OLED面板及其制作方法技术

本申请提供一种OLED面板及其制作方法，OLED面板包括显示区域和通孔，显示区域围设在通孔的周边；显示区域包括封装区，封装区围设在通孔的周侧；封装区包括一用于防止水氧入侵的杂化层，杂化层覆盖封装区和通孔的孔壁。本申请通过在封装区的有机结构层上形成杂化层，起到阻挡外界水氧入侵有机发光层。

OLED panel and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
OLED面板及其制作方法
本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种OLED面板及其制作方法。
技术介绍
在现有的挖孔的有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)面板中，OLED发光材料层对水氧极其敏感，通常需要阻水型极高的薄膜封装(ThinFilmEncapsulation，TFE)膜层进行覆盖保护。激光切割会破坏TFE膜层的完整性，导致OLED发光材料层(如阴极、有机钝化层等膜层)在孔边缘暴露出来，水氧入侵后导致整个显示器件无法显示。
技术实现思路
本申请实施例提供一种OLED面板及其制作方法，以解决现有的OLED面板在挖孔后破坏TFE膜层的完整性，导致水氧从孔边缘入侵，进而破坏整个OLED面板的技术问题。本申请实施例提供一种OLED面板，其包括：显示区域和通孔，所述显示区域围设在所述通孔的周边；所述显示区域包括封装区，所述封装区围设在所述通孔的周侧；所述封装区包括一用于防止水氧入侵的杂化层，所述杂化层覆盖所述封装区和所述通孔的孔壁。在本申请的OLED面板中，位于所述封装区的有机结构层的表面为粗糙面。在本申请的OLED面板中，所述OLED面板包括一有机结构层；在所述封装区中，采用原子渗透技术在所述有机结构层中形成无机物，所述无机物与所述有机结构层结合形成所述杂化层。在本申请的OLED面板中，所述杂化层上形成有一无机层，所述无机层与所述杂化层通过所述原子渗透技术一体形成。在本申请的OLED面板中，所述OLED面板包括像素定义层和设置在所述像素定义层上的有机发光层；当所述有机结构层为所述像素定义层和所述有机发光层的组合时，在所述封装区中，所述杂化层形成在所述有机发光层和所述像素定义层中；当所述有机结构层为所述像素定义层时，在所述封装区中，所述杂化层形成在所述像素定义层中。在本申请的OLED面板中，位于所述封装区的像素定义层上开设有凹槽，所述杂化层覆盖所述凹槽。在本申请的OLED面板中，所述OLED面板还包括设置在所述有机发光层上的封装结构层，所述封装结构层包括第一无机层、有机层和第二无机层，所述有机层设置在所述第一无机层和所述第二无机层之间；所述第一无机层覆盖所述有机发光层和所述杂化层上。本申请还涉及一种OLED面板的制作方法，其包括：在基板上形成像素定义层，所述像素定义层包括一通孔区域和显示区域，所述显示区域围设在所述通孔区域设置的周边，所述显示区域包括封装区，所述封装区围设在所述通孔区域的周侧；在所述通孔区域上形成通孔；在所述像素定义层上形成有机发光层；在位于所述封装区形成杂化层，所述杂化层覆盖所述封装区和所述通孔的孔壁。在本申请的OLED面板的制作方法中，在步骤：所述在位于所述封装区形成杂化层，之前，所述方法还包括步骤：将位于所述封装区的有机结构层的表面处理为粗糙面。在本申请的OLED面板的制作方法中，所述像素定义层和所述有机发光层组合形成所述有机结构层；所述在位于所述封装区形成杂化层，包括：在所述封装区中，采用原子渗透技术在所述有机结构层中形成无机物，所述无机物与所述有机结构层结合形成杂化层。在本申请的OLED面板的制作方法中，在形成所述杂化层之前，所述方法包括：在所述封装区中，去除所述有机发光层。在本申请的OLED面板的制作方法中，所述在位于所述封装区形成杂化层，包括：在所述封装区中，采用原子渗透技术在所述像素定义层中形成无机物，所述无机物与所述像素定义层结合形成杂化层。在本申请的OLED面板的制作方法中，在所述在位于所述封装区形成杂化层，步骤中；当采用原子渗透技术形成杂化层后，原子渗透技术继续进行，在所述杂化层上形成一无机层。在本申请的OLED面板的制作方法中，在形成所述有机发光层之前，所述方法包括：在所述封装区的像素定义层上开设凹槽。在本申请的OLED面板的制作方法中，形成所述杂化层之后，所述方法包括：依次在所述杂化层和所述有机发光层上形成第一无机层、有机层和第二无机层，所述第一无机层覆盖所述杂化层和所述有机发光层。相较于现有技术的OLED面板，本申请的OLED面板及其制作方法通过在封装区的有机结构层上形成杂化层，起到阻挡外界水氧入侵有机发光层的作用，同时增强与第一无机层的粘附力；解决了现有的OLED面板在挖孔后破坏TFE膜层的完整性，导致水氧从孔边缘入侵，进而破坏整个OLED面板的技术问题。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。图1为本申请第一实施例的OLED面板的结构示意图；图2为本申请第二实施例的OLED面板的结构示意图；图3为本申请第一实施例的OLED面板的制作方法的流程图；图4为本申请第一实施例的OLED面板的制作方法的另一流程图；图5为本申请第二实施例的OLED面板的制作方法的流程图。具体实施方式请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。请参照图1，图1为本申请第一实施例的OLED面板的结构示意图。本申请第一实施例的OLED面板100，其包括显示区域10a和通孔10b。显示区域10a围设在通孔10b的周边。显示区域10a包括封装区101。封装区101围设在通孔10b的周侧。封装区101包括一用于防止水氧入侵的杂化层111。杂化层111覆盖封装区101和通孔10b的孔壁。本第一实施例的OLED面板100通过在封装区101的有机结构层11上形成杂化层111，起到阻挡外界水氧入侵有机发光层114的作用。显示区域10a还包括一发光区102，发光区102位于封装区101背向通孔10b的周侧。杂化层111覆盖封装区101和通孔10b的孔壁，避免了水氧从通孔10进入封装区101，进而入侵发光区102。在本第一实施例的OLED面板100中，OLED面板100包括一有机结构层11。在封装区101中，采用原子渗透技术(AtomicLayerInfiltration，ALI)在有机结构层11中形成无机物，无机物与有机结构层11结合形成杂化层111。其中，有机结构层11具有有机聚合物结构，且有机聚合物结构中存在有自由体积孔，也就是孔洞。而ALI将目标无机物的前体分子渗透入有机结构层11的孔洞中，并在孔洞中进行反应形成目标无机物，目标无机物填充孔洞并与有机聚合物形成杂化层111。由于无机物填充了有机结构层11中的孔洞，使得杂化层111的气密性大大提高，进而可阻挡水氧入侵。因此，杂化层111的厚度越大，其防止水氧入侵的效果越好。而前体分子的渗透程度主要取决于前体蒸汽压力、暴露时间和温度。也就是说，可以通过调节上述三个因素，来调整杂化层111的厚度。在本第一实施例的OLED面板100中，位于封装区101的有机结构层11的表面为粗糙面。具体的，位于封装区101的有机结构层11的表面利用激光进行处理，使其表面粗糙化。由于有机结构层11表面的粗糙化，使得在进行ALI工艺时，提高杂化层的附着力。在本第一实施例的OLED面板100中，杂化层111上形成有一无机层112，无机层112本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED面板，其特征在于，包括：显示区域和通孔，所述显示区域围设在所述通孔的周边；所述显示区域包括封装区，所述封装区围设在所述通孔的周侧；所述封装区包括一用于防止水氧入侵的杂化层，所述杂化层覆盖所述封装区和所述通孔的孔壁。

【技术特征摘要】
1.一种OLED面板，其特征在于，包括：显示区域和通孔，所述显示区域围设在所述通孔的周边；所述显示区域包括封装区，所述封装区围设在所述通孔的周侧；所述封装区包括一用于防止水氧入侵的杂化层，所述杂化层覆盖所述封装区和所述通孔的孔壁。2.根据权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，所述OLED面板包括一有机结构层；在所述封装区中，采用原子渗透技术在所述有机结构层中形成无机物，所述无机物与所述有机结构层结合形成所述杂化层。3.根据权利要求2所述的OLED面板，其特征在于，位于所述封装区的有机结构层的表面为粗糙面。4.根据权利要求2或3所述的OLED面板，其特征在于，所述杂化层上形成有一无机层，所述无机层与所述杂化层通过所述原子渗透技术一体形成。5.根据权利要求2所述的OLED面板，其特征在于，所述OLED面板包括像素定义层和设置在所述像素定义层上的有机发光层；当所述有机结构层为所述像素定义层和所述有机发光层的组合时，在所述封装区中，所述杂化层形成在所述有机发光层和所述像素定义层中；当所述有机结构层为所述像素定义层时，在所述封装区中，所述杂化层形成在所述像素定义层中。6.根据权利要求5所述的OLED面板，其特征在于，位于所述封装区的像素定义层上开设有凹槽，所述杂化层覆盖所述凹槽。7.根据权利要求5所述的OLED面板，其特征在于，所述OLED面板还包括设置在所述有机发光层上的封装结构层，所述封装结构层包括第一无机层、有机层和第二无机层，所述有机层设置在所述第一无机层和所述第二无机层之间；所述第一无机层覆盖所述有机发光层和所述杂化层上。8.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成像素定义层，所述像素定义层包括一通孔区域和显示区域，所述显示区域围设在所述通孔区域设置的周...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭斯敏，夏存军，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42