【技术实现步骤摘要】
一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构
本技术涉及半导体材料
，尤其涉及一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构。
技术介绍
图形化蓝宝石衬底，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为纵向外延。一方面可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命；随着LED领域工艺技术的发展，以及整个LED行业的迅速壮大，对GaN基LED器件PSS衬底的研究也逐渐增多。如今各厂家纷纷采用PSS技术，以提高LED器件的光提取效率。在通常曝光的过程中，均采用与曝光场1:1设置的掩模进行曝光，然而，在图形化蓝宝石衬底的曝光过程中，常会采用投影镜镜头使经过掩模的投影图像按比例缩小到工件台上，从而使曝光图形的线宽得到进一步的缩小，同时也是为了缩小了掩模制作上的缺陷。在这一情况下，举例来说，如果缩小的比例为5：1，为了保证曝光，就需要实际采用5倍于曝光场的掩模进行曝光，增大了操作的难度,也过多地消耗了成本；此外，在利用步进式曝光方式制作图形化蓝宝石衬底（PSS）时，由于工件台伺服性能，像差和镜头分辨率等影响因素，曝光场拼接处CD会受到明显的影响；尤其是当两个图形间距的一半接近或小于光刻机最小分辨率的时候，会导致拼接处CD变化或产生残胶等现象，影响最终PSS图形均匀性，为此我们提出了一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结...
【技术保护点】
1.一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构，包括单位图（1）、外缘（2）、重叠区（3）、曝光区（4），其特征在于，所述的单位图（1）规则排布于曝光区（4），所述的外缘（2）包括上外缘（21）、下外缘（22），所述上外缘（21）、下外缘（22）分别设于曝光区（4）的上下两侧，所述重叠区（3）由两个不同曝光区（4）拼接，且由一个所述曝光区（4）的上外缘（21）与另一个曝光区（4）的下外缘（22）拼接而成。
【技术特征摘要】
1.一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构，包括单位图（1）、外缘（2）、重叠区（3）、曝光区（4），其特征在于，所述的单位图（1）规则排布于曝光区（4），所述的外缘（2）包括上外缘（21）、下外缘（22），所述上外缘（21）、下外缘（22）分别设于曝光区（4...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹益荷，钟梦洁，熊彩浩，
申请(专利权)人：福建中晶科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35
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