一种用于清洁静电吸盘的工具制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于清洁静电吸盘的工具，静电吸盘包含第一圆柱体及第二圆柱体，第二圆柱体位于第一圆柱体的上表面，且第一圆柱体的半径大于第二圆柱体的半径，工具包括：刀片，刀片包含第一刀头及与第一刀头相连接的第二刀头，第二刀头的宽度大于第一刀头的宽度；第一刀头包括棱角及清洁平面，通过棱角清洁第一圆柱体与第二圆柱体之间的缝隙，通过清洁平面清洁第二圆柱体的侧壁及第一圆柱体与第二圆柱体所形成的台阶面；第二刀头包括倒角，通过倒角清洁第二圆柱体的边缘。对静电吸盘进行彻底清洁；降低对静电吸盘表面镀层的损害；降低成本；降低污染物的含量；方便快捷，易于操作；从而提高产品质量。

A tool for cleaning electrostatic sucker

【技术实现步骤摘要】
一种用于清洁静电吸盘的工具
本技术属于半导体集成电路领域，涉及一种用于清洁静电吸盘的工具。
技术介绍
等离子体刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是：将暴露在电子区域的刻蚀气体形成等离子体，等离子体通过电场加速释放足够的能量，促使等离子体与晶圆表面发生反应，在晶圆表面刻蚀出所需形貌。目前，在半导体行业中，干法刻蚀中的等离子体刻蚀由于可以使电路图形变得更加精细，因此得到越来越广泛的使用。在等离子体刻蚀过程中，随着刻蚀反应的进行，反应室中会产生刻蚀副产物，该部分副产物会影响晶圆表面的刻蚀，因此反应室中通常是一边在晶圆上方通入刻蚀气体，同时在晶圆下方进行抽气，以排除反应产生的副产物。在整个刻蚀过程中，虽然大部分的副产物会随着气流的方向被移除，但依然会有少数副产物残留在反应室中，尤其是残留在位于边缘环与静电吸盘之间，因此为确保产品质量，常常需对反应室进行维护保养。现有的半导体工厂中，在对静电吸盘进行维护保养时，通常采用百洁布，然而当采用百洁布对静电吸盘进行维护保养时，通常存在以下问题：1)附着于静电吸盘的侧壁及缝隙处的副产物难以清洁干净，导致反应室在抽真空过程中副产物过多，设备维护保养失败，需要再次进行维护保养，从而使得人力成本增加，维护保养费用增加，产能利用率降低；2)在对静电吸盘边缘进行清理时，百洁布还会损害静电吸盘表面的镀层，影响晶圆质量；3)在维护保养过程中，百洁布自身也易产生污染物，造成反应室中污染物含量增大，降低产品良率。鉴于此，有必要设计一种新的用于清洁静电吸盘的工具以解决上述一系列的问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种用于清洁静电吸盘的工具，用于解决现有技术中静电吸盘清洁成本高、清洁不彻底、对静电吸盘损害大、污染物多及影响产品质量的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种用于清洁静电吸盘的工具，所述静电吸盘包含第一圆柱体及第二圆柱体，所述第二圆柱体位于所述第一圆柱体的上表面，且所述第一圆柱体的半径大于所述第二圆柱体的半径，所述工具包括：刀片，所述刀片包含第一刀头及与所述第一刀头相连接的第二刀头，其中，所述第二刀头的宽度大于所述第一刀头的宽度；所述第一刀头包括棱角及清洁平面，通过所述棱角清洁所述第一圆柱体与所述第二圆柱体之间的缝隙，通过所述清洁平面清洁所述第二圆柱体的侧壁及所述第一圆柱体与所述第二圆柱体所形成的台阶面；所述第二刀头包括倒角，通过所述倒角清洁所述第二圆柱体的边缘。可选地，所述第一刀头及第二刀头包括陶瓷刀头、燧石刀头、金刚石刀头及金属刀头中的一种或组合。可选地，所述第一刀头的所述清洁平面的宽度小于等于所述第二圆柱体的所述侧壁的高度。可选地，所述第一刀头的形貌包括正方体、长方体及棱台中的一种。可选地，所述第一刀头的宽度的范围包括5mm～10mm；所述第一刀头的长度的范围包括5mm～10mm；所述第一刀头的厚度的范围包括1mm～2mm。可选地，所述第一刀头包括固定式刀头及旋转式刀头中的一种。可选地，所述倒角的宽度的范围包括0.10mm～0.14mm。可选地，所述倒角包括45°倒角及非45°倒角中的一种或组合。可选地，所述第二刀头的宽度的范围包括7mm～17mm；所述第二刀头的长度的范围包括45mm～65mm；所述第二刀头的厚度的范围包括1mm～3mm。可选地，所述刀片呈轴对称。如上所述，本技术的用于清洁静电吸盘的工具，具有以下有益效果：采用第一刀头清洁静电吸盘的侧壁、缝隙及台阶面，以对静电吸盘进行彻底清洁；采用第二刀头中的倒角清洁静电吸盘的边缘，降低对静电吸盘表面镀层的损害；降低成本；降低清洁过程中，污染物的含量；方便快捷，易于操作；从而提高产品质量。附图说明图1显示为本技术中的静电吸盘的结构示意图。图2显示为本技术中的刀片的结构示意图。图3显示为本技术中的第一刀头的放大结构示意图。图4显示为本技术中的第二刀头的放大结构示意图。图5显示为本技术中的刀片的一种使用状态结构示意图。图6显示为本技术中的刀片的另一种使用状态的结构示意图。元件标号说明100静电吸盘110第一圆柱111缝隙112台阶面120第二圆柱200刀片210第一刀头211棱角212清洁平面220第二刀头221倒角300副产物R1第一圆柱体的半径R2第二圆柱体的半径H第二圆柱体的高度L1第一刀头的长度W1第一刀头的宽度T1第一刀头的厚度L2第二刀头的长度W2第二刀头的宽度T2第二刀头的厚度D倒角的宽度具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1至图6。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。如图2～图4，本技术提供一种用于清洁静电吸盘的工具，所述工具包括：刀片200，所述刀片200包含第一刀头210及与所述第一刀头210相连接的第二刀头220，其中，所述第二刀头220的宽度W2大于所述第一刀头210的宽度W1；所述第一刀头210包括棱角211及清洁平面212，所述第二刀头220包括倒角221。如图1，静电吸盘100包含第一圆柱体110及第二圆柱体120，所述第二圆柱体120位于所述第一圆柱体110的上表面，且所述第一圆柱体110的半径R1大于所述第二圆柱体120的半径R2，使得所述第一圆柱体110与所述第二圆柱体120之间具有缝隙111及台阶面112，其中所述台阶面112用以承载边缘环(未图示)及将所述静电吸盘100与起支撑作用的底座(未图示)相固定。具体的，在刻蚀过程中，所述静电吸盘100会沉积反应副产物300，尤其位于所述第二圆柱体120的边缘及所述第一圆柱体110与所述第二圆柱体120之间形成的所述缝隙111及所述台阶面112。通过所述第一刀头210中的所述棱角211可清洁所述第一圆柱体110与所述第二圆柱体120之间的所述缝隙111处的所述副产物300；通过所述第一刀头210中的所述清洁平面212可清洁所述第二圆柱体120的侧壁处的所述副产物300及所述第一圆柱体110与所述第二圆柱体120所形成的所述台阶面112处的所述副产物300；通过所述第二刀头220中的所述倒角221可清洁所述第二圆柱体120的边缘处的所述副产物300，从而达到方便快捷的彻底清洁静电吸盘处的所述副产物300，提高后续产品质量。图5及图6示意了所述刀片200在清洁所述静电吸盘100时的状态结构示意图，所述刀片200的使用状态并不局限于此。作为该实施例的进一步实施例，所述第一刀头210及第二刀头220包括陶瓷刀头、燧石刀头、金刚石刀头及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于清洁静电吸盘的工具，所述静电吸盘包含第一圆柱体及第二圆柱体，所述第二圆柱体位于所述第一圆柱体的上表面，且所述第一圆柱体的半径大于所述第二圆柱体的半径，其特征在于，所述工具包括：刀片，所述刀片包含第一刀头及与所述第一刀头相连接的第二刀头，其中，所述第二刀头的宽度大于所述第一刀头的宽度；所述第一刀头包括棱角及清洁平面，通过所述棱角清洁所述第一圆柱体与所述第二圆柱体之间的缝隙，通过所述清洁平面清洁所述第二圆柱体的侧壁及所述第一圆柱体与所述第二圆柱体所形成的台阶面；所述第二刀头包括倒角，通过所述倒角清洁所述第二圆柱体的边缘。

【技术特征摘要】
1.一种用于清洁静电吸盘的工具，所述静电吸盘包含第一圆柱体及第二圆柱体，所述第二圆柱体位于所述第一圆柱体的上表面，且所述第一圆柱体的半径大于所述第二圆柱体的半径，其特征在于，所述工具包括：刀片，所述刀片包含第一刀头及与所述第一刀头相连接的第二刀头，其中，所述第二刀头的宽度大于所述第一刀头的宽度；所述第一刀头包括棱角及清洁平面，通过所述棱角清洁所述第一圆柱体与所述第二圆柱体之间的缝隙，通过所述清洁平面清洁所述第二圆柱体的侧壁及所述第一圆柱体与所述第二圆柱体所形成的台阶面；所述第二刀头包括倒角，通过所述倒角清洁所述第二圆柱体的边缘。2.根据权利要求1所述的用于清洁静电吸盘的工具，其特征在于：所述第一刀头及第二刀头包括陶瓷刀头、燧石刀头、金刚石刀头及金属刀头中的一种或组合。3.根据权利要求1所述的用于清洁静电吸盘的工具，其特征在于：所述第一刀头的所述清洁平面的宽度小于等于所述第二圆柱体的所述侧壁的高度。4.根据权利要求1所述的用于清洁静电吸盘的工具，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚新，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34