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描述了用于后段工艺(BEOL)互连制造的表面对准光刻图案化方式和所得的结构。在示例中，一种集成电路结构包括衬底。多条交替的第一和第二导电线沿着衬底上方的第一层间电介质(ILD)层中的后段工艺(BEOL)金属化层的第一方向。导电过孔在多条交替...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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