【技术实现步骤摘要】
波长转换膜及其制造方法、和具有其的半导体发光设备相关申请的交叉引用本申请要求于2017年12月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0176555的优先权的利益，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本公开涉及一种包括玻璃成分的波长转换膜。更具体地说，本专利技术构思涉及一种波长转换膜和使用该波长转换膜的半导体发光设备。
技术介绍
通常，诸如荧光物质之类的波长转换材料将特定光源所产生的具有特定波长的光转换为具有不同波长的光。这种波长转换材料可以与各种形式的光源组合，以被广泛用作提供波长与第一光的波长不同的第二光的技术。近年来，波长转换材料与发射单色光的半导体发光装置结合使用。具体地说，由于半导体发光装置不仅以较低功率工作，而且具有优异的光学效率，因此半导体发光装置有利地用作LCD背光、车灯和家用照明设备中的替代光源。通常，诸如量子点或陶瓷荧光物质的波长转换材料可以通过与设置在半导体发光装置周围的模制树脂混合来使用，或者可以直接应用于芯片表面。在这种情况下，由于半导体发光装置发射的高能短波长光和半导体发光装置中产生的热，波长转换材料可能劣化和...
【技术保护点】
1.一种波长转换膜，包括：烧结体，其包括波长转换材料以及玻璃成分，所述波长转换材料还包括：量子点，其具有芯‑壳结构；以及保护层，其涂布所述量子点的表面，其中，所述量子点的壳包含Zn、S和Se中的至少一个，并且所述保护层不包含S或Se，并且所述玻璃成分包括基于SnO2‑P2O5‑SiO2的成分。
【技术特征摘要】
2017.12.20 KR 10-2017-01765551.一种波长转换膜，包括：烧结体，其包括波长转换材料以及玻璃成分，所述波长转换材料还包括：量子点，其具有芯-壳结构；以及保护层，其涂布所述量子点的表面，其中，所述量子点的壳包含Zn、S和Se中的至少一个，并且所述保护层不包含S或Se，并且所述玻璃成分包括基于SnO2-P2O5-SiO2的成分。2.根据权利要求1所述的波长转换膜，其中，所述玻璃成分包括基于所述玻璃成分的总重量的量为25wt％至95wt％的SnO2、量为5wt％至70wt％的P2O5和量为1wt％至30wt％的SiO2。3.根据权利要求2所述的波长转换膜，其中，所述玻璃成分包括量为10wt％或更少的选自由Na2O、MgO、Al2O3、CaO、K2O和Li2O组成的组中的至少一个。4.根据权利要求1所述的波长转换膜，其中，所述玻璃成分的转变温度(Tg)在100℃至300℃的范围内。5.根据权利要求1所述的波长转换膜，其中，所述玻璃成分的模制温度(Tw)在150℃至400℃的范围内。6.根据权利要求1所述的波长转换膜，其中，所述保护层是聚乙烯丙烯酸或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。7.根据权利要求1所述的波长转换膜，其中，所述保护层是选自由SiO2、Al2O3、ZnO、SiOxNy和Si3N4组成的组中的氧化物或氮化物。8.根据权利要求1所述的波长转换膜，其中，所述量子点是选自由InP/ZnS、InP/ZnSe、CdSe/CdS、CdSe/ZnS、PbS/ZnS和InP/GaP/ZnS组成的组中的一种。9.根据权利要求8所述的波长转换膜，其中，所述量子点是绿色量子点或红色量子点。10.根据权利要求8所述的波长转换膜，其中，所述量子点的直径在5nm至20nm的范围内。11.根据权利要求8所述的波长转换膜，还包括：红色陶瓷荧光物质，其中，所述量子点是绿色量子点。12.根据权利要求11所述的波长转换膜，其中，所述红色陶瓷荧光物质包括由组成式AxMFy:Mn4+表示的氟化物荧光物质，其中A是选自Li、Na、K、Rb和Cs中的至少一个，M是选自Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn中的至少一个，并且所述组成式满足2≤x≤3和4≤y≤7。13.根据权利要求8所述的波长转换膜，其中，所述波长转换膜具有片形或板形。14.一种制造波长转换膜的方法，包括：形成基于SnO2-P2O5-SiO2的玻璃成分；用所述玻璃成分与波长转换材料的混合物形成模制制品；以及在300℃或更低的温度下烧结所述模制制品，其中，所述波长转换材料包括具有芯-壳结构的量子点和涂布所述量子点的表面的保护层，并且所述量子点的壳包含Zn、S和Se中的至...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔成宇，吴定绿，尹净珢，尹喆洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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