【技术实现步骤摘要】
晶片抛光垫和使用该晶片抛光垫进行晶片抛光的方法
本公开涉及抛光垫，更具体地，涉及晶片抛光垫和使用该晶片抛光垫的晶片处理方法。
技术介绍
通常通过在晶片上连续设置导体、半导体和/或绝缘体来形成集成电路。在设置每层之后，蚀刻该层以定义电路。随着层被连续设置和蚀刻，晶片在其暴露表面上逐渐变粗糙。为了校正这种粗糙，可以周期性地平坦晶片以使晶片的暴露表面变平。可以在平坦化晶片期间采用化学机械抛光工艺。化学机械抛光工艺可以使用抛光垫来抛光晶片。
技术实现思路
一种晶片抛光垫包括第一垫，该第一垫具有构造成接收台板的第一表面。突起设置在第一垫的第一表面上。突起设置在第一垫的在平面图中的边缘区域上，使得当第一垫设置在台板上时，突起的侧表面与台板的侧表面接触。一种晶片抛光垫包括包含凹槽的顶表面。与顶表面相反的第一底表面对应于抛光垫的中心区域。与顶表面相反的第二底表面对应于抛光垫的边缘区域。第二底表面位于比第一底表面的水平低的水平。一种晶片抛光方法包括制备包括第一垫和突起的抛光垫。突起设置在第一垫的第一表面的边缘区域上。抛光垫被放置在台板上，使得第一垫的第一表面面向台板。晶片使用抛光垫抛光...
【技术保护点】
1.一种晶片抛光垫，包括：第一垫，具有构造成接收台板的第一表面；和设置在所述第一垫的所述第一表面上的突起，其中，所述突起设置在所述第一垫的在平面图中的边缘区域上，使得当所述第一垫设置在所述台板上时，所述突起的侧表面与所述台板的侧表面接触。
【技术特征摘要】
2017.12.27 KR 10-2017-01807501.一种晶片抛光垫，包括：第一垫，具有构造成接收台板的第一表面；和设置在所述第一垫的所述第一表面上的突起，其中，所述突起设置在所述第一垫的在平面图中的边缘区域上，使得当所述第一垫设置在所述台板上时，所述突起的侧表面与所述台板的侧表面接触。2.根据权利要求1所述的晶片抛光垫，其中所述突起暴露所述第一垫的所述第一表面的中心区域，并且当在所述平面图中观察时，所述突起限定所述第一垫的所述中心区域。3.根据权利要求1所述的晶片抛光垫，其中所述突起包括设置在所述突起的底表面内的通气槽。4.根据权利要求3所述的晶片抛光垫，其中所述通气槽的底表面位于与所述第一垫的所述第一表面的水平相同的水平。5.根据权利要求3所述的晶片抛光垫，还包括设置在所述突起的所述底表面上的标记。6.根据权利要求3所述的晶片抛光垫，还包括覆盖所述第一垫的所述第一表面的一部分的粘合剂层，其中所述第一垫的所述第一表面的所述一部分通过所述突起被暴露。7.根据权利要求1所述的晶片抛光垫，其中凹槽设置在所述第一垫的第二表面上，其中所述第一垫的所述第二表面与所述第一表面相反。8.根据权利要求1所述的晶片抛光垫，还包括：设置在所述第一垫上的第二垫；和设置在所述第一垫和所述第二垫之间的粘合剂层。9.根据权利要求8所述的晶片抛光垫，其中凹槽设置在所述第二垫的第二表面上，其中所述第二垫的所述第二表面背向所述第一垫。10.根据权利要求1所述的晶片抛光垫，其中所述第一垫的第二表面的边缘区域的最顶部位于与所述第一垫的所述第二表面的中心区域的最顶部的水平相同的水平，其中所述第一垫的所述第二表面与所述第一垫的所述第一表面相反。11.一种晶片抛光垫，包括：包括凹槽的顶表面；第一底表面，与所述顶表面相反并对应于所述抛光垫的中心区域；以及第二底表面，与所述顶表面相反并...
【专利技术属性】
技术研发人员：金石烈，金圣协，李尚勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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