有机发光二极管显示基板、有机发光二极管显示设备、以及制造有机发光二极管显示基板的方法技术

本申请提供了一种具有子像素区域和子像素间区域的有机发光二极管显示基板。有机发光二极管显示基板包括基底基板和基底基板上的辅助阴极。辅助阴极包括透明导电子层和位于透明导电子层的远离基底基板的一侧的金属导电子层。金属导电子层基本上位于子像素间区域中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机发光二极管显示基板、有机发光二极管显示设备、以及制造有机发光二极管显示基板的方法
本专利技术涉及显示技术，更具体地，涉及有机发光二极管显示基板、有机发光二极管显示设备和制造有机发光二极管显示基板的方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示设备可以制作得比典型的LCD更易弯曲、更薄且更轻。OLED显示设备通常包括阳极、包括发光层的有机层、以及阴极。OLED可以为底发光型OLED或顶发光型OLED。在底发光型OLED中，从阳极侧提取光。在底发光型OLED中，阳极通常是透明的，而阴极通常为反射性的。在顶发光型OLED中，从阴极侧提取光。在顶发光型OLED中，阴极是光学透明的，而阳极是反射性的。
技术实现思路
在一方面，本专利技术提供了一种具有子像素区域和子像素间区域的有机发光二极管显示基板，包括：基底基板；和辅助阴极,其位于基底基板上；其中，所述辅助阴极包括透明导电子层和位于透明导电子层的远离基底基板的一侧的金属导电子层；并且金属导电子层基本上位于子像素间区域中。可选地，金属导电子层与透明导电子层接触。可选地，有机发光二极管显示基板还包括：黑矩阵层，其位于基底基板上；其中，辅助阴极位于黑矩阵层的远离基底基板的一侧；并且黑矩阵层在基底基板上的投影基本上覆盖金属导电子层在基底基板上的投影。可选地，透明导电子层位于子像素区域和子像素间区域中。可选地，有机发光二极管显示基板还包括：覆盖层，其位于基底基板上；其中，辅助阴极位于覆盖层的远离基底基板的一侧。可选地，金属导电子层与透明导电子层接触；并且透明导电子层与覆盖层接触。可选地，透明导电子层包括金属氧化物。可选地，有机发光二极管显示基板为包括彩膜的彩膜基板。可选地，透明导电子层在基底基板上的投影基本上覆盖彩膜在基底基板上的投影。在另一方面，本专利技术提供了一种有机发光二极管显示设备，包括：阵列基板，其具有多个有机发光二极管；和上述任一有机发光二极管显示基板，其面向阵列基板；其中，阵列基板包括用于所述多个有机发光二极管的阴极；并且所述阴极电连接至有机发光二极管显示基板中的辅助阴极。在另一方面，本专利技术提供了一种制造具有子像素区域和子像素间区域的有机发光二极管显示基板的方法，包括：在基底基板上形成辅助阴极；其中，形成辅助阴极包括：形成透明导电子层并且在位于透明导电子层的远离基底基板的一侧形成金属导电子层；并且金属导电子层基本上形成在子像素间区域中。可选地，形成透明导电子层包括：在室温沉积工艺中，在基底基板上沉积透明导电材料。可选地，金属导电子层形成为与透明导电子层接触。可选地，所述方法还包括：在基底基板上形成黑矩阵层；其中，形成辅助阴极包括：在黑矩阵层的远离基底基板的一侧形成辅助阴极；并且金属导电子层形成为使得黑矩阵层在基底基板上的投影基本上覆盖金属导电子层在基底基板上的投影。可选地，透明导电子层形成在子像素区域和子像素间区域中。可选地，所述方法还包括：在基底基板上形成覆盖层；其中，形成辅助阴极包括：在覆盖层的远离基底基板的一侧形成辅助阴极。可选地，金属导电子层形成为与透明导电子层接触；并且透明导电子层形成为与覆盖层接触。可选地，透明导电子层由金属氧化物制成。可选地，所述方法还包括：形成彩膜。可选地，透明导电子层形成为使得透明导电子层在基底基板上的投影基本上覆盖彩膜在基底基板上的投影。附图说明以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本专利技术的范围。图1是示出根据本公开的一些实施例中的有机发光二极管显示基板的结构的示意图。图2是示出根据本公开的一些实施例中的有机发光二极管显示基板的结构的示意图。图3是示出根据本公开的一些实施例中的有机发光二极管显示基板的结构的示意图。图4是示出根据本公开的一些实施例中的有机发光二极管显示基板的结构的示意图。图5是示出根据本公开的一些实施例中的有机发光二极管显示设备的结构的示意图。图6A至图6E示出了根据本公开的一些实施例中的制造有机发光二极管显示基板的过程。具体实施方式现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅出于示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。在传统的有机发光二极管显示设备中,特别是在传统的顶发光型有机发光二极管显示设备中,用于有机发光二极管的阴极通常由透明导电材料(比如铟锌氧化物)或透明金属(比如镁：银)制成，以确保有机发光层所产生的光的透光率。这些透明导电材料通常具有相对较高的比电阻，这特别对于大尺寸显示面板会出现严重的问题。为了降低传统的有机发光二极管显示设备中的阴极的电阻，有时会使用辅助阴极。在一些实施例中，辅助阴极可以制作在有机发光二极管显示设备的面向阵列基板的对置基板上。在一个示例中，辅助阴极由非透明金属材料制成，并且可以制作在黑矩阵区域中。这样，辅助阴极可以制作得具有相对较低的比电阻，并且同时，不会影响显示设备的透光率。对置基板中的辅助阴极电连接至阵列基板中的阴极。辅助阴极可以沉积在对置基板中的任意层上。在一个示例中，辅助阴极形成在对置基板的覆盖层上。可选地，辅助阴极形成在对置基板的黑矩阵上。对置基板的这些层由有机材料制成，其无法提供与金属辅助阴极的良好粘附力。沉积在对置基板上(例如，对置基板的覆盖层上)的辅助阴极的金属线的部分有时变松或从对置基板上脱落。当为了增加显示设备的开口率而将金属线制作得宽度较小时，这个问题变得尤其严重。因此，本公开特别提供了有机发光二极管显示基板、有机发光二极管显示设备和制造有机发光二极管显示基板的方法，其实质上消除了由于现有技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。在一方面，本专利技术提供了一种具有子像素区域和子像素间区域的有机发光二极管显示基板。在一些实施例中，有机发光二极管显示基板包括基底基板和基底基板上的辅助阴极。辅助阴极包括透明导电子层和位于透明导电子层的远离基底基板的一侧的金属导电子层。金属导电子层基本上位于子像素间区域中。如本文使用的那样，子像素区域指的是子像素的发光区域，比如液晶显示器中与像素电极对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与发光层对应的区域。可选地，像素可包括与像素中的若干个子像素对应的若干个分离的发光区域。可选地，子像素区域是红色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是绿色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是蓝色子像素的发光区域。可选地，子像素区域是白色子像素的发光区域。如本文使用的那样，子像素间区域指的是相邻子像素区域之间的区域，比如液晶显示器中与黑矩阵对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与像素定义层对应的区域。可选地，子像素间区域是同一像素中相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是来自两个相邻像素的两个相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是红色子像素的子像素区域和相邻绿色子像素的子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是红色子像素的子像素区域和相邻蓝色子像素的子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是绿色子像素的子像素区域和相邻蓝色子像素的子像素区域之间的区域。图1是示出根据本公开的一些实施例中的有机发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有子像素区域和子像素间区域的有机发光二极管显示基板，包括：基底基板；和辅助阴极,其位于所述基底基板上；其中，所述辅助阴极包括透明导电子层和位于所述透明导电子层的远离所述基底基板的一侧的金属导电子层；并且所述金属导电子层实质上位于所述子像素间区域中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具有子像素区域和子像素间区域的有机发光二极管显示基板，包括：基底基板；和辅助阴极,其位于所述基底基板上；其中，所述辅助阴极包括透明导电子层和位于所述透明导电子层的远离所述基底基板的一侧的金属导电子层；并且所述金属导电子层实质上位于所述子像素间区域中。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板，其中，所述金属导电子层与所述透明导电子层接触。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板，还包括：黑矩阵层，其位于所述基底基板上；其中，所述辅助阴极位于所述黑矩阵层的远离所述基底基板的一侧；并且所述黑矩阵层在所述基底基板上的投影实质上覆盖所述金属导电子层在所述基底基板上的投影。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板，其中，所述透明导电子层位于所述子像素区域和所述子像素间区域中。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板，还包括：覆盖层，其位于所述基底基板上；其中，所述辅助阴极位于所述覆盖层的远离所述基底基板的一侧。6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示基板，其中，所述金属导电子层与所述透明导电子层接触；并且所述透明导电子层与所述覆盖层接触。7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板，其中，所述透明导电子层包括金属氧化物。8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板，其中，所述有机发光二极管显示基板是彩膜基板，其包括彩膜。9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示基板，其中，所述透明导电子层在所述基底基板上的投影实质上覆盖所述彩膜在所述基底基板上的投影。10.一种有机发光二极管显示设备，包括：阵列基板，其具有多个有机发光二极管；和权利要求1至9中任一项所述的有机发光二极管显示基板，其面向所述阵列基板；其中，所述阵列基板包括用于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凤娟，宋振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11