用于后段工艺(BEOL)互连制造的表面对准光刻图案化方式制造技术

描述了用于后段工艺(BEOL)互连制造的表面对准光刻图案化方式和所得的结构。在示例中，一种集成电路结构包括衬底。多条交替的第一和第二导电线沿着衬底上方的第一层间电介质(ILD)层中的后段工艺(BEOL)金属化层的第一方向。导电过孔在多条交替的第一和第二导电线中的导电线之一上并与其电耦合，导电过孔在所述导电线之一之上居中。第二ILD层在多条交替的第一和第二导电线上方并在横向上与导电过孔相邻。第二ILD层具有与导电过孔的平坦顶表面基本共面的最上表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于后段工艺(BEOL)互连制造的表面对准光刻图案化方式
本专利技术的实施例处于半导体结构和处理的领域，并且具体而言是用于后段工艺(BEOL)互连制造的表面对准光刻图案化方式和所得结构。
技术介绍
过去几十年来，集成电路中的特征的缩放已经成为不断成长的半导体产业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征使得在半导体芯片的有限芯片面积上能够实现增大的功能单元密度。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上并入更大数量的存储器或逻辑器件，为产品制造带来更大的容量。不过，对越来越大容量的驱动并非毫无问题。优化每个器件的性能的必要性变得越来越大。集成电路通常包括导电微电子结构，其在现有技术中被称为过孔，以将过孔上方的金属线或其它互连电连接到过孔下方的金属线或其它互连。过孔通常通过光刻工艺形成。代表性地，可以在电介质层之上旋涂光致抗蚀剂层，可以通过图案化掩模使光致抗蚀剂层暴露于图案化的光化学辐射，并且然后可以对暴露的层进行显影，以便在光致抗蚀剂层中形成开口。接下来，可以通过使用光致抗蚀剂层中的开口作为蚀刻掩模在电介质层中蚀刻用于过孔的开口。该开口被称为过孔开口。最后，可以利用一种或多种金属或其它导电材料填充过孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：衬底；多条交替的第一导电线和第二导电线，其沿着所述衬底上方的第一层间电介质(ILD)层中的后段工艺(BEOL)金属化层的第一方向；导电过孔，其在所述多条交替的第一导电线和第二导电线中的导电线中的一条导电线上并与所述一条导电线电耦合，所述导电过孔具有平坦顶表面和凹角侧壁，并且所述导电过孔在所述导电线中的所述一条导电线之上居中；以及第二ILD层，其在所述多条交替的第一导电线和第二导电线上方并且在横向上与所述导电过孔相邻，所述第二ILD层具有与所述导电过孔的所述平坦顶表面大体上共面的最上表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路结构，包括：衬底；多条交替的第一导电线和第二导电线，其沿着所述衬底上方的第一层间电介质(ILD)层中的后段工艺(BEOL)金属化层的第一方向；导电过孔，其在所述多条交替的第一导电线和第二导电线中的导电线中的一条导电线上并与所述一条导电线电耦合，所述导电过孔具有平坦顶表面和凹角侧壁，并且所述导电过孔在所述导电线中的所述一条导电线之上居中；以及第二ILD层，其在所述多条交替的第一导电线和第二导电线上方并且在横向上与所述导电过孔相邻，所述第二ILD层具有与所述导电过孔的所述平坦顶表面大体上共面的最上表面。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述导电过孔的所述凹角侧壁向内弯曲。3.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：上导电线，其在所述第二ILD层上并且在所述导电过孔上并与所述导电过孔电连接，所述上导电线沿与所述第一方向正交的第二方向。4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，所述上导电线包括在所述导电过孔的整个平坦表面上的阻挡层。5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第二ILD层包括由O基团交联在一起的多个三硅环己烷。6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一导电线间隔开一间距，并且其中，所述第二导电线间隔开所述间距。7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一导电线的总体组分与所述第二导电线的总体组分相同。8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一导电线的总体组分与所述第二导电线的总体组分不同。9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一导电线中的每条第一导电线包括导电帽盖层，其中，所述第二导电线中的每条第二导电线不包括导电帽盖层，其中，所述多条交替的第一导电线和第二导电线中的所述导电线中的所述一条导电线是第一导电线，并且其中，所述导电过孔在所述导电线中的所述一条导电线的所述导电帽盖层上。10.一种集成电路结构，包括：衬底；多条交替的第一导电线和第二导电线，其沿着所述衬底上方的第一层间电介质(ILD)层中的后段工艺(BEOL)金属化层的第一方向；导电过孔，其在所述多条交替的第一导电线和第二导电线中的导电线中的一条导电线上并与所述一条导电线电耦合，所述导电过孔具有平坦顶表面和向外倾斜的侧壁，并且所述导电过孔在所述导电线中的所述一条导电线之上居中；以及第二ILD层，其在所述多条交替的第一导电线和第二导电线上方并且在横向上与所述导电过孔相邻，所述第二ILD层具有与所述导电过孔的所述平坦顶表面大体上共面的最上表面。11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中，所述导电过孔的所述向外倾斜的侧壁向外弯曲。12.根据权利要求10所述的集成电路结构，还包括：上导电线，其在所述第二ILD层上并且在所述导电过孔上并与所述导电过孔电连接，所述上导电线沿与所述第一方向正交的第二方向。13.根据权利要求12所述的集成电路结构，其中，所述上导电线包括在所述导电过孔的整个平坦表面上的阻挡层。14.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中，所述第二ILD层包括由O基团交联在一起的多个三硅环己烷。15.根据权利要求10所述的集成电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·L·布里斯托尔，K·L·林，J·M·布莱克韦尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US