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本发明提供了一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供气态的置换配体和沉积有量子点预制薄膜的阴极，其中，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体，所述置换配体为至少含有两个活性官能团的有机配体；提供衬底，在所述衬底上制备阴极；...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。

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