【技术实现步骤摘要】
一种高膜基结合力的单层二氧化硅光子晶体的制备方法
本专利技术涉及光子晶体
,尤其涉及一种高膜基结合力的单层二氧化硅光子晶体的制备方法。
技术介绍
光子晶体是由不同介电常数的介质材料在空间按一定的周期排列的一种人造的晶体材料,由于存在周期性,在其中传播的光波的色散曲线将成带状结构,带与带之间的能量差叫做光子禁带,频率落在禁带中的光是被严格禁止传播的。光子晶体结构色具有色素不具有的高亮度、高饱和度、不褪色等特点与优势,在传感、防伪识别、功能纤维等方面具有广阔的应用前景,是近年来科研领域的热点和前沿科学。由于二维光子晶体在多领域展现出极大的应用前景,又具有结构简单、选材广泛、稳定性好、组装方法多样的特点,所以相关研究备受关注。二维光子晶体是由高、低折射率介质交替堆叠组成的高度有序结构,能够在可见光区有效调控光波传播,已经在抗反射结构、生物模板等方面有广泛应用。二维光子晶体作为一种新型的响应性材料,在传感领域具有广阔的应用前景,外界环境,包含温度、湿度、应变、溶剂、酸碱度或pH、电场、离子等的改变可引起光子带隙移动,当其移动范围位于可见光区内时,材料会表现出颜色变化 ...
【技术保护点】
1.一种高膜基结合力的单层二氧化硅光子晶体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)二氧化硅微球改性:将二氧化硅微球、分散剂和改性剂混合后置于摇床上进行摇晃处理;(2)二氧化硅微球转移至玻璃基底:将玻璃基底置于水中,将改性后的二氧化硅微球加入水中,利用LB膜分析仪将二氧化硅微球转移至玻璃基底上;(3)热处理:将玻璃基底置于500~700℃下进行热处理,得到所述高膜基结合力的单层二氧化硅晶体。
【技术特征摘要】
1.一种高膜基结合力的单层二氧化硅光子晶体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)二氧化硅微球改性:将二氧化硅微球、分散剂和改性剂混合后置于摇床上进行摇晃处理;(2)二氧化硅微球转移至玻璃基底:将玻璃基底置于水中,将改性后的二氧化硅微球加入水中,利用LB膜分析仪将二氧化硅微球转移至玻璃基底上;(3)热处理:将玻璃基底置于500~700℃下进行热处理,得到所述高膜基结合力的单层二氧化硅晶体。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述改性剂为3-氨丙基三乙氧基硅烷和三甲氧基(丙基)硅烷按照1:(2~5)体积比组成的混合物,优选地,体积比为1:4。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述改性剂的用量标准为:1g二氧化硅微球使用1~5mL改性剂。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,将二氧化硅微球、分散剂和改性剂混合后的混合物置于摇床上按照300~1000rpm的转速进行摇...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘磊,林强,曹康丽,刘刚,赵九蓬,李垚,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,上海卫星装备研究所,
类型:发明
国别省市:黑龙江,23
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