光致抗蚀刻剂薄膜及应用其的光蚀刻方法技术

一种光蚀刻方法，提供一基板，基板为透明材料，基板包括相背的第一表面及第二表面，一材料层设置于第一表面，一第一光致抗蚀刻剂薄膜设置于材料层远离基板一侧；提供一第二光致抗蚀刻剂薄膜，将第二光致抗蚀刻剂薄膜设置于第二表面，所述隔光层设置于第二光致抗蚀刻剂薄膜靠近基板一侧，所述感光层设置于第二光致抗蚀刻剂薄膜远离基板一侧；将基板放置于一曝光机台上，对第一光致抗蚀刻剂薄膜及第二光致抗蚀刻剂薄膜进行曝光；使用蚀刻液对曝光后的第一光致抗蚀刻剂薄膜以及材料层进行蚀刻，使材料层获得一第一图案，随后去除第一光致抗蚀刻剂薄膜；使用蚀刻液对曝光后的第二光致抗蚀刻剂薄膜进行蚀刻，使第二光致抗蚀刻剂薄膜获得一第二图案。

Photoresist Film and Its Application in Photoetching

【技术实现步骤摘要】
光致抗蚀刻剂薄膜及应用其的光蚀刻方法
本专利技术涉及光蚀刻工艺，尤其涉及光致抗蚀刻剂薄膜及应用该光致抗蚀刻剂薄膜的光蚀刻方法。
技术介绍
光蚀刻是一种应用广泛的蚀刻工艺，其普遍应用于显示、触控等领域的元件制造。现有的光蚀刻方法在处理多层结构或单层复杂结构的蚀刻时，往往通过多次曝光蚀刻的方式对元件进行加工，多次蚀刻过程中往往需对元件进行多次定位，每次定位都需要重新抓取定位点进行定位，目前的对位精度难以保证每次定位的位置完全准确，多次定位必然导致位置偏差或出现公差叠加使得误差增大，如何解决该问题是本领域技术人员需要考虑的。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种精度高、误差小的光蚀刻方法及适用于该方法的光致抗蚀刻薄膜。一种光致抗蚀刻剂薄膜，所述光致抗蚀刻剂薄膜为多层结构，至少包括一层隔光层和一层感光层，所述隔光层不透光，所述感光层为不透明材料，所述感光层包含感光材料，所述感光层的材料性质会因光照发生改变。于一实施例中，所述感光层的吸光度大于或等于3。一种光蚀刻的方法，包括如下步骤：提供一基板，所述基板为透明材料，所述基板包括相背的第一表面及第二表面，将一材料层设置于所述第一表面，将一第一光致抗蚀刻剂薄膜设置于所述材料层远离所述基板一侧；提供一第二光致抗蚀刻剂薄膜，所述第二光致抗蚀刻剂薄膜为前述的光致抗蚀刻剂薄膜，将所述第二光致抗蚀刻剂薄膜设置于所述第二表面，将所述隔光层设置于所述第二光致抗蚀刻剂薄膜靠近所述基板一侧，将所述感光层设置于所述第二光致抗蚀刻剂薄膜远离所述基板一侧；将所述基板放置于一曝光机台上，对所述第一光致抗蚀刻剂薄膜及所述第二光致抗蚀刻剂薄膜进行曝光；使用蚀刻液对曝光后的所述第一光致抗蚀刻剂薄膜以及所述材料层进行蚀刻，使所述材料层获得一第一图案，去除所述第一光致抗蚀刻剂薄膜；以及使用蚀刻液对曝光后的所述第二光致抗蚀刻剂薄膜进行蚀刻，使所述第二光致抗蚀刻剂薄膜获得一第二图案。于一实施例中，还包括如下步骤：提供一第三光致抗蚀刻剂薄膜，将所述第三光致抗蚀刻剂薄膜设置于所述材料层远离所述基板一侧，所述感光层具备所述第二图案，使所述感光层对应所述第二图案开设有贯穿所述感光层的第一开口，从所述第二光致抗蚀刻剂薄膜所在的方向对所述第三光致抗蚀刻剂薄膜进行曝光，曝光过程中光线通过所述第一开口照射至所述第三光致抗蚀刻剂薄膜。于一实施例中，还包括如下步骤：使用蚀刻液对所述第三光致抗蚀刻剂薄膜进行蚀刻使其获得所述第二图案，通过具备所述第二图案的所述第三光致抗蚀刻剂薄膜对所述材料层进行蚀刻将所述第二图案转移至所述材料层。于一实施例中，还包括如下步骤：去除所述第二光致抗蚀刻剂薄膜及所述第三光致抗蚀刻剂薄膜。于一实施例中，对第一光致抗蚀刻剂薄膜及第二光致抗蚀刻剂薄膜进行曝光时，使用不同的光源对所述第一光致抗蚀刻剂薄膜及第二光致抗蚀刻剂薄膜进行曝光。于一实施例中，对第一光致抗蚀刻剂薄膜及第二光致抗蚀刻剂薄膜进行曝光时，先对所述第一光致抗蚀刻剂薄膜或所述第二光致抗蚀刻剂薄膜中的一个进行曝光，再使用相同的光源对所述第一光致抗蚀刻剂薄膜或所述第二光致抗蚀刻剂薄膜中的另一个进行曝光。于一实施例中，对所述第一光致抗蚀刻剂薄膜进行曝光时，用于曝光的光线被所述隔光层遮挡且无法照射所述感光层。于一实施例中，所述隔光层对应所述第二图案设置有贯穿所述隔光层的第二开口，所述第二开口的面积大于所述第一开口的面积。本专利技术的光致抗蚀刻剂薄膜及应用该光致抗蚀刻剂薄膜的光蚀刻方法，一方面可以减少定位次数提高蚀刻精度，另一方面可以避免多次曝光过程中对由于光线过曝产生的图案失真。附图说明图1为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的流程示意图。图2为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的局部流程示意图。图3为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的局部流程示意图。图4为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的局部流程示意图。图5为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的局部流程示意图。图6为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的局部流程示意图。图7为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的局部流程示意图。图8为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的局部流程示意图。图9为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的局部流程示意图。图10为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的局部流程示意图。主要元件符号说明基板10第一表面101第二表面102材料层11第一光致抗蚀刻剂薄膜12第二光致抗蚀刻剂薄膜13隔光层131感光层132第一开口1321第二开口1311第三光致抗蚀刻剂薄膜14曝光机台20光源21如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式为了使本申请所揭示的
技术实现思路
更加详尽与完备，可以参照附图以及本专利技术的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或者相似的元件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本专利技术所覆盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其实际尺寸按比例进行绘制。下面参照附图，对本专利技术的具体实施方式作进一步的详细描述。如图1所示，为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的流程示意图。步骤S1：如图2所示，为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的局部流程示意图。提供一基板10，基板10为透明材料，基板10包括相背的第一表面101及第二表面102，将一材料层11设置于第一表面101，将一第一光致抗蚀刻剂薄膜12设置于材料层11远离基板10一侧。所述基板10的材料可以为有机物，如聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalatetwoformicacidglycolester，PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneglycolterephthalate，PET)以及环状烯烃共聚物(Cyclo-olefinpolymer，COP)；所述基板10的材料也可以为无机物，如二氧化硅(SiO2)。于一实施例中，所述基板10大致为一立方体结构，第一表面101及第二表面102为立方体相背的两个表面。于一实施例中，所述材料层11由具备导电能力且不透光的材料形成，可以为金属材料或具备导电能力的非金属材料，还可以为以非导电材料为基质但掺杂有导电材料的复合型导电材料。在本实施例中，材料层11为金属材料。可通过物理气相沉积(PVD)或者化学气相沉积(CVD)的方式在第一表面101制备该材料层11。在其他实施例中，所述材料层11可选用掺杂有导电材料的有机材料，如掺杂有金属颗粒的酚醛树脂，并根据具体需要选取合适的制备方式以使所述材料层11的厚度达到预期要求。一第一光致抗蚀刻剂薄膜12设置于材料层11远离基板10一侧，第一光致抗蚀刻剂薄膜12覆盖所述材料层11。所述第一光致抗蚀刻剂薄膜12为光致抗蚀刻剂材料，所述第一光致抗蚀刻剂薄膜12包含感光成分，感光成分可以为正向感光剂也或负向感光剂，第一光致抗蚀刻剂薄膜12被曝光后其材料性质可发生变化，使用蚀刻液对曝光后的第一光致抗蚀刻剂薄膜12进行蚀刻可去除第一光致抗蚀刻剂薄膜12的部分。步骤S2：如图3所示，为本专利技术一实施例的光蚀刻方法的局部流程示意图。提供一第二光致抗蚀刻剂薄膜13，将第二光致抗蚀刻剂薄膜13设置于第二表面102，将隔光层131设置于第二光致抗蚀刻剂薄膜13靠近基板10一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光致抗蚀刻剂薄膜，其特征在于：所述光致抗蚀刻剂薄膜为多层结构，至少包括一层隔光层和一层感光层，所述隔光层不透光，所述感光层为不透明材料，所述感光层包含感光材料，所述感光层的材料性质会因光照发生改变，所述感光层被光照射的部分和未被光照射的部分对于同一种溶剂的溶解度不相同。

【技术特征摘要】
1.一种光致抗蚀刻剂薄膜，其特征在于：所述光致抗蚀刻剂薄膜为多层结构，至少包括一层隔光层和一层感光层，所述隔光层不透光，所述感光层为不透明材料，所述感光层包含感光材料，所述感光层的材料性质会因光照发生改变，所述感光层被光照射的部分和未被光照射的部分对于同一种溶剂的溶解度不相同。2.如权利要求1所述的光致抗蚀刻剂薄膜，其特征在于：所述感光层的吸光度大于或等于3。3.一种光蚀刻方法，包括如下步骤：提供一基板，所述基板为透明材料，所述基板包括相背的第一表面及第二表面，将一材料层设置于所述第一表面，将一第一光致抗蚀刻剂薄膜设置于所述材料层远离所述基板一侧；提供一第二光致抗蚀刻剂薄膜，所述第二光致抗蚀刻剂薄膜为权利要求1-2任意一项所述的光致抗蚀刻剂薄膜，将所述第二光致抗蚀刻剂薄膜设置于所述第二表面，将所述隔光层设置于所述第二光致抗蚀刻剂薄膜靠近所述基板一侧，将所述感光层设置于所述第二光致抗蚀刻剂薄膜远离所述基板一侧；将所述基板放置于一曝光机台上，对所述第一光致抗蚀刻剂薄膜及所述第二光致抗蚀刻剂薄膜进行曝光；使用蚀刻液对曝光后的所述第一光致抗蚀刻剂薄膜以及所述材料层进行蚀刻，使所述材料层获得一第一图案，去除所述第一光致抗蚀刻剂薄膜；以及使用蚀刻液对曝光后的所述第二光致抗蚀刻剂薄膜进行蚀刻，使所述第二光致抗蚀刻剂薄膜获得一第二图案。4.如权利要求3所述的光蚀刻方法，其特征在于，还包括如下步骤：提供一第三光致抗蚀刻剂薄膜，将所述第三光致抗蚀刻剂薄膜设置于所述材料层远离所述基板一侧，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊铭，
申请(专利权)人：业成科技成都有限公司，业成光电深圳有限公司，英特盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51