集成电路和设计集成电路的布局的方法技术

提供了一种集成电路和设计集成电路的布局的方法。所述方法包括：准备存储第一标准单元和第二标准单元的标准单元库，第一标准单元和第二标准单元中的每个包括沿第一方向延伸的多条导线，将第一标准单元和第二标准单元放置成沿平行于所述多条导线的第一边界彼此邻近，当同一电压被施加到在第一标准单元中邻近第一边界的第一图案和在第二标准单元中邻近第一边界的第二图案时，通过使用所述多条导线中的至少一条第一导线产生去耦电容器，所述至少一条第一导线邻近第一边界。

【技术实现步骤摘要】
集成电路和设计集成电路的布局的方法本申请要求于2014年10月22日在美国专利局提交的第62/066977号美国临时申请和在2015年5月29日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0076546号韩国专利申请的权益，该美国临时申请和韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
专利技术构思涉及一种集成电路(IC)，更具体地，涉及一种包括至少一个标准单元的IC和设计包括至少一个标准单元的IC的布局的方法。
技术介绍
设计半导体集成电路(IC)包含将芯片的行为模型转换为特定的结构模型的工艺，所述芯片的行为模型描述了在半导体系统中将被执行的操作，特定的结构模型描述了芯片组件之间的连接。当针对包括在半导体IC中的单元产生库并且利用库来实现半导体IC时，可以减少设计和实现半导体IC所需的时间和成本。
技术实现思路
在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，提供了一种设计集成电路(IC)的布局的方法，所述方法包括：准备存储第一标准单元和第二标准单元的标准单元库，第一标准单元和第二标准单元中的每个包括沿第一方向延伸的多条导线；将第一标准单元和第二标准单元放置成在平行于多条导线的第一边界彼此邻近；当本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设计电子处理器中的集成电路的布局的方法，所述方法包括：接收将集成电路限定为第一标准单元和第二标准单元的输入数据；利用处理器通过访问存储器得到存储第一标准单元和第二标准单元的标准单元库，第一标准单元和第二标准单元中的每个包括沿第一方向延伸的多条导线；利用处理器将第一标准单元和第二标准单元放置成在平行于所述多条导线的第一边界彼此邻近；以及当同一电压将被施加到在第一标准单元中邻近第一边界的第一图案和在第二标准单元中邻近第一边界的第二图案时，利用处理器通过使用所述多条导线中的至少一条第一导线产生去耦电容器，所述至少一条第一导线邻近第一边界。

【技术特征摘要】
2015.05.29 KR 10-2015-0076546;2014.10.22 US 62/0661.一种设计电子处理器中的集成电路的布局的方法，所述方法包括：接收将集成电路限定为第一标准单元和第二标准单元的输入数据；利用处理器通过访问存储器得到存储第一标准单元和第二标准单元的标准单元库，第一标准单元和第二标准单元中的每个包括沿第一方向延伸的多条导线；利用处理器将第一标准单元和第二标准单元放置成在平行于所述多条导线的第一边界彼此邻近；以及当同一电压将被施加到在第一标准单元中邻近第一边界的第一图案和在第二标准单元中邻近第一边界的第二图案时，利用处理器通过使用所述多条导线中的至少一条第一导线产生去耦电容器，所述至少一条第一导线邻近第一边界。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一条第一导线设置在第一边界上。3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括当不同的电压将被施加到第一图案和第二图案时，通过使用所述至少一条第一导线作为虚设线来使第一标准单元与第二标准单元绝缘。4.根据权利要求1所述的方法，其中，第一标准单元和第二标准单元中的至少一个包括设置在第一边界上的切割层，切割层被构造为使第一标准单元与第二标准单元绝缘；去耦电容器的产生还包括当所述同一电压将被施加到第一图案和第二图案时，去除第一图案与第二图案之间的切割层以产生去耦电容器。5.根据权利要求4所述的方法，其中，第一标准单元还包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第一鳍；第二标准单元还包括沿第二方向延伸的第二鳍；切割层被设置为使包括在第一标准单元中的第一鳍与包括在第二标准单元中的第二鳍绝缘。6.根据权利要求5所述的方法，其中，第一图案是设置在第一鳍中的一些上的第一接触图案；第二图案是设置在第二鳍中的一些上的第二接触图案；第一鳍的第一接触鳍、第二鳍的第二接触鳍和所述至少一条第一导线实现对应于去耦电容器的晶体管，第一接触鳍和第二接触鳍分别连接到第一接触图案和第二接触图案。7.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括当不同的电压将被施加到第一图案和第二图案时，在第一图案与第二图案之间维持切割层使得第一导线变为虚设线。8.根据权利要求4所述的方法，其中，第一标准单元和第二标准单元中的至少一个还包括设置在与第一边界相对的第二边界上的附加的切割层。9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括当不同的电压将被施加到第一图案和第二图案时，在放置第一标准单元和第二标准单元之后在第一图案与第二图案之间产生切割层，切割层被构造为使第一标准单元与第二标准单元绝缘。10.根据权利要求9所述的方法，其中，第一标准单元还包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第一鳍；第二标准单元还包括沿第二方向延伸的第二鳍；切割层设置为使包括在第一标准单元中的第一鳍与包括在第二标准单元中的第二鳍绝缘。11.根据权利要求10所述的方法，其中，第一图案是设置在第一鳍中的一些上的第一接触图案；第二图案是设置在第二鳍中的一些上的第二接触图案；第一鳍的第一接触鳍、第二鳍的第二接触鳍和...

【专利技术属性】
技术研发人员：金珍泰，金昌汎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR