反型QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供气态的置换配体和沉积有量子点预制薄膜的阴极，其中，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体，所述置换配体为至少含有两个活性官能团的有机配体；提供衬底，在所述衬底上制备阴极；将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜；在所述量子点发光层上制备空穴功能层；在所述空穴功能层上制备阳极。

【技术实现步骤摘要】
反型QLED器件及其制备方法
本专利技术属于发光二极管
，尤其涉及一种反型QLED器件及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管(Quantumdotlight-emittingdiode,QLED)，是一种新型的发光器件，其采用量子点材料(Quantumdots,QDs)作为发光层，相比其他发光材料具有难以比拟的优势，如可控的小尺寸效应、超高的内量子效率、优异的色纯度等，在未来显示
具有巨大的应用前景。一般情况下，量子点表面会通过螯合等方式连接有机配体或者通过形成化学键等方式连接无机配体。量子点的表面配体在量子点合成中起到至关重要的作用，一方面，表面配体能钝化量子点表面的缺陷，提高量子点的发光性能；另一方面，表面配体能够减少量子点之间团聚，并增加量子点在溶剂中的分散能力。在量子点发光二极管器件中，表面配体会进一步影响器件的光电学性能，因此合理选择量子点膜中的量子点表面的配体是提高量子点薄膜及量子点发光二极管发光效率的重要步骤。对于目前主流的反型QLED器件(正负极位置对换，在衬底上依次是阴极、电子传输材料、量子点发光层、空穴传输材料、空穴注入材料和阳极)，由于在量子点发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供气态的置换配体和沉积有量子点预制薄膜的阴极，其中，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体，所述置换配体为至少含有两个活性官能团的有机配体；将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜；在所述量子点发光层上制备空穴功能层；在所述空穴功能层上制备阳极。

【技术特征摘要】
1.一种反型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供气态的置换配体和沉积有量子点预制薄膜的阴极，其中，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体，所述置换配体为至少含有两个活性官能团的有机配体；将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜；在所述量子点发光层上制备空穴功能层；在所述空穴功能层上制备阳极。2.如权利要求1所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部压力为10-5～103Pa，所述置换配体的分压为10-4～102Pa。3.如权利要求2所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部压力为10-4～102Pa，所述置换配体的分压为0.01～10Pa。4.如权利要求1所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部温度为5～200℃。5.如权利要求1-4任一项所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述置换配体的结构通式为X1-R-X2，其中，所述X1、X2为所述活性官能团，且所述X1单独选自-SH、-COOH、-NH2、-OH、-NO2、-SO3H、膦基、磷酸基中的一种，所述X2选自-SH、-COOH、-NH2、-OH、-NO2、-SO3H、膦基、磷酸基中的一种，所述R为烃基或烃基衍生物。6.如权利要求5所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述R包含共轭环、-C＝C-、-C≡C-、-C＝O、-N＝N-、-C≡N-、-C＝N-中的至少一种的基团。7.如权利要求5所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述置换配体为1,2-乙二硫醇、1,...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹蔚然，梁柱荣，杨一行，向超宇，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44