氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述低温缓冲层和所述三维成核层均为掺铍的GaN层，所述低温缓冲层中铍的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐升高，所述三维成核层中铍的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐降低。本发明专利技术提供的氮化镓基发光二极管外延片可以提高外延层的底层晶体质量，进而提高外延层的晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。外延片是LED中的主要构成部分，现有的GaN基LED外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层。由于衬底与GaN晶格常数差异较大，在外延过程中会累积应力和缺陷，影响外延层的晶体质量，从而影响载流子输运和降低载流子在多量子阱层内的有效复合，使LED的发光效率下降。因此通过生长低温缓冲层和三维成核层能在一定程度上缓解衬底与GaN外延层之间的晶格失配度，从而可以减少底层缺陷的产生。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：低温环境下生长出的缓冲层晶体质量较差，会使得在其上生长的三维成核层的结晶质量较差，产生较多的位错密度，导致外延层的底层晶体质量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，其特征在于，所述低温缓冲层和所述三维成核层均为掺铍的GaN层，所述低温缓冲层中铍的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐升高，所述三维成核层中铍的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐降低。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，其特征在于，所述低温缓冲层和所述三维成核层均为掺铍的GaN层，所述低温缓冲层中铍的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐升高，所述三维成核层中铍的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐降低。2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述低温缓冲层中铍的掺杂浓度为1×1016～1×1019cm-3。3.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述三维成核层中铍的掺杂浓度为1×1016～1×1019cm-3。4.一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旺平，乔楠，吕蒙普，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33