【技术实现步骤摘要】
抛光垫
本公开涉及化学机械研磨抛光设备
,尤其涉及一种抛光垫。
技术介绍
抛光垫(pad)作为化学机械研磨工艺(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)中对晶片进行研磨抛光的重要耗材,存在极高的消耗率。每张抛光垫都直接影响CMP工艺的品质、研磨率、均匀度、缺陷形成等。抛光垫的设计制造以沟槽纹路(groove)为其关键。沟槽纹路的作用主要包括承载研磨液(slurry)、传输研磨副产品(byproduct)和研磨碎片(debris)以及作为散发热量的通道。如图1至图5所示,现有抛光垫的沟槽纹路设计主要包括网格状(X-Y,参见图1)、圆环状(Circular,参见图2)、辐射状(Radial,参见图3)、螺旋状(Spiral)等,进一步包括上述设计的组合,例如网格状与圆环状的组合(X-Y+Circular,参见图4)、圆环状与辐射状的组合(Circular+Radial,参见图5)。CircularX-YX-Y+CircularCircular+Radial研磨液的散布速度慢快部分快/部分慢部分快/部分慢波弓持液率高低低低研磨液的更新速度最 ...
【技术保护点】
1.一种抛光垫,具有抛光表面,所述抛光表面上设有多个研磨槽,其特征在于,多个所述研磨槽包括多个主研磨槽和多个子研磨槽,多个所述主研磨槽呈网格状分布并界定出呈阵列分布的多个矩形区域,每个所述矩形区域中分别设有至少一个所述子研磨槽。
【技术特征摘要】
1.一种抛光垫,具有抛光表面,所述抛光表面上设有多个研磨槽,其特征在于,多个所述研磨槽包括多个主研磨槽和多个子研磨槽,多个所述主研磨槽呈网格状分布并界定出呈阵列分布的多个矩形区域,每个所述矩形区域中分别设有至少一个所述子研磨槽。2.根据权利要求1所述的抛光垫,其特征在于,多个所述主研磨槽包括:多个第一主研磨槽,分别沿第一方向延伸,且多个所述第一主研磨槽在垂直于所述第一方向的第二方向上平行间隔分布;以及多个第二主研磨槽,分别沿所述第二方向延伸,且多个所述第二主研磨槽在所述第一方向上平行间隔分布。3.根据权利要求2所述的抛光垫,其特征在于,多个所述第一主研磨槽间隔均匀分布,多个所述第二主研磨槽间隔均匀分布。4.根据权利要求3所述的抛光垫,其特征在于,相邻两个所述第一主研磨槽的间距等于相邻两个所述第二主研磨槽的间距。5.根据权利要求2所述的抛光垫,其特征在于,相邻两个所述第一主研磨槽的间距为10毫米~15毫米;和/或,相邻两个所述第二主研磨槽的间距为10毫米~15毫米。6.根据权利要求2所述的抛光垫...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
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