薄膜沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种薄膜沉积装置，包括：腔室，提供在基板上沉积薄膜的沉积空间；气体供给部，具备至少一个向所述基板供给原料气体与反应气体且排出残留气体的气体供给模块，具备到所述沉积空间的上部；以及基板支撑部，具备到所述沉积空间的下部，安装基板且与所述气体供给部进行相对移动；且所述气体供给模块具备向所述基板供给原料气体的一对原料气体供给通道、及相隔具备到所述一对原料气体供给通道的一侧而向所述基板供给反应气体的反应气体供给通道，且包括在所述一对原料气体供给通道之间排出残留气体的第一排气通道。本发明专利技术的薄膜沉积装置在通过原子层沉积法沉积薄膜时，可最大限度地抑制在供给处理气体的气体供给部产生粉末。

Thin Film Deposition Device

【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积装置
本专利技术涉及一种薄膜沉积装置，更详细而言，涉及一种在通过原子层沉积法沉积薄膜时，可最大限度地抑制在供给处理气体的气体供给部产生粉末(powder)的薄膜沉积装置。
技术介绍
作为用以在半导体晶片等基板(以下，称为“基板”)上形成薄膜的沉积法，一直以来使用化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition，CVD)、原子层沉积法(AtomicLayerDeposition，ALD)等技术。图7是表示薄膜沉积法中的原子层沉积法的基本概念的概略图。参照图7，原子层沉积法的基本概念如下：原子层沉积法是向基板上喷射包括如三甲铝(TriMethylAluminium，TMA)的原料的原料气体而使原料气体吸附到所述基板上，喷射氩气(Ar)等惰性吹扫气体而排出未吸附的原料气体，之后喷射包括与所述原料进行反应的如臭氧(O3)的反应物的反应气体而在基板上形成单原子层(Al-O)，通过惰性吹扫气体排出未反应物质及副产物。使用于原子层沉积法的以往的薄膜沉积装置是在时间上或空间上分离原料气体与反应气体而向基板喷射。其中，在时间上分离原料气体与反应气体进行供给的方式在中途需要抽运时间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括：腔室，提供在基板上沉积薄膜的沉积空间；气体供给部，具备至少一个向所述基板供给原料气体与反应气体且排出残留气体的气体供给模块，具备到所述沉积空间的上部；以及基板支撑部，具备到所述沉积空间的下部，安装所述基板且与所述气体供给部进行相对移动；且所述气体供给模块具备向所述基板供给所述原料气体的一对原料气体供给通道、及相隔具备到所述一对原料气体供给通道的一侧而向所述基板供给所述反应气体的反应气体供给通道，且包括在所述一对原料气体供给通道之间排出所述残留气体的第一排气通道。

【技术特征摘要】
2017.12.19 KR 10-2017-01748801.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括：腔室，提供在基板上沉积薄膜的沉积空间；气体供给部，具备至少一个向所述基板供给原料气体与反应气体且排出残留气体的气体供给模块，具备到所述沉积空间的上部；以及基板支撑部，具备到所述沉积空间的下部，安装所述基板且与所述气体供给部进行相对移动；且所述气体供给模块具备向所述基板供给所述原料气体的一对原料气体供给通道、及相隔具备到所述一对原料气体供给通道的一侧而向所述基板供给所述反应气体的反应气体供给通道，且包括在所述一对原料气体供给通道之间排出所述残留气体的第一排气通道。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述气体供给模块还具备向所述基板供给吹扫气体的一对第一吹扫气体供给通道，在所述一对原料气体供给通道的外侧配置所述一对第一吹扫气体供给通道。3.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置，其特征在于，在所述原料气体供给通道与所述第一吹扫气体供给通道之间无排出所述残留气体的排气通道。4.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置，其特征在于，在所述反应气体供给通道与所述第一吹扫气体供给通道之间具备第二排气通道。5.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置，其特征在于，在所述气体供给模块的两侧边缘的至少一侧还具备外部排气通道。6.根据权利要求5所述的薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李洪宰，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR