一种GaAs基LED管芯制作方法技术

一种GaAs基LED管芯制作方法，包括如下步骤：a)将生长有外延层的砷化镓基LED晶片进行背面减薄；b)将减薄后的LED晶片的背面的GaAs衬底在常温条件下利用电子束蒸发台在真空环境下使用Ni材料及Au材料蒸镀制成N面电极；c)将晶片放置到电子束蒸发台内，在真空调节下对LED晶片正面加热蒸镀一层氯化铯薄膜；d)P电极掩膜图形制作；e)欧姆接触层和P电极制作；g)使用锯片机对LED晶片进行管芯切割操作，得到分割完成的管芯。整个管芯结构的制作过程工艺简单，不需要使用腐蚀型溶液，全部使用常规设备制作，整个过程制操作简单，原材料成本较低，制成步骤简短，能够快速实现管芯的制作，适用于大规模量化生产，通用于所有砷化镓基发光二极管中的管芯结构的制作工艺。

A Method of Making GaAs-based LED Tube Core

【技术实现步骤摘要】
一种GaAs基LED管芯制作方法
本专利技术涉及光电子
，具体涉及一种GaAs基LED管芯制作方法。
技术介绍
发光二极管，即LED（LightEmittingDiode），是一种半导体器件，被称为第三代照明光源，它能够将电能直接转化为光能，从而发光。发光二极管具有以下优点：尺寸小、重量轻、容易小型化和集成化，制作成的灯珠寿命长，响应时间短，能够制作出各种不同波长的光，亮度高、功耗小，一种完全固体化的发光器件。目前，制作发光二极管的衬底，使用较多的为蓝宝石衬底，硅衬底，碳化硅衬底，氮化镓衬底，砷化镓衬底等。（1）蓝宝石衬底，生产技术成熟、器件质量较好；稳定性能好，能够运用于高温生长；机械强度好，方便处理和清洗。（2）硅衬底，能够实现电流的横向流动和纵向流动；发光面积较大出光效率较高；硅衬底具有非常好的导热性，能够延长器件的寿命。（3）碳化硅衬底，导热性能高出蓝宝石衬底10倍以上；具有较高的出光效率。（4）氮化镓衬底，可以提高外延层的晶体质量，缺陷相对较少。（5）砷化镓衬底，使用砷化镓衬底制作成的发光二极管具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等诸多优点。本专利技术是基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaAs基LED管芯制作方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将生长有外延层（3）的砷化镓基LED晶片进行背面减薄；b)将减薄后的LED晶片的背面的GaAs衬底（2）在常温条件下利用电子束蒸发台在真空环境下使用Ni材料及Au材料蒸镀制成N面电极（1）；c)将晶片放置到电子束蒸发台内，在真空调节下对LED晶片正面加热蒸镀一层氯化铯薄膜（4）；d‑1)使用正性光刻胶在晶片正面进行涂胶，将涂胶完成的LED晶片进行烘干；d‑2)将LED晶片进行曝光，曝光完成后进行二次烘干；d‑3)将二次烘干后的LED晶片放入显影液中进行显影操作，同时进行超声处理，完成显影的同时去除多余氯化铯薄膜（4）；d‑4超...

【技术特征摘要】
1.一种GaAs基LED管芯制作方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将生长有外延层（3）的砷化镓基LED晶片进行背面减薄；b)将减薄后的LED晶片的背面的GaAs衬底（2）在常温条件下利用电子束蒸发台在真空环境下使用Ni材料及Au材料蒸镀制成N面电极（1）；c)将晶片放置到电子束蒸发台内，在真空调节下对LED晶片正面加热蒸镀一层氯化铯薄膜（4）；d-1)使用正性光刻胶在晶片正面进行涂胶，将涂胶完成的LED晶片进行烘干；d-2)将LED晶片进行曝光，曝光完成后进行二次烘干；d-3)将二次烘干后的LED晶片放入显影液中进行显影操作，同时进行超声处理，完成显影的同时去除多余氯化铯薄膜（4）；d-4超声完成后使用非水溶性有机溶剂进行去胶处理，在LED晶片上得到氯化铯电极掩膜图形；f-1)将LED晶片放置到电子束蒸发台内，加热蒸镀欧姆接触层（5），蒸镀完成后控制电子束蒸发台的腔室温度上升到380℃-400℃，恒温保持30-45min，使P电极及N电极完成合金，之后将腔室温度冷却至70℃以下，使LED晶片的P电极进行蒸镀制成TiAl金属层（6）；f-2)将LED晶片放置到乙醇中，进行超声清洗，使用粘性膜覆盖法将多余金属取出，得到具有欧姆接触层的P电极图形；g)使用锯片机对LED晶片进行管芯切割操作，得到分割完成的管芯。2.根据权利要求1所述的GaAs基LED管芯制作方法，其特征在于：步骤b)中的Ni材料蒸镀后的厚度为50-200埃，Au材料蒸镀后的厚度为2000-3000埃。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓强，张兆喜，闫宝华，刘琦，肖成峰，郑兆河，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37