MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法技术

本发明专利技术涉及一种MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，涉及集成电路设计和制造领域，通过抽取半导体器件版图中同一MOSFET器件的基础参数；利用所述基础参数对半导体器件版图中同一MOSFET器件的各个子栅扩散区长度(LOD)参数进行计算；以及利用所述各个子栅扩散区长度参数进行等效计算得到同一MOSFET器件的等效LOD参数的步骤得到MOSFET器件的应力效应参数，不仅能对LOD参数进行精确抽取与计算，且同时降低设计难度，提高设计灵活性，提高开发效率。

Extraction and Calculating Method of Stress Effect Parameters for MOSFET Devices

【技术实现步骤摘要】
MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法
本专利技术涉及集成电路设计和制造领域，尤其涉及一种MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法。
技术介绍
在集成电路设计和制造领域，器件敏感性对设计有很大的挑战。随着集成电路设计与制造技术的不断发展与进步，浅沟槽隔离技术(shallowtrenchisolation，STI)的应用早已普及。近年来，随着工艺节点不断降低，随之产生的应力效应(mechanicalstresseffect)会对金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor，MOSFET)器件的各项性能产生重要影响，如迁移率，开启电压，饱和电流等。因此，MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算非常重要。MOSFET器件的应力效应版图参数，主要体现为扩散区长度LOD(Lengthofdiffusion)这一参数，因此业界也将应力效应称之为LOD效应。在集成电路设计过程中，设计者会利用设计版图布局比原理图LVS(LayoutVersusSchematics)物理验证文件提取出实际版图中MOSFET器件的应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，包括：S1：抽取半导体器件版图中同一MOSFET器件的基础参数；S2：利用所述基础参数对半导体器件版图中同一MOSFET器件的各个子栅扩散区长度(LOD)参数进行计算；以及S3：利用所述各个子栅扩散区长度参数进行等效计算得到同一MOSFET器件的等效LOD参数。

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，包括：S1：抽取半导体器件版图中同一MOSFET器件的基础参数；S2：利用所述基础参数对半导体器件版图中同一MOSFET器件的各个子栅扩散区长度(LOD)参数进行计算；以及S3：利用所述各个子栅扩散区长度参数进行等效计算得到同一MOSFET器件的等效LOD参数。2.根据权利要求1所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，所述MOSFET器件为多栅极、漏源共用的MOSFET器件。3.根据权利要求1或2任一项所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，所述MOSFET器件位于一半导体衬底的扩散区内，其中，所述半导体衬底上包括浅沟槽隔离区，以及位于所述浅沟槽隔离区之间的扩散区，在所述扩散区内形成由多个子栅和位于所述多个子栅两侧的漏极和源极构成所述MOSFET器件。4.根据权利要求3所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，步骤S1中所述基础参数包括：MOSFET器件最左侧子栅与所述扩散区左侧之间的距离sa、MOSFET器件最右侧子栅与所述扩散区右侧之间的距离sb、各所述子栅间的间距sd、所述子栅的沟道长度(lf)以及所述子栅的数量(nf)。5.根据权利要求4所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，步骤S2中包括计算每一根子栅距离扩散区左侧的长度Sai，以及每一根子栅距离扩散区右侧的长度Sbi，i为大于等于2且小于等于nf的整数。6.根据权利要求5所述的MOSFET器件的应力效应参数抽取与计算方法，其特征在于，计算每一根子栅距离扩散区左侧的长度Sai，以及每一根子栅距离扩散区右侧的长度Sbi的计算公式为：Sai＝sa+(i-1)*(lf+sd)Sbi＝sb+(i-1)*(lf+sd)其中，Sai表示同一MOSFET器件中第i根子栅极距离扩散区左侧的长度；Sbi表示同一MOSFET器件中第i根子栅极距离扩散区右侧的长度，sa为MOSFE...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵梓夷，杨婷，李浩然，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31