反型QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供阴极和置换配体溶液；在所述阴极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层；在所述量子点发光层表面制备空穴功能层，在所述空穴功能层上制备阳极。

【技术实现步骤摘要】
反型QLED器件及其制备方法
本专利技术属于平板显示
，尤其涉及一种反型QLED器件及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管(Quantumdotlight-emittingdiode,QLED)，是一种新型的发光器件，其采用量子点材料(Quantumdots,QDs)作为发光层，相比其他发光材料具有难以比拟的优势，如可控的小尺寸效应、超高的内量子效率、优异的色纯度等，在未来显示
具有巨大的应用前景。一般情况下，量子点表面会通过螯合等方式连接有机配体或者通过形成化学键等方式连接无机配体。量子点的表面配体在量子点合成中起到至关重要的作用，一方面，表面配体能钝化量子点表面的缺陷，提高量子点的发光性能；另一方面，表面配体能够减少量子点之间团聚，并增加量子点在溶剂中的分散能力。在量子点发光二极管器件中，表面配体会进一步影响器件的光电学性能，因此合理选择量子点膜中的量子点表面的配体是提高量子点薄膜及量子点发光二极管发光效率的重要步骤。在合成结束之后对量子点表面的配体进行交换是目前比较普遍的方式。但该方法存在一定的问题。首先，量子点表面的配体影响其在有机溶剂中的分散性，因此在配体交本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供阴极和置换配体溶液；在所述阴极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层；在所述量子点发光层表面制备空穴功能层；在所述空穴功能层上制备阳极。

【技术特征摘要】
1.一种反型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供阴极和置换配体溶液；在所述阴极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层；在所述量子点发光层表面制备空穴功能层；在所述空穴功能层上制备阳极。2.如权利要求1所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述置换配体的结构通式为X1-R-X2，其中，其中，所述R为烃基或烃基衍生物，所述X1为与所述量子点交联的官能团，所述X2为极性调节官能团，且所述X1与量子点的交联活性大于所述X2与量子点的交联活性。3.如权利要求2所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述X1选自-SH、-COOH、-NH2、-OH、-NO2、-SO3H、膦基、磷酸基中的一种；和/或所述X2选自-COOH、-OH、-CN、-NHCO-CH3、-NH2、-SH、-CHO、-CO-、-COOR、-NO2、-O-、-O-CH3、-CH3中的一种。4.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管，其特征在于，所述R中含有共轭环、-C＝C-、-C≡C-、-C＝O、-N＝N-、-C≡N、-C＝N-基团中的至少一种。5.如权利要求2所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述置换配体为巯基乙酸、3-巯基丙酸、3-巯基丁酸、6-巯基己酸、巯基乙胺、3-巯基丙胺、4-巯基苯甲酸、巯基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、巯基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸中的至少一种；或所述置换配体为辛胺、丙胺、十六胺、4-巯基苯甲醚、1-羟基-3-甲氧基-丙烷中的至少一种；或所述置换配体...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹蔚然，杨一行，向超宇，钱磊，梁柱荣，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44