高亮度LED及其制备工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种高亮度LED及其制备工艺，所述高亮度LED包括依次层叠在衬底上的缓冲层、电子提供层、发光层、空穴提供层；所述发光层包括交替沉积在所述电子提供层上的多个发光阱层和多个发光垒层；发光层中靠近空穴提供层一侧位于发光阱层和发光垒层之间至少其中之一设置第一薄阱层和第一薄垒层。第一薄阱层和第一薄垒层的设置将对跃迁速度变慢的电子产生阻隔作用，进一步降低电子跃迁速度，防止电子向空穴提供层跃迁，同时第一薄阱层和第一薄垒层提高了空穴向发光层中的跃迁速度，两方面共同作用增加了电子和空穴在发光层中的复合效率，进而提高内量子效率，提高发光强度。

【技术实现步骤摘要】
高亮度LED及其制备工艺
本专利技术涉及LED
，具体涉及一种高亮度LED及其制备工艺。
技术介绍
随着半导体技术的发展，发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)的发光效率不断提高，广泛应用于各种彩色显示屏、装饰灯、指示灯、白光照明灯，但LED的发光效率还没有达到理想的目标。LED的发光效率由内量子效率和光提取效率两方面决定，在LED制程中，外延工艺对内量子效率起决定性影响，芯片制备工艺对内量子效率和光提取效率均能产生影响，封装工艺主要影响光提取效率。外延工艺主要通过在蓝宝石衬底上依次沉积成核层、电子提供层、发光层、空穴提供层等最终得到外延结构。其中，发光层包括交替沉积的铟镓氮阱层和氮化镓垒层。电子提供层产生的电子和空穴提供层产生的空穴在发光层中复合发光，电子和空穴在发光层中的复合效率决定了内量子效率，进而影响到LED的发光效率。增加电子或空穴的浓度是提高内量子效率的一种途径，常用的手段是提高电子提供层或者空穴提供层中的掺杂浓度，但是过高的掺杂浓度容易造成漏电、抗静电能力变差等电性参数异常和可能的表面问题。石墨烯在室温下的载流子迁移率约为15000本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高亮度LED制备工艺，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积电子提供层；在所述电子提供层上沉积发光层；在所述发光层上沉积空穴提供层；所述发光层包括交替沉积在所述电子提供层上的多个发光阱层和多个发光垒层，所述发光阱层和所述发光垒层交替层叠设置，发光阱层为铟镓氮层，发光垒层为氮化镓层，发光阱层数量等于发光垒层数量，第一个发光阱层沉积在电子提供层上，空穴提供层沉积在最后一个发光垒层上；发光层中靠近空穴提供层一侧位于发光阱层和发光垒层之间至少其中之一设置第一薄阱层和第一薄垒层，所述第一薄阱层产生的势阱深度高于发光阱层势阱深度且在第一薄阱层中铟含量保持不变，所述第...

【技术特征摘要】
1.一种高亮度LED制备工艺，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积电子提供层；在所述电子提供层上沉积发光层；在所述发光层上沉积空穴提供层；所述发光层包括交替沉积在所述电子提供层上的多个发光阱层和多个发光垒层，所述发光阱层和所述发光垒层交替层叠设置，发光阱层为铟镓氮层，发光垒层为氮化镓层，发光阱层数量等于发光垒层数量，第一个发光阱层沉积在电子提供层上，空穴提供层沉积在最后一个发光垒层上；发光层中靠近空穴提供层一侧位于发光阱层和发光垒层之间至少其中之一设置第一薄阱层和第一薄垒层，所述第一薄阱层产生的势阱深度高于发光阱层势阱深度且在第一薄阱层中铟含量保持不变，所述第一薄垒层产生的势垒深度低于发光垒层势垒深度，且在第一薄垒层中铟含量以渐变的方式减少，第一薄阱层与第一薄垒层接触面铟含量相等。2.如权利要求1所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述第一薄垒层与所述发光垒层之间插入第二薄垒层，所述第二薄垒层势垒深度低于所述发光垒层势垒深度且高于所述第一薄垒层势垒深度。3.如权利要求1或2所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述发光层中靠近空穴提供层一侧的发光阱层阱宽大于靠近电子提供层一侧的发光阱层阱宽。4.如权利要求3所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述发光层与空穴提供层之间设置阻隔层，所述阻隔层为铝镓氮层。5.如权利要求4所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述阻隔层包括多层依次沉积的铝镓氮层，各层铝镓氮层从发光层至空穴提供层铝含量依次减少。6.如权利要求5所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述发光层中靠近空穴提供层最后两个或三个发光阱层与发光垒层之间均依次设置第一薄阱层、第一薄垒层。7.如权利要求5所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述发光层中靠近空穴提供层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丹丹，
申请(专利权)人：洲磊新能源深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44