动态随机存取存储器制造技术

一种动态随机存取存储器，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制器。存储器晶胞阵列包括多个比特线、多个字元线以及多个存储器晶胞。存储器控制器经由比特线及字元线耦接至存储器晶胞。存储器控制器用以在自我刷新期间对存储器晶胞阵列执行自我刷新操作。各比特线包括开关元件。存储器控制器在自我刷新期间控制开关元件的一部分导通，一部分不导通。

Dynamic Random Access Memory

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器
本专利技术涉及一种存储器元件，尤其涉及一种动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)。
技术介绍
动态随机存取存储器由于电路架构的需要，每隔一段时间就必须进行刷新操作来刷新存储器晶胞(cell)所储存的数据。一般而言，动态随机存取存储器会在待机模式(standbymode)中进行自我刷新(self-refresh)操作。然而，若自我刷新电流过高将会造成动态随机存取存储器在待机模式产生过多的功率消耗。此外，自我刷新电流的大小通常是取决于在自我刷新期间比特线的等效电容的大小。比特线的等效电容愈大，自我刷新电流愈大。反之，比特线的等效电容愈小，自我刷新电流愈小。为了解决自我刷新电流过大的问题，在现有技术中，可利用减少与比特线耦接的字元线的数量来降低比特线的等效电容。然而，此种方式虽然降低比特线的等效电容，但是却会增加存储器芯片的面积。
技术实现思路
本专利技术提供一种动态随机存取存储器，在自我刷新期间具有低自我刷新电流。本专利技术的动态随机存取存储器包括存储器晶胞阵列以及存储器控制器。存储器晶胞阵列包括多个比特线、多个字元线以及多个存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态随机存取存储器，包括：存储器晶胞阵列，包括多个比特线、多个字元线以及多个存储器晶胞；以及存储器控制器，经由所述多个比特线及所述多个字元线耦接至所述多个存储器晶胞，并且用以在自我刷新期间对所述存储器晶胞阵列执行自我刷新操作；其中各所述比特线包括开关元件，以及所述存储器控制器在所述自我刷新期间控制所述多个开关元件的一部分导通，且一部分不导通。

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器，包括：存储器晶胞阵列，包括多个比特线、多个字元线以及多个存储器晶胞；以及存储器控制器，经由所述多个比特线及所述多个字元线耦接至所述多个存储器晶胞，并且用以在自我刷新期间对所述存储器晶胞阵列执行自我刷新操作；其中各所述比特线包括开关元件，以及所述存储器控制器在所述自我刷新期间控制所述多个开关元件的一部分导通，且一部分不导通。2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中所述多个开关元件包括多个第一开关元件以及多个第二开关元件，包括所述多个第一开关元件的所述多个比特线耦接至第一感测放大器电路，包括所述多个第二开关元件的所述多个比特线耦接至第二感测放大器电路，其中所述存储器控制器利用第一控制信号控制所述多个第一开关元件的导通状态，以及所述存储器控制器利用第二控制信号控制所述多个第二开关元件的导通状态。3.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其中所述自我刷新期间包括第一期间以及第二期间，在所述第一期间所述存储器控制器控制所述多个第一开关元件导通，所述多个第二开关元件不导通，以及在所述第二期间所述存储器控制器控制所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：林哲民，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71