微凹槽；其中，所述多个微凹槽中的每一个的深度至少部分延伸穿过所述黑色矩阵层的深度；并且所述多个微凹槽中的至少一个具有沿伸长方向延伸的细长形状。2.根据权利要求1所述的黑色矩阵层，其中，所述多个微凹槽中相邻微凹槽的伸长方向具有大体相同朝向。3.根据权利要求2所述的黑色矩阵层，其中，所述多个微凹槽的伸长方向大体互相平行。4.根据权利要求1所述的黑色矩阵层，其中，所述多个微凹槽中的每一个的深度大体延伸穿过所述黑色矩阵层的深度；并且所述微凹槽区中的所述黑色矩阵层包括与所述多个微凹槽交替分布的多个黑色矩阵分支。5.根据权利要求1所述的黑色矩阵层，其中，所述多个微凹槽中的至少一个的至少一端朝所述多个子像素区中的一个开放。6.根据权利要求5所述的黑色矩阵层，其中，所述多个微凹槽中的每一个朝所述多个子像素区中的至少一个开放。7.根据权利要求1所述的黑色矩阵层，其中，所述多个子像素区包括多个第一颜色子像素区；并且所述多个微凹槽中的每一个均位于所述黑色矩阵层的限定所述多个第一颜色子像素区的区域内。8.根据权利要求7所述的黑色矩阵层，其中，所述多个第一颜色子像素区为多个白色子像素区。9.根据权利要求1所述的黑色矩阵层，其中，所述多个微凹槽中的每一个的凹槽宽度在约5μm～约10μm的范围内。10.根据权利要求1所述的黑色矩阵层，其中，所述多个微凹槽中相邻微凹槽的间隔距离在约10μm～约30μm的范围内。11.一种显示基底，包括：衬底基板；以及根据权利要求1所述的黑色矩阵层。12.根据权利要求11所述的显示基底，其中，所述多个微凹槽中相邻微凹槽的伸长方向具有大体相同朝向。13...

【专利技术属性】
技术研发人员：万冀豫，杨同华，姜晶晶，冯贺，张思凯，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11