一种管式PECVD设备的反应室结构制造技术

技术编号:21678842 阅读:57 留言:0更新日期:2019-07-24 12:56
本发明专利技术公开了一种管式PECVD设备的反应室结构,包括石英炉管、过渡筒、炉门和后端端面法兰,过渡筒在石英炉管的前端,并与炉门连接,后端端面法兰设于石英炉管的后端,后端端面法兰外侧设有进气管,内侧设有均匀布气板,均匀板上有多个布气孔,均匀板与后端端面法兰内侧之间设有缓冲进气腔,进气管和布气孔均与缓冲进气腔连通,过渡筒内设有内盖,内盖与炉门连接,内盖盖在石英炉管的管口,内盖上设有导流管,过渡筒上设有抽气口,导流管两端连石英炉管和抽气口。本发明专利技术将原有前端环形进气改为后端平面进气,工艺气体可快速均匀分布在石英炉管内,气体流场稳定性和均匀性大幅提高,抽气口设置在过渡筒上,避免了前端炉门运动又进气的问题。

A Reactor Structure of Tube PECVD Equipment

【技术实现步骤摘要】
一种管式PECVD设备的反应室结构
本专利技术涉及管式PECVD设备,尤其涉及一种管式PECVD设备的反应室结构。
技术介绍
光伏发电系统是一种利用太阳能电池半导体材料的“光伏效应”将太阳光辐射能直接装换为电能的一种新型发电系统。太阳能电池,又称光伏电池,是光伏发电系统中最核心的器件。目前,技术最成熟,并具有商业价值的、市场应用最广的太阳能电池是晶体硅太阳能电池。太阳光在晶体硅表面的反射损失率高达35%左右,严重影响太阳能电池的最终转换效率。为提高转换效率,即,减少晶体硅表面对太阳光的反射,常在晶体硅表面镀一层或多层二氧化硅或氮氧硅或氮化硅减反射膜。减反射膜不但可以减少晶体硅表面对太阳光的发射,而且可以对晶体硅表面起到钝化和保护作用。PECVD设备采用的等离子体增强化学气相沉积技术,在低压条件下,利用中频电场使反应气体产生辉光放电,电离出等离子体,促进反应活性基团的生成,从而使得硅烷和氨气能在较低的温度下反应,减少了工艺的复杂性,并有效防止了晶体硅太阳能电池寿命的衰减,广泛应用于在晶体硅太阳能电池表面镀减反射膜。针对当前用于晶体硅太阳能电池的生产制造过程中制备减反射膜的量产型管式PE本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种管式PECVD设备的反应室结构,其特征在于:包括石英炉管(1)、过渡筒(2)、炉门(3)和后端端面法兰(4),所述过渡筒(2)设置在石英炉管(1)的前端,所述炉门(3)与过渡筒(2)连接,所述后端端面法兰(4)设于石英炉管(1)的后端,所述后端端面法兰(4)外侧设有进气管(5),内侧设有均匀布气板(6),所述均匀布气板(6)上均匀分布多个布气孔(7),所述均匀布气板(6)与后端端面法兰(4)内侧之间设有缓冲进气腔(8),所述进气管(5)和布气孔(7)均与缓冲进气腔(8)连通,所述过渡筒(2)内设有内盖(9),所述内盖(9)与炉门(3)连接,所述内盖(9)盖设在石英炉管(1)的管口,所述...

【技术特征摘要】
1.一种管式PECVD设备的反应室结构,其特征在于:包括石英炉管(1)、过渡筒(2)、炉门(3)和后端端面法兰(4),所述过渡筒(2)设置在石英炉管(1)的前端,所述炉门(3)与过渡筒(2)连接,所述后端端面法兰(4)设于石英炉管(1)的后端,所述后端端面法兰(4)外侧设有进气管(5),内侧设有均匀布气板(6),所述均匀布气板(6)上均匀分布多个布气孔(7),所述均匀布气板(6)与后端端面法兰(4)内侧之间设有缓冲进气腔(8),所述进气管(5)和布气孔(7)均与缓冲进气腔(8)连通,所述过渡筒(2)内设有内盖(9),所述内盖(9)与炉门(3)连接,所述内盖(9)盖设在石英炉管(1)的管口,所述内盖(9)上设有导流管(10),所述过渡筒(2)的圆周面上设有抽气口(11),所述导流管(10)一端与石英炉管(1)连通,另一端与抽气口(11)连通。2.根据权利要求1所述的管式PECVD设备的反应室结构,其特征在于:所述均匀布气板(6)与石英炉管(1)同轴,所述导流管(10)的入口与石英炉管(1)同轴。3.根据权利要求1所述的管式PECVD设备的反应室结构,其特征在于:所述内盖(9)通过伸缩组件(12)固定在炉门(3)上。4.根据权利要求3所述的管式PECVD设备的反应室结构,其特征在于:所述伸缩组件(12)包括波纹管(13)和位于波纹管(13)两端的固定杆(14),一端的固定杆(14)与内盖(9)连接,另一端的固定杆(14)与炉门(3)连接。5.根据权利要求1至4任意一项所述的管式PECVD设备的反应室结构,其特征在于:所述石英炉管(1)的前端设有前端法兰组件,所述前端法兰组件包括前端固定...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭艳吴得轶李明
申请(专利权)人:湖南红太阳光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:湖南,43

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