抗PID光伏组件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种抗PID光伏组件，包括在层压方向依次层叠设置的玻璃盖板、第一封装层、电池片、第二封装层及玻璃背板；所述玻璃盖板朝向第一封装层的一侧表面和/或所述玻璃背板朝向第二封装层的一侧表面设有介质层；所述第一封装层与第二封装层两者至少其一包括POE膜层。本实用新型专利技术抗PID光伏组件通过所述介质层能够有效阻挡玻璃盖板和/或玻璃背板中的金属离子朝电池片迁移，且通过POE膜层提高电池片与外部的隔绝性能，更好地避免水汽侵蚀，降低电势诱导衰减，提升转换效率。

Anti-PID Photovoltaic Module

【技术实现步骤摘要】
抗PID光伏组件
本技术涉及光伏制造
，特别涉及一种抗PID光伏组件。
技术介绍
当今社会，能源问题已经成为人类面临的严峻挑战，因此，越来越多的国家与地区开始积极推进光伏产业的发展。但在实际应用中，光伏组件随着光照及工作时间的延长，会出现效率的衰减，如何降低光伏组件的效率衰减则是业内一直希望解决的问题。PID效应(PotentialInducedDegradation)又称电势诱导衰减，作为光伏组件效率衰减的重要方面，其产生机制通常与影响光伏组件功率衰减的其他因素交织在一起。到目前为止，造成PID的真正原因并没有明确的定论，业界现普遍认为极化现象、Na离子迁移及电化学腐蚀这三个方面是造成电池PID的主要原因。业内现已公开采用硼硅玻璃以减少现有玻璃盖板中游离的钠、钙等金属离子，又或是采用POE薄膜替代传统EVA薄膜，提高光伏组件的水汽阻隔性能，进而改善PID现象；业内还公开有通过在玻璃盖板内侧设置介质膜层以阻挡离子朝电池迁移，以此削弱电势诱导衰减现象。但通过进一步的结构优化抑制光伏组件的PID效应，提高功率输出，仍是业内亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本技术目的在于提供一种抗PID光伏组件，能够有效阻挡离子迁移，提高光伏组件中电池片与外部的隔绝性能，避免水汽侵蚀，降低电势诱导衰减，降低功率损失。为实现上述技术目的，本技术提供一种抗PID光伏组件，包括在层压方向依次层叠设置的玻璃盖板、第一封装层、电池片、第二封装层及玻璃背板；所述玻璃盖板朝向第一封装层的一侧表面和/或所述玻璃背板朝向第二封装层的一侧表面设有介质层；所述第一封装层与第二封装层两者至少其一包括POE膜层。作为本技术的进一步改进，所述介质层设置为氧化硅薄膜，且所述氧化硅薄膜的孔隙率设置为60～95％。作为本技术的进一步改进，所述氧化硅薄膜的厚度设置为1～1000nm。作为本技术的进一步改进，所述氧化硅薄膜的折射率设置为1.4～1.7。作为本技术的进一步改进，所述第一封装层和/或第二封装层设置为复合胶膜，所述复合胶膜包括层叠设置的POE膜层与EVA膜层。作为本技术的进一步改进，所述POE膜层的克重介于30～600g/m2。本技术的有益效果是：采用本技术抗PID光伏组件，所述介质层能够更有效阻挡玻璃盖板和/或玻璃背板中的金属离子朝电池片迁移，且第一封装层和/或第二封装层中的POE膜层能够提高电池片与外界的隔绝性能，有效避免水汽侵蚀，降低电势诱导衰减，提升转换效率。附图说明图1为本技术抗PID光伏组件一较佳实施例的结构示意图；图2为本技术抗PID光伏组件另一较佳实施例的结构示意图；图3为本技术抗PID光伏组件又一较佳实施例的结构示意图。具体实施方式以下将结合附图所示的实施方式对本技术进行详细描述。但该实施方式并不限制本技术，本领域的普通技术人员根据该实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。参图1所示，本技术提供的抗PID光伏组件100包括依次层叠设置的玻璃盖板1、第一封装层2、电池片3、第二封装层4及玻璃背板5。所述玻璃盖板1朝向第一封装层2的一侧表面和/或所述玻璃背板5朝向第二封装层4的一侧表面设有介质层，所述介质层用以阻挡相应的玻璃盖板1、玻璃背板5中的金属离子朝电池片3迁移。所述第一封装层2与第二封装层4两者至少其一包括POE膜层，所述POE膜层是指该膜层的主要成膜物质为聚烯烃，且所述POE膜层还包括适量的抗氧化剂、偶联剂等添加组分，以实现更佳的隔绝封装性能。优选地，所述POE膜层的克重介于30～600g/m2。本实施例中，所述电池片3设置为P型双面电池片，所述P型双面电池片的两侧分别制备有相应的减反射膜(未图示)，且所述P型双面电池片朝向第二封装层4的一侧还形成有氧化铝钝化膜(未图示)。所述玻璃背板5朝向第二封装层4的一侧表面设有介质层，所述介质层具体设置为氧化硅薄膜51，所述氧化硅薄膜51能够有效阻挡金属离子的迁移。此处，前述氧化硅薄膜51可采用下述方式制得：选取既定粒径的氧化硅纳米颗粒分散在异丙醇溶液中，氧化硅颗粒浓度控制在2～20％；将上述氧化硅溶液涂覆在玻璃背板5的一侧表面，再将上述玻璃背板5进行高温烧结，使得该玻璃背板5上的氧化硅溶液的溶剂挥发，以在所述玻璃背板5上形成一层氧化硅薄膜51。研究表面，所述氧化硅薄膜51的致密性对其阻挡离子迁移的性能具有较大影响，可以通过控制该氧化硅薄膜51的孔隙率来调节其致密性。优选地，所述氧化硅薄膜51的孔隙率设置为60～95％。所述氧化硅薄膜51的厚度设置为1～1000nm，且所述氧化硅薄膜51的折射率设置为1.4～1.7。一般地，所述氧化硅薄膜51的折射率优选为1.5左右；且所述氧化硅薄膜51的厚度优选设置为90～120nm，以期能够较好实现阻挡离子迁移作用的同时，还能实现减反射效果，避免造成入射光线损失，且利于该氧化硅薄膜51的成型加工控制。此处，所述第二封装层4设置为POE胶膜，该POE胶膜即为前述POE膜层。所述第一封装层2同样设置为POE胶膜，亦可将所述第一封装层2设置为现有的EVA胶膜，以利于原料成本的降低。如图2所示，该实施例区别于前述实施例的特征在于：所述第二封装层4设置为复合胶膜，所述复合胶膜包括层叠设置的POE膜层41与EVA膜层42。其中，上述复合胶膜在层压制程后会交联固化呈一体，此处图示仅为了更清晰地描述该复合胶膜中POE膜层41与EVA膜层42的层叠位置关系。较之前述POE胶膜，在不调整封装厚度的条件下，所述POE膜层41的厚度得以减小，降低原料成本。所述第一封装层2同样可设置为上述复合胶膜、POE胶膜或EVA胶膜中的任一种。如图3所示，所述玻璃盖板1与玻璃背板5两者的内侧表面分别形成有相应的氧化硅薄膜11，51。藉此，能够更好地阻挡玻璃盖板、玻璃背板5中的离子朝电池片3迁移，抑制PID效应。综上所述，本技术抗PID光伏组件通过介质层能够更有效阻挡玻璃盖板1和/或玻璃背板5中的金属离子朝电池片3迁移，避免载流子累积；并且，所述POE膜层用于电池片3的封装，可提高电池片3与外界的隔绝性能，有效避免水汽侵蚀，降低电势诱导衰减，提升转换效率。应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本技术的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本技术的保护范围，凡未脱离本技术技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗PID光伏组件，包括在层压方向依次层叠设置的玻璃盖板、第一封装层、电池片、第二封装层及玻璃背板，其特征在于：所述玻璃盖板朝向第一封装层的一侧表面和/或所述玻璃背板朝向第二封装层的一侧表面设有介质层；所述第一封装层与第二封装层两者至少其一包括POE膜层。

【技术特征摘要】
1.一种抗PID光伏组件，包括在层压方向依次层叠设置的玻璃盖板、第一封装层、电池片、第二封装层及玻璃背板，其特征在于：所述玻璃盖板朝向第一封装层的一侧表面和/或所述玻璃背板朝向第二封装层的一侧表面设有介质层；所述第一封装层与第二封装层两者至少其一包括POE膜层。2.根据权利要求1所述的抗PID光伏组件，其特征在于：所述介质层设置为氧化硅薄膜，且所述氧化硅薄膜的孔隙率设置为60～95％。3.根据权利要求2所述的抗P...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏正月，刘亚峰，邢国强，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光能源科技有限公司，常熟阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯阳光电力集团有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32