用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路，包括电源VCC、晶闸管Q3、电容C39、电容C1和第一保护组件电路，所述晶闸管Q3的阳极连接所述电源VCC，所述电容C39和所述电容C1的第一端连接所述晶闸管Q3的阴极，且连接晶体管显示器，所述电容C39和所述电容C1的第二端连接地端，所述电阻R184的第一端连接所述电源控制端口PWR‑EN，所述电容C4的第一端和所述三极管Q21的基极与所述电阻R184的第二端连接，所述三极管Q21的集电极连接所述晶闸管Q3的门极，所述电容C4的第二端和所述三极管Q21的发射极均连接地端，用以检测电压电流，将超过的电压电流旁路于地，隔离保护电路。

Overvoltage Overcurrent Isolation and Protection Circuit for Motorcycle Intelligent Instrument Panel

【技术实现步骤摘要】
用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路
本技术涉及保护电路
，尤其涉及一种用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路。
技术介绍
LCD显示器显示摩托车的数据信息，摩托车仪表盘在电源启动或运行中容易产生瞬间过压，或者负载短路或过载情况下会产生过大电流，从而对LCD显示电路造成损害，增加更换成本，甚至发生危险。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路，旨在解决摩托车智能仪表盘启动或运行中容易产生过压过流情况，从而对电路造成损害，增加更换成本，甚至发生危险的问题。为实现上述目的，本技术提供了一种用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路，所述用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路包括电源VCC、晶闸管Q3、电容C39、电容C1和第一保护组件电路，所述晶闸管Q3的阳极连接所述电源VCC，所述电容C39和所述电容C1的第一端连接所述晶闸管Q3的阴极，且连接晶体管显示器，所述电容C39和所述电容C1的第二端连接地端，所述第一保护组件电路的一端连接所述晶闸管Q3的门极，另一端连接单片机的电源控制端口PWR-EN；所述第一保护组件电路包括电阻R184、电容C4和三极管Q21，所述电阻R184的第一端连接所述电源控制端口PWR-EN，所述电容C4的第一端和所述三极管Q21的基极与所述电阻R184的第二端连接，所述三极管Q21的集电极连接所述晶闸管Q3的门极，所述电容C4的第二端和所述三极管Q21的发射极均连接地端。其中，所述第一保护组件电路还包括电阻R17和电阻R16，所述电阻R17的第一端与所述晶闸管Q3的门极连接，第二端与所述三极管Q21的集电极连接，所述电阻R16的第一端连接所述电源VCC和所述晶闸管Q3的阳极，第二端与所述电阻R17的第一端连接。其中，所述过压过流隔离保护电路还包括三端口电流固定电压稳压器，所述三端口电流固定电压稳压器U6的第一端与所述电容C1的第一端连接，第二端连接地端，第三端连接晶体管显示器。其中，所述过压过流隔离保护电路还包括电容C21和电容C65，所述电容C21和所述电容C65的第一端与所述三端口电流固定电压稳压器U6的第三端连接，所述电容C21和所述容C65的第二端均连接地端。其中，所述过压过流隔离保护电路还包括第二保护组件电路，所述第二保护组件电路包括保护芯片U7、电阻R124、电阻R123和电容C43，所述保护芯片U7的第一端连接MCU电源，所述电阻R124的第一端连接电源控制端口PWR-EN，第二端连接所述保护芯片U7的第三端，所述电阻R123的第一端连接所述保护芯片U7的第四端，所述电容C43的第一端连接所述保护芯片U7的第五端，所述保护芯片U7的第二端、所述电阻R123和所述电容C43的第二端均接地端。其中，所述第二保护组件电路还包括稳压二极管D1，所述稳压二极管D1的正极连接所述电容C43的第一端连接，所述稳压二极管D1的负极连接多个LCD。本技术的用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路，通过所述晶闸管Q3的阳极连接所述电源VCC，所述电容C39和所述电容C1的第一端连接所述晶闸管Q3的阴极，且连接晶体管显示器，所述电容C39和所述电容C1的第二端连接地端，所述电阻R184的第一端连接所述电源控制端口PWR-EN，所述电容C4的第一端和所述三极管Q21的基极与所述电阻R184的第二端连接，所述三极管Q21的集电极连接所述晶闸管Q3的门极，所述电容C4的第二端和所述三极管Q21的发射极均连接地端，用以检测电压电流，将超过的电压电流旁路于地，隔离保护电路。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术一种用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路的较佳实施方式的电路示意图；图2是本技术第二保护组件电路的电路示意图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。请参阅图1，本技术提供了一种用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路，所述用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路包括电源VCC、晶闸管Q3、电容C39、电容C1和第一保护组件电路，所述晶闸管Q3的阳极连接所述电源VCC，所述电容C39和所述电容C1的第一端连接所述晶闸管Q3的阴极，且连接晶体管显示器，所述电容C39和所述电容C1的第二端连接地端，所述第一保护组件电路的一端连接所述晶闸管Q3的门极，另一端连接单片机的电源控制端口PWR-EN；所述第一保护组件电路包括电阻R184、电容C4和三极管Q21，所述电阻R184的第一端连接所述电源控制端口PWR-EN，所述电容C4的第一端和所述三极管Q21的基极与所述电阻R184的第二端连接，所述三极管Q21的集电极连接所述晶闸管Q3的门极，所述电容C4的第二端和所述三极管Q21的发射极均连接地端。在本实施方式中，所述电源VCC给电路供电，所述电源VCC电压为12V，所述晶闸管Q3的阳极连接所述电源VCC，所述晶闸管有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制。所述电容C39和所述电容C1的第一端连接所述晶闸管Q3的阴极，且连接晶体管显示器，所述电容C39和所述电容C1的第二端连接地端，所述电容C39和所述电容C1具有通交流阻直流，通低频阻高频的特性，具有滤波作用。所述电阻R184的第一端连接所述电源控制端口PWR-EN，所述电容C4的第一端和所述三极管Q21的基极与所述电阻R184的第二端连接，所述三极管Q21的集电极连接所述晶闸管Q3的门极，所述电容C4的第二端和所述三极管Q21的发射极均连接地端。当电路中的电压电流过大时，单片机输送信号，所述电阻R184具有限流作用，避免电流过大烧坏所述三极管Q21，所述电容C4具有滤波作用，使电流更加的平滑，使所述三极管Q21导通更稳定，所述三极管Q21处于导通状态，电路中的电流电压经所述晶闸管Q3的门极流向所述三极管Q21的集电极，从而流向地端，避免烧坏后端电路，起到过压过流隔离保护的作用。当电压电流处于正常预设值时，单片机输送信号，所述三极管Q21不导通，电流经所述晶闸管的阴极流出，经所述电容C39和所述电容C1滤波后流向晶体管显示器，正常工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路，其特征在于，包括电源VCC、晶闸管Q3、电容C39、电容C1和第一保护组件电路，所述晶闸管Q3的阳极连接所述电源VCC，所述电容C39和所述电容C1的第一端连接所述晶闸管Q3的阴极，且连接晶体管显示器，所述电容C39和所述电容C1的第二端连接地端，所述第一保护组件电路的一端连接所述晶闸管Q3的门极，另一端连接单片机的电源控制端口PWR‑EN；所述第一保护组件电路包括电阻R184、电容C4和三极管Q21，所述电阻R184的第一端连接所述电源控制端口PWR‑EN，所述电容C4的第一端和所述三极管Q21的基极与所述电阻R184的第二端连接，所述三极管Q21的集电极连接所述晶闸管Q3的门极，所述电容C4的第二端和所述三极管Q21的发射极均连接地端。

【技术特征摘要】
1.一种用于摩托车智能仪表盘的过压过流隔离保护电路，其特征在于，包括电源VCC、晶闸管Q3、电容C39、电容C1和第一保护组件电路，所述晶闸管Q3的阳极连接所述电源VCC，所述电容C39和所述电容C1的第一端连接所述晶闸管Q3的阴极，且连接晶体管显示器，所述电容C39和所述电容C1的第二端连接地端，所述第一保护组件电路的一端连接所述晶闸管Q3的门极，另一端连接单片机的电源控制端口PWR-EN；所述第一保护组件电路包括电阻R184、电容C4和三极管Q21，所述电阻R184的第一端连接所述电源控制端口PWR-EN，所述电容C4的第一端和所述三极管Q21的基极与所述电阻R184的第二端连接，所述三极管Q21的集电极连接所述晶闸管Q3的门极，所述电容C4的第二端和所述三极管Q21的发射极均连接地端。2.如权利要求1所述的过压过流隔离保护电路，其特征在于，所述第一保护组件电路还包括电阻R17和电阻R16，所述电阻R17的第一端与所述晶闸管Q3的门极连接，第二端与所述三极管Q21的集电极连接，所述电阻R16的第一端连接所述电源VCC和所述晶闸管Q3的阳极，第二端与所述电阻R17的第一端连接。3.如权利要求1所述的过压过流隔离保护电路，其特征在于，所述过压过流隔离保...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏熙淳，夏习彬，
申请(专利权)人：重庆联导金宏实业有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆,50