【技术实现步骤摘要】
电子设备和电子电路
各种实施例及其实施方式涉及电子系统的待机模式,尤其是以给定持续时间的规律间隔切换到待机模式中。
技术介绍
例如,这种系统被并入到连接的自主无线系统中,连接的自主无线系统以(“物联网”的)首字母缩写IoT由本领域技术人员所知。图1示出包括电源的现有技术的自主系统SYS1的一个示例。此外,系统SYS1包括电源BATT1、用于管理电功率的模块(PM)1、处理单元2、无线电传输模块(Tx/Rx)3、天线ANT和操作模块4。源BATT1的连接端子B_BATT1被连接到功率管理模块1的输入E1。功率管理模块1的端子S12被连接到处理单元2的输入端子E2,并且功率管理模块1的端子Ec1被连接到处理单元2的端子Sc21。端子S13和端子S14分别被连接到无线电传输模块3的端子E3和操作模块4的端子E4。传输模块3的端子S3被连接到天线ANT。此外,处理模块2包括两个端子Sc23和Sc24,两个端子Sc23和Sc24分别被连接到传输模块的端子Ec3和操作模块的端子Ec4。例如,电源BATT1是被并入到系统SYS1中的电池。例如,操作单元4包括温度传感器CT,温度 ...
【技术保护点】
1.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备被配置为将由供电电源供电的系统切换到待机模式中,所述电子设备包括:充电输入,被配置为被耦合到从由所述供电电源递送的电压获得的充电电压;第一输入,被配置为被耦合到所述供电电源;供电输出,被配置为被耦合到所述系统;存储电容性元件,被耦合到所述充电输入,并且被配置为由所述充电电压来充电;切换电路,被耦合在所述第一输入和所述供电输出之间,并且被配置为当跨所述存储电容性元件的端子的电压的值高于阈值时将所述供电输出从所述第一输入解耦,所述阈值低于所述充电电压;放电电路,被配置为使所述存储电容性元件放电达放电周期,使得跨所述存储电容性元件的所述端 ...
【技术特征摘要】
2017.10.12 FR 17595641.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备被配置为将由供电电源供电的系统切换到待机模式中,所述电子设备包括:充电输入,被配置为被耦合到从由所述供电电源递送的电压获得的充电电压;第一输入,被配置为被耦合到所述供电电源;供电输出,被配置为被耦合到所述系统;存储电容性元件,被耦合到所述充电输入,并且被配置为由所述充电电压来充电;切换电路,被耦合在所述第一输入和所述供电输出之间,并且被配置为当跨所述存储电容性元件的端子的电压的值高于阈值时将所述供电输出从所述第一输入解耦,所述阈值低于所述充电电压;放电电路,被配置为使所述存储电容性元件放电达放电周期,使得跨所述存储电容性元件的所述端子的所述电压的所述值变得低于所述阈值;其中所述切换电路进一步被配置为在所述放电周期结束时将所述第一输入重新耦合到所述供电输出。2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述放电电路包括电荷流电容性元件,所述电荷流电容性元件被耦合在所述存储电容性元件的第一端子和接地之间。3.根据权利要求2所述的设备,其特征在于,进一步包括初始化电容性元件,所述初始化电容性元件被耦合在所述存储电容性元件的第一端子和所述充电输入之间。4.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述切换电路包括耗尽型晶体管,所述耗尽型晶体管具有栅极、源极和漏极,所述栅极被耦合到所述存储电容性元件的所述第一端子,所述源极被耦合到所述供电电源,所述漏极被耦合到设备的输出,所述阈值等于所述耗尽型晶体管的阈值电压。5.根据权利要求4所述的设备,其特征在...
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