一种光致衰减装置制造方法及图纸

技术编号:21496863 阅读:45 留言:0更新日期:2019-06-29 12:42
本实用新型专利技术涉及太阳能电池片制造技术领域,公开了一种晶硅太阳能电池的光致衰减装置,包括支撑框架、支撑平台、光源、惰性气体发生装置、加热单元及冷却单元,其中,支撑平台设置于支撑框架内,且支撑平台具有真空吸附结构;光源设置于支撑框架内并位于支撑平台的上方,且光源的辐照强度能够调节;惰性气体发生装置设置于支撑框架内,用于向支撑平台释放惰性气体;加热单元及冷却单元设置于支撑平台内,所述加热单元能够将所述支撑平台加热,所述冷却单元能够将所述支撑平台降温。本实用新型专利技术的光致衰减装置能够实现不同的衰减条件,杜绝电池片的氧化,可实现电池片的长时间衰减行为,确保衰减实验数据的可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种光致衰减装置
本技术涉及太阳能电池片制造
,尤其涉及一种晶硅太阳能电池的光致衰减装置。
技术介绍
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能、利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结上,形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。现有的晶硅电池采用了背面钝化技术(PERC),通过降低背表面复合,大幅提升开路电压和短路电流。但由此带来的光致衰减问题极大限制了其规模化量产应用。随着晶硅衰减研究的深入,晶硅电池片的主要衰减机理从最初的BO复合模型到现今的众多猜想,从最初的光致衰减(LID:lightinduceddegradation)到现在的热辅助光致衰减(LeTID:lightandelevatedtemperatureinduceddegradation),莫衷一是。晶硅材料与生俱来的结构缺陷(晶界和位错缺陷)、金属杂质(如:Fe、Cu、Ti、Mo、W等部分深能级金属杂质);电池制程中的热过程影响;以及UNSW最新公布的可解释多数衰减现象的四态转化模型。对表象行为的研究是探究根本机理的前提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光致衰减装置,其特征在于,包括支撑框架(10)、支撑平台(20)、光源(30)、惰性气体发生装置、加热单元(50)及冷却单元(60),其中:所述支撑平台(20)设置于所述支撑框架(10)内,且所述支撑平台(20)具有真空吸附结构;所述光源(30)设置于所述支撑框架(10)内并位于所述支撑平台(20)的上方,且所述光源(30)的辐照强度能够调节;所述惰性气体发生装置设置于所述支撑框架(10)内,用于向所述支撑平台(20)释放惰性气体;所述加热单元(50)及所述冷却单元(60)设置于所述支撑平台(20)内,所述加热单元(50)能够将所述支撑平台(20)加热,所述冷却单元(60)能够将所述支...

【技术特征摘要】
1.一种光致衰减装置,其特征在于,包括支撑框架(10)、支撑平台(20)、光源(30)、惰性气体发生装置、加热单元(50)及冷却单元(60),其中:所述支撑平台(20)设置于所述支撑框架(10)内,且所述支撑平台(20)具有真空吸附结构;所述光源(30)设置于所述支撑框架(10)内并位于所述支撑平台(20)的上方,且所述光源(30)的辐照强度能够调节;所述惰性气体发生装置设置于所述支撑框架(10)内,用于向所述支撑平台(20)释放惰性气体;所述加热单元(50)及所述冷却单元(60)设置于所述支撑平台(20)内,所述加热单元(50)能够将所述支撑平台(20)加热,所述冷却单元(60)能够将所述支撑平台(20)降温。2.根据权利要求1所述的光致衰减装置,其特征在于,所述真空吸附结构包括多个设置于所述支撑平台(20)上的吸附孔(21),所述吸附孔(21)连接有真空管路,所述真空管路通过第一气阀连接真空泵(22)。3.根据权利要求1所述的光致衰减装置,其特征在于,所述光源(30)连接有整流设备(70)。4.根据权利要求3所述的光致衰减装置,其特征在于,所述光...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚铮张达奇熊光涌吴坚蒋方丹邢国强
申请(专利权)人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司阿特斯阳光电力集团有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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