具有支撑图案的半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：在半导体衬底上的多个柱；以及支撑图案，与柱的一些侧表面接触并将柱彼此连接，其中支撑图案包括暴露柱的其它侧表面的开口，每个柱包括与支撑图案接触的第一柱上部以及与支撑图案间隔开的第二柱上部，第二柱上部具有凹入斜面。

Semiconductor Devices with Supporting Patterns

【技术实现步骤摘要】
具有支撑图案的半导体器件
实施方式涉及包括支撑图案的半导体器件。
技术介绍
半导体器件由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子工业中是有益的。
技术实现思路
实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：在半导体衬底上的多个柱；以及支撑图案，与柱的一些侧表面接触并将柱彼此连接，其中支撑图案包括暴露柱的其它侧表面的开口，每个柱包括与支撑图案接触的第一柱上部以及与支撑图案间隔开的第二柱上部，第二柱上部具有凹入斜面。实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：在半导体衬底上的多个底电极；以及支撑图案，与底电极的一些侧表面接触并将底电极彼此连接，其中支撑图案包括暴露底电极的其它侧表面的开口，底电极的上部的每个具有部分凹入的斜面。实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：在半导体衬底上的多个底电极；以及支撑图案，与底电极的一些侧表面接触并将底电极彼此连接，其中支撑图案包括暴露底电极的其它侧表面的开口，底电极的上部的每个具有部分凹入的斜面，支撑图案的底表面比该凹入的斜面的底端离半导体衬底更远。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员将明显，附图中：图1示出显示了根据示例性实施方式的半导体器件的俯视图。图2示出沿图1的线C-C'截取的剖视图。图3A示出显示了图1或2的一部分的透视图。图3B示出显示了底电极的上部的放大剖视图。图4示出显示了根据示例性实施方式的半导体器件的剖视图。图5示出显示了根据示例性实施方式的半导体器件的剖视图。图6示出部分显示了图5的半导体器件的透视图。图7示出显示了根据示例性实施方式的半导体器件的俯视图。图8至12示出在制造具有图2的剖面的半导体器件的方法中的阶段的剖视图。图13示出显示了根据示例性实施方式的半导体器件的剖视图。图14示出显示了制造具有图13的剖面的半导体器件的方法的剖视图。具体实施方式图1示出显示了根据示例性实施方式的半导体器件的俯视图。图2示出沿图1的线C-C'截取的剖视图。图3A示出显示了图1或2的一部分的透视图。图3B示出显示了底电极的上部的放大剖视图。参照图1、2、3A和3B，可以提供半导体衬底102。半导体衬底102可以是或者可以包括例如单晶硅衬底。层间电介质层104可以设置在半导体衬底102上。层间电介质层104可以由例如硅氧化物层形成。层间电介质层104中可以提供有穿透层间电介质层104以与半导体衬底102电连接的多个底电极接触106。底电极接触106可以包括杂质掺杂的多晶硅图案、钛氮化物层和钨层中的一个或更多个。在一实现方式中，半导体衬底102上可以提供有限定有源区的器件隔离层。半导体衬底102中可以提供有掩埋字线。字线可以通过栅极电介质层和盖图案与半导体衬底102绝缘。源/漏区可以被提供为包括设置在每个字线的相反两侧上的半导体衬底102中的杂质掺杂区。每个字线的一侧上的杂质掺杂区可以电连接到对应的位线。底电极接触106可以电连接到每个字线的相反一侧上的对应的杂质掺杂区。蚀刻停止层108可以设置在层间电介质层104上。蚀刻停止层108可以由例如硅氮化物层形成。蚀刻停止层108上可以提供有穿透蚀刻停止层108以与对应的底电极接触106接触的底电极BE。底电极BE可以全部具有相同的形状并由相同的材料形成。例如，底电极BE可以由钛氮化物或杂质掺杂的多晶硅形成。底电极BE可以具有如图1所示在俯视图中拥有圆形剖面的柱形状、以及如图2所示在剖视图中没有空腔的插塞形状。每个底电极BE可以具有上部与支撑图案112接触的侧表面。支撑图案112可以由例如硅氮化物层形成。支撑图案112可以与所有底电极BE的侧表面接触。支撑图案112可以包括开口140。如图2的剖视图所示，支撑图案112可以具有上部和下部。所述下部的宽度可以大于所述上部的宽度。支撑图案112可以具有拥有凹陷轮廓的侧表面。每个底电极BE可以包括与支撑图案112接触的第一柱上部P1以及与支撑图案112间隔开的第二柱上部P2。第一柱上部P1可以具有在与支撑图案112的顶端的高度相同的高度(例如离半导体衬底102的距离)处的顶端(例如远离半导体衬底102的端部)。第一柱上部P1可以具有与支撑图案112的顶表面共面的顶表面。第二柱上部P2可以被暴露在开口140中的对应开口内。第二柱上部P2可以具有凹陷面R。凹陷面R可以被称为凹入斜面。凹陷面R可以是弯曲表面。凹陷面R可以从第二柱上部P2的下端边缘E2与邻近第二柱上部P2的第一柱上部P1的上端边缘E1之间的直线L凹进。第二柱上部P2的下端边缘E2可以对应于凹陷面R的底端。支撑图案112可以具有在第一高度H1(例如，离半导体衬底102的第一距离)处的底表面。第二柱上部P2的下端边缘E2可以位于第二高度H2(例如，离半导体衬底102的第二距离)处。第一高度H1可以大于第二高度H2。如图2所示，暴露于一个开口140或暴露在一个开口140处的相邻底电极BE之间的上部的间隔D1可以大于所述相邻底电极BE之间的下部的间隔D2。凹陷面R可以部分地提供在每个底电极BE的上部上。参照图1和3A，当第一柱上部P1和第二柱上部P2之间的边界N1与支撑图案112的侧表面S1连接时，可以获得平面圆形，支撑图案112的开口140暴露侧表面S1。当在俯视图中看时，底电极BE可以具有圆形形状，该圆形形状的中心C1被边界N1穿过或者穿过边界N1。电介质层124可以共形地覆盖支撑图案112的表面和底电极BE的表面。电介质层124可以由例如介电常数大于硅氧化物层的介电常数的诸如铝氧化物层的金属氧化物层形成。电介质层124可以用顶电极TE覆盖。顶电极TE可以由例如钛氮化物层、钨层、杂质掺杂的多晶硅层或杂质掺杂的硅锗层形成。图4示出显示了根据示例性实施方式的半导体器件的剖视图。参照图4，根据一些实施方式的半导体器件可以被构造使得支撑图案112在其下部与上部之间具有相同或均一的宽度。当模制层(见图11的110)在制造半导体器件过程中被去除时，可以控制蚀刻剂和/或工艺条件以改变支撑图案112的最终形状。其它构造可以与参照图1至3B所述的构造相同或相似。图5示出显示了根据示例性实施方式的半导体器件的剖视图。图6示出部分显示了图5的半导体器件的透视图。参照图5和6，根据一些实施方式的半导体器件可以被构造使得底电极BE具有杯形状(例如中空圆筒形状)，该杯形状的芯是空的。底电极BE可以包括与支撑图案112接触的第一柱上部P1、以及与支撑图案112间隔开的第二柱上部P2。第一柱上部P1可以具有在与支撑图案112的顶端的高度相同的高度处的顶端。第一柱上部P1可以具有与支撑图案112的顶表面共面的顶表面。如图5所示，底电极BE可以具有空的芯，并且在图5中呈现为第二柱上部P2与第一柱上部P1间隔开。然而，如图6所示，第二柱上部P2可以连接到第一柱上部P1。第二柱上部P2在俯视图中可以具有“C”形状。第二柱上部P2可以被暴露在开口140中的对应开口内。第二柱上部P2可以具有凹陷面R。凹陷面R可以被称为凹入斜面。支撑图案112可以具有在比凹陷面R的底端的位置高的位置处的底表面(例如，面向半导体衬底102的表面)。电介质层124不仅可以共形地覆盖底电极BE的外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底上的多个柱；以及支撑图案，与所述柱的一些侧表面接触并且将所述柱彼此连接，其中所述支撑图案包括暴露所述柱的其它侧表面的开口，所述柱的每个包括与所述支撑图案接触的第一柱上部以及与所述支撑图案间隔开的第二柱上部，以及所述第二柱上部具有凹入斜面。

【技术特征摘要】
2018.01.03 KR 10-2018-00007721.一种半导体器件，包括：在半导体衬底上的多个柱；以及支撑图案，与所述柱的一些侧表面接触并且将所述柱彼此连接，其中所述支撑图案包括暴露所述柱的其它侧表面的开口，所述柱的每个包括与所述支撑图案接触的第一柱上部以及与所述支撑图案间隔开的第二柱上部，以及所述第二柱上部具有凹入斜面。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一柱上部的顶端具有与所述支撑图案的顶端的高度相同的高度。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二柱上部被暴露在所述开口中的对应开口内。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑图案的侧表面以及所述第一柱上部与所述第二柱上部之间的边界限定平面圆形或多边形形状，所述支撑图案的所述侧表面暴露于所述开口。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑图案包括彼此面对的顶表面和底表面，以及所述底表面的宽度大于所述顶表面的宽度。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述柱的每个是底电极并且具有插塞形状或杯形状。7.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：电介质层，共形地覆盖所述支撑图案的表面和所述柱的表面；以及在所述电介质层上的顶电极。8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑图案的底表面离所述半导体衬底具有比所述凹入斜面的底端的高度大的高度。9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述凹入斜面形成弯曲表面。10.如权利要求6所述的半导体器件，还包括辅助支撑图案，所述辅助支撑图案在所述支撑图案之下并且与所述底电极的侧壁接触，其中所述辅助支撑图案与所述支撑图案间隔开并且具有与所述支撑图案的平面形状相同的平面形状。11.如权利要求10所述的半导体器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：南奇亨，金奉秀，黄有商，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR