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一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置制造方法及图纸

技术编号:21496862 阅读:35 留言:0更新日期:2019-06-29 12:42
本实用新型专利技术公开了一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置,包括边框、探针条、导电金属片和金属探针;边框为绝缘绝热材质且两边都设置有第一安装孔的矩形边框;边框下方设置有若干个探针条;探针条为长条形的金属板,探针条的中间部分下凹,探针条的两端都设置有第二安装孔;探针条两端的第二安装孔通过安装件和第一安装孔与边框的两边固定连接;探针条的中间部分上间隔设置有若干个金属探针;金属探针的朝向垂直于探针条所在平面;所有探针条的一端和对应的边框的一边之间还设置有导电金属片,导电金属片与所有探针条的一端连接,导电金属片的长度长于边框的一边。本实用新型专利技术具有结构坚固、外观美观、易于制造、且制造成本低等多种优点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置
本技术属于太阳能电池
,具体涉及一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置。
技术介绍
掺硼p型晶体硅太阳能电池(包括常规铝背场电池和效率超过20%的高效PERC电池)凭借其低成本、高效率、长寿命以及成熟的工艺技术等竞争优势,牢牢占据着光伏市场的主导地位。然而,掺硼p型晶体硅太阳能电池存在光衰的问题,该问题长期以来极大地困扰着掺硼p型晶体硅太阳能电池的发展。尽管人们已经对掺硼p型晶体硅太阳能电池的光衰机制进行了大量的研究,但是,人们至今对引起掺硼p型晶体硅太阳能电池光衰的缺陷的结构、种类和性质等仍存在争论。目前,主流的观点认为光照使掺硼p型晶体硅内部形成了硼—氧复合体这种亚稳缺陷,光致性能衰减就是由这种亚稳缺陷造成的。在掺硼p型晶体硅太阳能电池光衰抑制措施的研究方面,Herguth等人于2006年发现掺硼直拉单晶硅片在载流子注入(譬如使用光强大于1000W/m2的光照射)的同时给予加热(50—210℃),硼—氧缺陷会发生“复原”反应,即硼—氧缺陷会由具有复合活性的“衰减态”转变为丧失复合活性的“复原态”,硼—氧缺陷造成的少子寿命的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置,其特征在于,包括边框、探针条、导电金属片和金属探针;所述边框为绝缘绝热材质,所述边框为两边都设置有第一安装孔的矩形边框;所述边框下方设置有若干个所述探针条;所述探针条为长条形的金属片,所述探针条的中间部分下凹,所述探针条的两端都设置有第二安装孔;所述探针条两端的所述第二安装孔通过安装件和所述第一安装孔与所述边框的两边固定连接;所述探针条的中间部分上间隔设置有若干个所述金属探针;所述金属探针的朝向垂直于所述探针条所在平面;所有所述探针条的一端和对应的所述边框的一边之间还设置有所述导电金属片,所述导电金属片与所有所述探针条的一端连接,所述导电金属片...

【技术特征摘要】
1.一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置,其特征在于,包括边框、探针条、导电金属片和金属探针;所述边框为绝缘绝热材质,所述边框为两边都设置有第一安装孔的矩形边框;所述边框下方设置有若干个所述探针条;所述探针条为长条形的金属片,所述探针条的中间部分下凹,所述探针条的两端都设置有第二安装孔;所述探针条两端的所述第二安装孔通过安装件和所述第一安装孔与所述边框的两边固定连接;所述探针条的中间部分上间隔设置有若干个所述金属探针;所述金属探针的朝向垂直于所述探针条所在平面;所有所述探针条的一端和对应的所述边框的一边之间还设置有所述导电金属片,所述导电金属片与所有所述探针条的一端连接,所述导电金属片的长度长于所述边框的一边。2.根据权利要求1所述的用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置,其特征在于,所述探针条的中间部分设置有若干个与所述金属探针的位置一一对应的第三安装孔,所述金属探针穿过所述第三安装孔与所述探针条固定连接;所述探针条的中间部分上还设置有固定金属片,所述固定金属片与所述探针条垂直,所述金属探针与所述固定金属片贴合连接。3.根据权利要求1所述的用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装...

【专利技术属性】
技术研发人员:艾斌叶家兴沈辉
申请(专利权)人:中山大学
类型:新型
国别省市:广东,44

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